SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
1N3768 GeneSiC Semiconductor 1N3768 6.2320
RFQ
ECAD 6923 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3768 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1025 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor KBPC3510T 2.4750
RFQ
ECAD 6256 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC3510 标准 KBPC-T 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 a 单相 1 kV
KBPC5010W GeneSiC Semiconductor KBPC5010W 2.5875
RFQ
ECAD 3036 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,KBPC-W KBPC5010 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 1000 V 50 a 单相 1 kV
KBPC2510W GeneSiC Semiconductor KBPC2510W 2.2995
RFQ
ECAD 6108 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,KBPC-W KBPC2510 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
MUR7060R GeneSiC Semiconductor MUR7060R 17.7855
RFQ
ECAD 1102 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MUR7060 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7060RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MBRF600200R GeneSiC Semiconductor MBRF600200R -
RFQ
ECAD 1013 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
S70VR GeneSiC Semiconductor S70VR 10.1310
RFQ
ECAD 8410 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 S70V 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S70VRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 70a -
MBRT60030L GeneSiC Semiconductor MBRT60030L -
RFQ
ECAD 5731 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRF600150 GeneSiC Semiconductor MBRF600150 -
RFQ
ECAD 5956 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6k 0.4488
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU6 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu6kgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V 6 a 单相 800 v
MBRF400100 GeneSiC Semiconductor MBRF400100 -
RFQ
ECAD 3350 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 200a 840 mv @ 200 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MURF30010R GeneSiC Semiconductor Murf30010r -
RFQ
ECAD 3095 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 100 v 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
1N5830 GeneSiC Semiconductor 1N5830 14.0145
RFQ
ECAD 2616 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N5830 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N5830GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 25 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
1N4590R GeneSiC Semiconductor 1N4590R 35.5695
RFQ
ECAD 9089 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N4590R 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N4590RGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.5 V @ 150 A 9 ma @ 400 V -60°C 〜200°C 150a -
MBR2X050A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A120 43.6545
RFQ
ECAD 1366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 120 v 50a 880 mv @ 50 A 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
MBR50030CTR GeneSiC Semiconductor MBR50030CTR -
RFQ
ECAD 2432 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR50030CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR8060 GeneSiC Semiconductor MBR8060 21.1680
RFQ
ECAD 3813 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR8060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 750 MV @ 80 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 80a -
MUR2X060A12 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A12 46.9860
RFQ
ECAD 3031 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MUR2X060 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2独立 1200 v 60a 2.35 V @ 60 A 25 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBR30030CTR GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR 94.5030
RFQ
ECAD 6989 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR30030CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct 75.1110
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 Mur10040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) mur10040ctgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRF30080R GeneSiC Semiconductor MBRF30080R -
RFQ
ECAD 6743 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3008 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 80 V 150a 840 mv @ 150 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
MSRT150120D GeneSiC Semiconductor MSRT150120D 98.8155
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT150120D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1200 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
FST160200 GeneSiC Semiconductor FST160200 75.1110
RFQ
ECAD 3080 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 80a 920 MV @ 80 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor MSRTA20080D 142.3575
RFQ
ECAD 2531 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA200 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA20080D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 800 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
MBRH15040RL GeneSiC Semiconductor MBRH15040RL -
RFQ
ECAD 7961 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基,反极性 D-67 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 MV @ 150 A 5 ma @ 40 V 150a -
1N5830R GeneSiC Semiconductor 1N5830R 14.8695
RFQ
ECAD 5324 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N5830R 肖特基,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N5830RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 25 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
MBRT50045R GeneSiC Semiconductor MBRT50045R -
RFQ
ECAD 8302 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT50045RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRTA200140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200140AD 85.9072
RFQ
ECAD 3875 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1400 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1400 V -55°C〜150°C
MBR2X060A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A045 52.2000
RFQ
ECAD 1523年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1300 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 45 v 120a 700 mv @ 60 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库