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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N3768 | 6.2320 | ![]() | 6923 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3768 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1025 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - | ||||||||
KBPC3510T | 2.4750 | ![]() | 6256 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC3510 | 标准 | KBPC-T | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 1000 V | 35 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||
![]() | KBPC5010W | 2.5875 | ![]() | 3036 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC-W | KBPC5010 | 标准 | KBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA @ 1000 V | 50 a | 单相 | 1 kV | |||||||||
![]() | KBPC2510W | 2.2995 | ![]() | 6108 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC-W | KBPC2510 | 标准 | KBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | 25 a | 单相 | 1 kV | |||||||||
![]() | MUR7060R | 17.7855 | ![]() | 1102 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MUR7060 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7060RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||||
![]() | MBRF600200R | - | ![]() | 1013 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 300A | 920 MV @ 300 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | S70VR | 10.1310 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S70V | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S70VRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.1 V @ 70 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 70a | - | |||||||
![]() | MBRT60030L | - | ![]() | 5731 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 300A | 580 mv @ 300 A | 3 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MBRF600150 | - | ![]() | 5956 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | gbu6k | 0.4488 | ![]() | 5969 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu6kgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 800 V | 6 a | 单相 | 800 v | ||||||||
![]() | MBRF400100 | - | ![]() | 3350 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 200a | 840 mv @ 200 a | 1 mA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | Murf30010r | - | ![]() | 3095 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 150a | 1 V @ 150 A | 25 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MBR200150CT | 90.1380 | ![]() | 1041 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR200150 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 100a | 880 mv @ 100 a | 3 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | 1N5830 | 14.0145 | ![]() | 2616 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N5830 | 肖特基 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N5830GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 25 v | 580 mv @ 25 A | 2 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 25a | - | |||||||
![]() | 1N4590R | 35.5695 | ![]() | 9089 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N4590R | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N4590RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.5 V @ 150 A | 9 ma @ 400 V | -60°C 〜200°C | 150a | - | |||||||
![]() | MBR2X050A120 | 43.6545 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 120 v | 50a | 880 mv @ 50 A | 3 ma @ 120 V | -40°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBR50030CTR | - | ![]() | 2432 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR50030CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBR8060 | 21.1680 | ![]() | 3813 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR8060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 MV @ 80 A | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 80a | - | ||||||||
![]() | MUR2X060A12 | 46.9860 | ![]() | 3031 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 1200 v | 60a | 2.35 V @ 60 A | 25 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||
![]() | MBR30030CTR | 94.5030 | ![]() | 6989 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR30030 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR30030CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 150a | 650 MV @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | mur10040ct | 75.1110 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | Mur10040 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | mur10040ctgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRF30080R | - | ![]() | 6743 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | MBRF3008 | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 80 V | 150a | 840 mv @ 150 A | 1 mA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MSRT150120D | 98.8155 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT150 | 标准 | 三个塔 | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRT150120D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 150a | 1.1 V @ 150 A | 10 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | FST160200 | 75.1110 | ![]() | 3080 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 80a | 920 MV @ 80 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MSRTA20080D | 142.3575 | ![]() | 2531 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | MSRTA200 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRTA20080D | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 200a | 1.1 V @ 200 A | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRH15040RL | - | ![]() | 7961 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基,反极性 | D-67 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 600 MV @ 150 A | 5 ma @ 40 V | 150a | - | |||||||||||
![]() | 1N5830R | 14.8695 | ![]() | 5324 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N5830R | 肖特基,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N5830RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 25 v | 580 mv @ 25 A | 2 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 25a | - | |||||||
![]() | MBRT50045R | - | ![]() | 8302 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT50045RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 45 v | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MSRTA200140AD | 85.9072 | ![]() | 3875 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA200 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 200a | 1.1 V @ 200 A | 10 µA @ 1400 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBR2X060A045 | 52.2000 | ![]() | 1523年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1300 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 120a | 700 mv @ 60 a | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C |
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