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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GD30MPS12H | 10.4700 | ![]() | 980 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD30MPS12H | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 1.8V@30A | 1200V时为20μA | -55℃~175℃ | 55A | 1101pF@1V、1MHz | ||||||||
![]() | GBPC2506T | 4.2000年 | ![]() | 923 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC2506 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 5μA@600V | 25A | 单相 | 600伏 | ||||||||||
![]() | MBRF20035R | - | ![]() | 1595 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 100A | 700毫伏@100安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRT40060 | 118.4160 | ![]() | 3228 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT40060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 200A | 800毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MSRT15080A | 38.5632 | ![]() | 6133 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 800V | 150A | 1.2V@150A | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | GBPC5001W | 4.0155 | ![]() | 7784 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC5001 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2V@25A | 100V时为5μA | 50A | 单相 | 100伏 | ||||||||||
![]() | 穆尔赫10010 | 49.5120 | ![]() | 9951 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔赫10010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | 100A | - | |||||||||
![]() | MBRT40040R | 118.4160 | ![]() | 8525 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT40040 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT40040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 200A | 750 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBRF20045R | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 100A | 700毫伏@100安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 1N1199AR | 4.2345 | ![]() | 2646 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1199AR | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1028 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | 1N1206AR | 4.2345 | ![]() | 6866 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1206AR | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1012 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | MURT40005R | - | ![]() | 3577 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT40005RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 50V | 200A | 1.3V@200A | 125纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBRT120200 | 75.1110 | ![]() | 9437 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | KBJ404G | 0.5160 | ![]() | 第1782章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBJ | KBJ404 | 标准 | KBJ | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBJ404GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1V@4A | 5μA@400V | 4A | 单相 | 400V | |||||||||
1N8032-GA | - | ![]() | 6268 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-257-3 | 1N8032 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-257 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.3V@2.5A | 0纳秒 | 5μA@650V | -55℃~250℃ | 2.5A | 274pF@1V、1MHz | |||||||||
![]() | MBR20030CT | 90.1380 | ![]() | 2000年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20030 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1008 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBRT12080 | 75.1110 | ![]() | 5417 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT12080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 60A | 880毫伏@60安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
S85QR | 11.8980 | ![]() | 4824 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S85Q | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1096 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 85A | - | |||||||||
![]() | FR6K05 | 5.0745 | ![]() | 4999 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6K05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 6A | - | ||||||||
![]() | MBRT40035RL | - | ![]() | 3676 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 200A | 600毫伏@200安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 默尔H7040 | 49.5120 | ![]() | 9358 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@70A | 90纳秒 | 400V时为25μA | -55℃~155℃ | 70A | - | |||||||||
GBPC3504T | 4.6200 | ![]() | 第467章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC-T | GBPC3504 | 标准 | GBPC-T | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 5μA@400V | 35A | 单相 | 400V | |||||||||||
![]() | KBPM310G | - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM310GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1V@3A | 5μA@50V | 3A | 单相 | 1kV | ||||||||||
![]() | MBRF400100 | - | ![]() | 3350 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 200A | 840 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | DB153G | 0.2325 | ![]() | 7910 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB153 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB153GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 5μA@200V | 1.5A | 单相 | 200V | |||||||||
![]() | 国标J25G | 0.9795 | ![]() | 6281 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J25 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ25G | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@12.5A | 400V时为10μA | 25A | 单相 | 400V | ||||||||||
![]() | GBJ30G | 1.1205 | ![]() | 5909 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J30 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ30G | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@15A | 5μA@400V | 30A | 单相 | 400V | ||||||||||
![]() | MSRTA20080AD | 85.9072 | ![]() | 6580 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA200 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 200A | 1.1V@200A | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | S300ER | 63.8625 | ![]() | 4379 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S300 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S300ERGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 300伏 | 1.2V@300A | 10μA@100V | -60℃~200℃ | 300A | - | ||||||||
![]() | MBR8040R | 1985年22月 | ![]() | 8534 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR8040 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR8040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 750毫伏@80安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | 80A | - |
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