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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MURT20020R | 104.4930 | ![]() | 8451 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MURT20020 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT20020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||
![]() | MSRTA500140A | 101.4000 | ![]() | 9378 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA500140 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1400伏 | 500A(直流) | 1.2V@500A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||
![]() | 穆尔20020CT | 101.6625 | ![]() | 4523 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯20020 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR20020CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||
![]() | MBRH24060 | 76.4925 | ![]() | 1741 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 780 毫伏 @ 240 安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | 240A | - | ||||||
![]() | 穆尔20040CTR | 101.6625 | ![]() | 3149 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯20040 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR20040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 100A | 1.3V@50A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||
![]() | MBRF40045 | - | ![]() | 4616 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 200A | 700毫伏@200安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBR6020 | 20.2695 | ![]() | 4290 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR6020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 650 毫伏 @ 60 安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | |||||
S85Q | 15.0400 | ![]() | 第597章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1031 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 85A | - | ||||||
![]() | MBRTA60080R | - | ![]() | 7588 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 300A | 840毫伏@300安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBR2X100A060 | 50.2485 | ![]() | 3572 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 60V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@60伏 | -40℃~150℃ | |||||
![]() | MBRF40020R | - | ![]() | 8881 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 200A | 700毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | 1N3893R | 9.3600 | ![]() | 27号 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3893R | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@12A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||
![]() | MBRH15020L | - | ![]() | 2417 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 580毫伏@150安 | 3毫安@20伏 | 150A | - | ||||||||
![]() | MBRF20060R | - | ![]() | 3022 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MURT20020 | 104.4930 | ![]() | 4592 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT20020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
![]() | FST6345M | - | ![]() | 8594 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 30A | 700 毫伏 @ 30 安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | FR12JR05 | 6.8085 | ![]() | 8043 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR12JR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 800毫伏@12安 | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||
![]() | 1N3289AR | 33.5805 | ![]() | 1862年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3289AR | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3289ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.5V@100A | 24毫安@200伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | ||||
![]() | MBRT50060 | - | ![]() | 6236 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 250A | 800毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||
![]() | S320M | 63.8625 | ![]() | 2277 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S320 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S320MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.2V@300A | 600V时为10μA | -60℃~180℃ | 320A | - | ||||
FR40KR05 | 17.1300 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1V@40A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | ||||||
![]() | FR12B05 | 6.7605 | ![]() | 5646 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR12B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 800毫伏@12安 | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||
![]() | MBR2X060A100 | 46.9860 | ![]() | 5960 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 100V | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@100伏 | -40℃~150℃ | |||||
![]() | 穆尔夫20010 | - | ![]() | 7594 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫20010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||
![]() | MBR2X120A060 | 51.8535 | ![]() | 3104 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 60V | 120A | 750毫伏@120安 | 1毫安@60伏 | -40℃~150℃ | |||||
![]() | MUR2X120A06 | 50.2485 | ![]() | 7993 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2 独立 | 600伏 | 120A | 1.3V@120A | 600V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||
![]() | MBRT40035R | 118.4160 | ![]() | 4022 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT40035 | 肖特基,反 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1100 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 200A | 750 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||
![]() | FR30MR05 | 10.5930 | ![]() | 7891 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30MR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1V@30A | 500纳秒 | 800V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | ||||
![]() | GKR240/18 | 73.7988 | ![]() | 1600 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | GKR240 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1800伏 | 1.5V@60A | 22毫安@1800伏 | -55℃~150℃ | 165A | - | |||||
![]() | 穆尔塔60020R | 188.1435 | ![]() | 2119 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔60020 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔60020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 300A | 1.3V@300A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ |
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