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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRTA80040R | - | ![]() | 6035 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 400A | 720 毫伏 @ 400 安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRTA50045R | - | ![]() | 7024 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 250A | 700毫伏@250安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | S25Q | 5.2485 | ![]() | 1118 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25QGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | |||||||||
![]() | GE10MPS06E | 2.7700 | ![]() | 9292 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 切带 (CT) | SIC停产 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | GE10MPS06 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | -55℃~175℃ | 26A | 466pF @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | FR6G02 | 4.9020 | ![]() | 2412 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 6A | - | ||||||||
![]() | FR12MR05 | 7.0500 | ![]() | 1218 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR12MR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.4V@12A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | GC05MPS33J | 23.9900 | ![]() | 5673 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-7 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GC05MPS33J | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 3300伏 | 0纳秒 | 175℃ | 5A | - | |||||||||
![]() | MBR2X100A080 | 50.2485 | ![]() | 5385 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 80V | 100A | 840 毫伏 @ 100 安 | 1毫安@80伏 | -40℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBR40020CTL | - | ![]() | 第1361章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 200A | 580毫伏@200安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FST12030 | 70.4280 | ![]() | 4774 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST12030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | FST6335M | - | ![]() | 1926年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 30A | 700 毫伏 @ 30 安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | GB10SLT12-220 | - | ![]() | 1093 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | GB10SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为40μA | -55℃~175℃ | 10A | 520pF@1V、1MHz | |||||||||
![]() | GBPC15005T | 2.4180 | ![]() | 7711 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC15005 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 5μA@50V | 15A | 单相 | 50V | ||||||||||
![]() | MBR30040CTL | - | ![]() | 4948 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 150A | 600毫伏@150安 | 3毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRF60040 | - | ![]() | 6189 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 300A(直流) | 650毫伏@300安 | 10毫安@20伏 | -40℃~175℃ | |||||||||||
![]() | MSRT10080D | 87.1935 | ![]() | 8568 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 微软RT100 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRT10080D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 100A | 1.1V@100A | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | FR16M05 | 8.3160 | ![]() | 8389 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16M05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.1V@16A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||
![]() | 1N3879R | 7.3900 | ![]() | 860 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3879R | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1071 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为15μA | -65℃~150℃ | 6A | - | |||||||
![]() | FR40DR05 | 13.8360 | ![]() | 9779 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40DR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@40A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | ||||||||
![]() | MSRTA20060AD | 85.9072 | ![]() | 5387 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA200 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 600伏 | 200A | 1.1V@200A | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRT30040L | - | ![]() | 8883 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 150A | 600毫伏@150安 | 3毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
MBR8045R | 25.9300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR8045 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 650毫伏@80安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | ||||||||||
![]() | FR30JR02 | 10.5930 | ![]() | 第2177章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@30A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | ||||||||
S85VR | 15.2800 | ![]() | 第597章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S85V | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~150℃ | 85A | - | ||||||||||
![]() | MBR50020CT | - | ![]() | 8057 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR50020CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | 1N3297AR | 33.8130 | ![]() | 9298 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3297AR | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3297ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@100A | 7毫安@1400伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | ||||||||
![]() | MBRT30040RL | - | ![]() | 9587 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 150A | 600毫伏@150安 | 3毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBR7560 | 20.8845 | ![]() | 2015年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7560GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@75安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | 75A | - | |||||||||
![]() | MSRTA300160D | 159.9075 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA300 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA300160D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1600伏 | 300A | 1.1V@300A | 1600V时为20μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRT300150 | 107.3070 | ![]() | 9951 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 150A | 880毫伏@150安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ |
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