SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
MBRH20020L GeneSiC Semiconductor MBRH20020L -
RFQ
ECAD 4198 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 580 mv @ 200 ma 3 ma @ 20 V 200a -
FST12020 GeneSiC Semiconductor FST12020 70.4280
RFQ
ECAD 9170 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FST12020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 120A(DC) 650 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60040 GeneSiC Semiconductor MBRT60040 140.2020
RFQ
ECAD 1945年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT60040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR16M05 GeneSiC Semiconductor FR16M05 8.3160
RFQ
ECAD 8389 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR16M05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBRTA40040RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40040RL -
RFQ
ECAD 7367 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 40 V 200a 600 mV @ 200 A 5 ma @ 40 V -55°C〜150°C
KBP201 GeneSiC Semiconductor KBP201 0.3750
RFQ
ECAD 6938 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBP201GN Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V 2 a 单相 50 V
MBR50060CT GeneSiC Semiconductor MBR50060CT -
RFQ
ECAD 1405 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR50060CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 250a 800 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURT10005R GeneSiC Semiconductor murt10005r -
RFQ
ECAD 8967 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murt10005rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S85Q GeneSiC Semiconductor S85Q 15.0400
RFQ
ECAD 597 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1031 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
S40V GeneSiC Semiconductor S40V 6.9421
RFQ
ECAD 3919 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S40VGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C〜160°C 40a -
FST7360M GeneSiC Semiconductor FST7360M -
RFQ
ECAD 4808 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 35a 750 MV @ 35 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MBR50040CTR GeneSiC Semiconductor MBR50040CTR -
RFQ
ECAD 7408 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR50040CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E 2.7700
RFQ
ECAD 9292 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ (CT) 在sic中停产 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 GE10MPS06 SIC (碳化硅) TO-252-2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v -55°C 〜175°C 26a 466pf @ 1V,1MHz
GKN71/08 GeneSiC Semiconductor GKN71/08 12.3735
RFQ
ECAD 6788 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 GKN71 标准 do-5 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 800 V -40°C〜180°C 95a -
MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor MBR12030CTR 68.8455
RFQ
ECAD 9899 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1052 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 120A(DC) 650 mv @ 60 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N1190A GeneSiC Semiconductor 1N1190A 10.3200
RFQ
ECAD 102 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1190 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1043 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 40a -
MUR30010CT GeneSiC Semiconductor MUR30010CT 118.4160
RFQ
ECAD 3681 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR30010CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR6BR02 GeneSiC Semiconductor FR6BR02 5.1225
RFQ
ECAD 9494 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR6BR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
1N3766R GeneSiC Semiconductor 1N3766R 6.2320
RFQ
ECAD 4368 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3766R 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3766RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库