SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
MURT10060R GeneSiC Semiconductor murt10060r 93.0525
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt10060 标准，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10060rgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 50a 1.7 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT12045 GeneSiC Semiconductor MBRT12045 75.1110
RFQ
 ECAD 8752 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12045GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT40060R GeneSiC Semiconductor MBRT40060R 118.4160
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40060 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT40060RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 200a 800 mv @ 200 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURH10040R GeneSiC Semiconductor Murh10040r 49.5120
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh10040 标准，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murh10040RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V 100a -
GKN26/08 GeneSiC Semiconductor GKN26/08 -
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.55 V @ 60 A 4 ma @ 800 V -40°C〜180°C 25a -
MURF20060R GeneSiC Semiconductor Murf20060R -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） Murf20060RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 100a 1.7 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S40JR GeneSiC Semiconductor S40JR 6.3770
RFQ
 ECAD 6074 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S40J 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40JRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220 5.3610
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 GC15MPS12 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1335 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 15 A 0 ns 14 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 82a 1089pf @ 1V，1MHz
MUR2505R GeneSiC Semiconductor MUR2505R 10.1910
RFQ
 ECAD 1004 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MUR2505 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR2505RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
MBRT40045R GeneSiC Semiconductor MBRT40045R 118.4160
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40045 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1001 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT120100R GeneSiC Semiconductor MBRT120100R 75.1110
RFQ
 ECAD 6865 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT120100 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT120100RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N3208 GeneSiC Semiconductor 1N3208 7.0650
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3208 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3208GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 50 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBR50060CT GeneSiC Semiconductor MBR50060CT -
RFQ
 ECAD 1405 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR50060CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 250a 800 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT20045R GeneSiC Semiconductor MBRT20045R 98.8155
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20045 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20045RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRH12060 GeneSiC Semiconductor MBRH12060 60.0375
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12060GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 750 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
FR6DR05 GeneSiC Semiconductor FR6DR05 8.5020
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6DR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
GKR130/16 GeneSiC Semiconductor GKR130/16 35.6397
RFQ
 ECAD 4222 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 165a -
MBRH120200R GeneSiC Semiconductor MBRH120200R 60.0375
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH120200 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 120 A 1 mA @ 200 V 120a -
MURF20005R GeneSiC Semiconductor Murf20005r -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Murf20005RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT60040L GeneSiC Semiconductor MBRT60040L -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 40 V -55°C〜150°C
MBRT600200R GeneSiC Semiconductor MBRT600200R 140.2020
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT600200 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
S25QR GeneSiC Semiconductor S25QR 5.2485
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25Q 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25QRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBRTA500100R GeneSiC Semiconductor MBRTA500100R -
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 250a 840 mv @ 250 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRT300100 GeneSiC Semiconductor MBRT300100 107.3070
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT300100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 150a 880 mv @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S40K GeneSiC Semiconductor S40K 6.3770
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40KGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
S16MR GeneSiC Semiconductor S16MR 4.5900
RFQ
 ECAD 5544 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 16m 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S16MRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60030CTRL -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRT60040 GeneSiC Semiconductor MBRT60040 140.2020
RFQ
 ECAD 1945年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46 48.4900
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 GB02SHT03 SIC （碳化硅） TO-46 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1255 Ear99 8541.10.0080 200 没有恢复t> 500mA（IO） 300 v 1.6 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 300 V -55°C〜225°C 4a 76pf @ 1V，1MHz
MBRTA600100R GeneSiC Semiconductor MBRTA600100R -
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 300A 840 mv @ 300 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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