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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRH20020L | - | ![]() | 4198 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 580 mv @ 200 ma | 3 ma @ 20 V | 200a | - | ||||||||||||
![]() | FST12020 | 70.4280 | ![]() | 9170 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FST12020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 120A(DC) | 650 MV @ 120 A | 2 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBRT60040 | 140.2020 | ![]() | 1945年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT60040GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | FR16M05 | 8.3160 | ![]() | 8389 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR16M05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.1 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||||||
![]() | MBRTA40040RL | - | ![]() | 7367 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 200a | 600 mV @ 200 A | 5 ma @ 40 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | KBP201 | 0.3750 | ![]() | 6938 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBP201GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 50 V | 2 a | 单相 | 50 V | ||||||||||
![]() | MBR50060CT | - | ![]() | 1405 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR50060CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 250a | 800 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | murt10005r | - | ![]() | 8967 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murt10005rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||
S85Q | 15.0400 | ![]() | 597 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1031 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||||
![]() | S40V | 6.9421 | ![]() | 3919 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S40VGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜160°C | 40a | - | |||||||||
![]() | FST7360M | - | ![]() | 4808 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 35a | 750 MV @ 35 A | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBR50040CTR | - | ![]() | 7408 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR50040CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | GE10MPS06E | 2.7700 | ![]() | 9292 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | (CT) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | GE10MPS06 | SIC (碳化硅) | TO-252-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | -55°C 〜175°C | 26a | 466pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | GKN71/08 | 12.3735 | ![]() | 6788 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | GKN71 | 标准 | do-5 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.5 V @ 60 A | 10 ma @ 800 V | -40°C〜180°C | 95a | - | |||||||||
![]() | MBR12030CTR | 68.8455 | ![]() | 9899 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR12030 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1052 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 120A(DC) | 650 mv @ 60 a | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
1N1190A | 10.3200 | ![]() | 102 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1190 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1043 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 40a | - | |||||||||
![]() | MUR30010CT | 118.4160 | ![]() | 3681 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR30010 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR30010CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 150a | 1.3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | FR6BR02 | 5.1225 | ![]() | 9494 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR6BR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.4 V @ 6 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - | ||||||||
![]() | 1N3766R | 6.2320 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3766R | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N3766RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - |
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