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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MUR40005CT GeneSiC Semiconductor MUR40005CT -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S12B GeneSiC Semiconductor S12B 6.3300
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
GBPC5002W GeneSiC Semiconductor GBPC5002W 4.0155
RFQ
 ECAD 1771年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC5002 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 200 V 50 a 单相 200 v
GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E 3.8000
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SIC （碳化硅） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 5 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 29a 367pf @ 1V，1MHz
MURH7020R GeneSiC Semiconductor MURH7020R 49.5120
RFQ
 ECAD 1632年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh7020 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C 70a -
1N6096 GeneSiC Semiconductor 1N6096 14.0145
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N6096 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N6096GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1000 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MBRF60035R GeneSiC Semiconductor MBRF60035R -
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
MUR30040CT GeneSiC Semiconductor MUR30040CT 118.4160
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 150a 1.5 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MSRTA50080A GeneSiC Semiconductor MSRTA50080A 101.4000
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA50080 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 800 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MURF10040R GeneSiC Semiconductor murf10040r -
RFQ
 ECAD 2115 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） murf10040rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST83100SM -
RFQ
 ECAD 1711年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 （1 （无限） 到达不受影响 FST83100SMGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 80A（DC） 840 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -40°C〜175°C
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ctr 75.1110
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 Mur10040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10040ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT200200R GeneSiC Semiconductor MBRT200200R 98.8155
RFQ
 ECAD 7921 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT200200 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 100a 920 MV @ 100 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MUR30005CT GeneSiC Semiconductor MUR30005CT -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRF50045 GeneSiC Semiconductor MBRF50045 -
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 200a（DC） 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
1N3673A GeneSiC Semiconductor 1N3673A 4.2345
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3673 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1109 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBR60045CTL GeneSiC Semiconductor MBR60045CTL -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
MBR60045CT GeneSiC Semiconductor MBR60045CT 129.3585
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR60045CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRT10080AD GeneSiC Semiconductor MSRT10080AD 54.0272
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
1N1204AR GeneSiC Semiconductor 1N1204AR 4.2345
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1204AR 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1064 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBRF30040R GeneSiC Semiconductor MBRF30040R -
RFQ
 ECAD 6150 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3004 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 150a 700 MV @ 150 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
1N3890 GeneSiC Semiconductor 1N3890 6.7605
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3890 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3890GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
MSRT20060AD GeneSiC Semiconductor MSRT20060AD 80.4872
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 600 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR30030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30030CTRL -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRTA60060 GeneSiC Semiconductor MBRTA60060 -
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 300A 750 MV @ 300 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
150KR40A GeneSiC Semiconductor 150KR40A 35.5695
RFQ
 ECAD 5407 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.33 V @ 150 A 35 ma @ 400 V -40°C 200°C 150a -
GKN26/12 GeneSiC Semiconductor GKN26/12 -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.55 V @ 60 A 4 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 25a -
S380YR GeneSiC Semiconductor S380yr 67.0005
RFQ
 ECAD 6288 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S380 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S380元 Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.2 V @ 380 A 10 µA @ 1600 V -60°C〜180°C 380a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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