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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
MBRTA80040R GeneSiC Semiconductor MBRTA80040R -
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ECAD 6035 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 400A 720 毫伏 @ 400 安 1毫安@40伏 -55℃~150℃
MBRTA50045R GeneSiC Semiconductor MBRTA50045R -
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ECAD 7024 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 45V 250A 700毫伏@250安 1毫安@45伏 -55℃~150℃
S25Q GeneSiC Semiconductor S25Q 5.2485
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ECAD 1118 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S25QGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@25A 50V时为10μA -65℃~175℃ 25A -
GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E 2.7700
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ECAD 9292 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 切带 (CT) SIC停产 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 GE10MPS06 SiC(碳化硅)肖特基 TO-252-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 -55℃~175℃ 26A 466pF @ 1V、1MHz
FR6G02 GeneSiC Semiconductor FR6G02 4.9020
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ECAD 2412 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR6G02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.4V@6A 200纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 6A -
FR12MR05 GeneSiC Semiconductor FR12MR05 7.0500
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ECAD 1218 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR12MR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 1.4V@12A 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J 23.9900
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ECAD 5673 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA SiC(碳化硅)肖特基 TO-263-7 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-GC05MPS33J EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 3300伏 0纳秒 175℃ 5A -
MBR2X100A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A080 50.2485
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ECAD 5385 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 80V 100A 840 毫伏 @ 100 安 1毫安@80伏 -40℃~150℃
MBR40020CTL GeneSiC Semiconductor MBR40020CTL -
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ECAD 第1361章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 200A 580毫伏@200安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
FST12030 GeneSiC Semiconductor FST12030 70.4280
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ECAD 4774 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST12030GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 30V 120A(直流) 650毫伏@120安 2毫安@20伏 -55℃~150℃
FST6335M GeneSiC Semiconductor FST6335M -
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ECAD 1926年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 肖特基 D61-3M - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 30A 700 毫伏 @ 30 安 1毫安@35伏 -55℃~150℃
GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220 -
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ECAD 1093 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 通孔 TO-220-2 GB10SLT12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@10A 0纳秒 1200V时为40μA -55℃~175℃ 10A 520pF@1V、1MHz
GBPC15005T GeneSiC Semiconductor GBPC15005T 2.4180
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ECAD 7711 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,GBPC GBPC15005 标准 GBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@7.5A 5μA@50V 15A 单相 50V
MBR30040CTL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTL -
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ECAD 4948 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 150A 600毫伏@150安 3毫安@40伏 -55℃~150℃
MBRF60040 GeneSiC Semiconductor MBRF60040 -
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ECAD 6189 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 300A(直流) 650毫伏@300安 10毫安@20伏 -40℃~175℃
MSRT10080D GeneSiC Semiconductor MSRT10080D 87.1935
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ECAD 8568 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 微软RT100 标准 三塔 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRT10080D EAR99 8541.10.0080 40 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 800V 100A 1.1V@100A 800V时为10μA -55℃~150℃
FR16M05 GeneSiC Semiconductor FR16M05 8.3160
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ECAD 8389 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16M05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 1.1V@16A 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
1N3879R GeneSiC Semiconductor 1N3879R 7.3900
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ECAD 860 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3879R 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1071 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1.4V@6A 200纳秒 50V时为15μA -65℃~150℃ 6A -
FR40DR05 GeneSiC Semiconductor FR40DR05 13.8360
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ECAD 9779 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR40DR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@40A 500纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 40A -
MSRTA20060AD GeneSiC Semiconductor MSRTA20060AD 85.9072
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ECAD 5387 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA200 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 600伏 200A 1.1V@200A 600V时为10μA -55℃~150℃
MBRT30040L GeneSiC Semiconductor MBRT30040L -
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ECAD 8883 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 150A 600毫伏@150安 3毫安@40伏 -55℃~150℃
MBR8045R GeneSiC Semiconductor MBR8045R 25.9300
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ECAD 30 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR8045 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 45V 650毫伏@80安 1毫安@45伏 -55℃~150℃ 80A -
FR30JR02 GeneSiC Semiconductor FR30JR02 10.5930
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ECAD 第2177章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR30JR02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1V@30A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 30A -
S85VR GeneSiC Semiconductor S85VR 15.2800
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ECAD 第597章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 S85V 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1400伏 1.1V@85A 10μA@100V -65℃~150℃ 85A -
MBR50020CT GeneSiC Semiconductor MBR50020CT -
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ECAD 8057 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR50020CTGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
1N3297AR GeneSiC Semiconductor 1N3297AR 33.8130
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ECAD 9298 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3297AR 标准,反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3297ARGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1400伏 1.5V@100A 7毫安@1400伏 -40℃~200℃ 100A -
MBRT30040RL GeneSiC Semiconductor MBRT30040RL -
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ECAD 9587 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 150A 600毫伏@150安 3毫安@40伏 -55℃~150℃
MBR7560 GeneSiC Semiconductor MBR7560 20.8845
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ECAD 2015年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR7560GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 750毫伏@75安 1毫安@60伏 -55℃~150℃ 75A -
MSRTA300160D GeneSiC Semiconductor MSRTA300160D 159.9075
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ECAD 7548 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 模块 MSRTA300 标准 - 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRTA300160D EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 1600伏 300A 1.1V@300A 1600V时为20μA -55℃~150℃
MBRT300150 GeneSiC Semiconductor MBRT300150 107.3070
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ECAD 9951 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 150A 880毫伏@150安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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