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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRH20035RL | - | ![]() | 8217 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基,反极性 | D-67 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 600 mV @ 200 A | 3 ma @ 200 V | 200a | - | |||||||||
![]() | MBR40060CT | 98.8155 | ![]() | 8701 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR40060 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR40060CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 200a | 800 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBRF50020R | - | ![]() | 2304 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRTA80040R | - | ![]() | 6035 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 400a | 720 MV @ 400 A | 1 mA @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRT20040R | 98.8155 | ![]() | 4826 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT20040 | 肖特基,反极性 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1082 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 100a | 750 mv @ 100 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | Murf10010r | - | ![]() | 2428 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | murf10010rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | GC05MPS12-220 | 4.2323 | ![]() | 2971 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1325 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 4 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 29a | 359pf @ 1V,1MHz | |||||
FR85GR02 | 24.1260 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1010 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 85a | - | ||||||
![]() | GE2X8MPS06D | 5.1900 | ![]() | 58 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | GE2X8 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GE2X8MPS06D | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 19a(dc) | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | MBRT60030 | 140.2020 | ![]() | 2184 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT60030GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRTA60045R | - | ![]() | 2356 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 45 v | 300A | 700 MV @ 300 A | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | GB02SLT12-214 | 3.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | GB02SLT12 | SIC (碳化硅) | do-214aa | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 1 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 2a | 131pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | FR12M05 | 6.9975 | ![]() | 5296 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 800 mv @ 12 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||||||
![]() | MBRH120150 | 60.0375 | ![]() | 3320 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 880 mv @ 120 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | 120a | - | |||||||
![]() | MBRT50040 | - | ![]() | 2727 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT50040GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | Murta500120r | 174.1546 | ![]() | 6602 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta500120 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 1200 v | 250a | 2.6 V @ 250 A | 25 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRF50040R | - | ![]() | 6333 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 mA @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | 1N3767R | 6.2320 | ![]() | 5351 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3767R | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N3767RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 900 v | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - | |||||
![]() | S85KR | 11.8980 | ![]() | 9142 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S85K | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S85krgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 85a | - | |||||
![]() | MBR2X050A045 | 43.6545 | ![]() | 9844 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 50a | 700 MV @ 50 A | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRF20060 | - | ![]() | 2192 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 100a | 750 mv @ 100 a | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MSRTA400100A | 60.2552 | ![]() | 5122 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA400100 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1000 v | 400A(DC) | 1.2 V @ 400 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR20045CT | 90.1380 | ![]() | 2192 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR20045 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR20045CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 200a(DC) | 650 MV @ 100 A | 5 ma @ 20 V | ||||||
![]() | MBR400150CT | 98.8155 | ![]() | 4200 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR400150 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 200a | 880 mv @ 200 a | 3 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | Murh10005 | - | ![]() | 5648 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murh10005gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | 100a | - | ||||||
![]() | MBRTA80020 | - | ![]() | 9843 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 400a | 720 MV @ 400 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | 1N3893R | 9.3600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3893R | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.4 V @ 12 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||
![]() | GB10SLT12-247D | - | ![]() | 6041 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247 | - | (1 (无限) | 1242-1315 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 12a | 1.9 V @ 5 A | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||
![]() | MBRF30060R | - | ![]() | 2029 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | MBRF3006 | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 60 V | 150a | 750 MV @ 150 A | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | FR12BR05 | 6.8085 | ![]() | 7327 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR12BR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 800 mv @ 12 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 12a | - |
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