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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR600200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
MBRT30040L GeneSiC Semiconductor MBRT30040L -
RFQ
 ECAD 8883 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 150a 600 MV @ 150 A 3 ma @ 40 V -55°C〜150°C
MBRH120100 GeneSiC Semiconductor MBRH120100 60.0375
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH120100GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 mv @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
FR85GR05 GeneSiC Semiconductor FR85GR05 24.1260
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85GR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MURT30060R GeneSiC Semiconductor murt30060r 118.4160
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt30060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt30060RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 200 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
SD51R GeneSiC Semiconductor SD51R 20.2170
RFQ
 ECAD 3373 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 SD51 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SD51RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 660 mv @ 60 a 5 ma @ 45 V -65°C〜150°C 60a -
MSRTA60060A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060A 109.2000
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA60060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 600A（DC） 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MURT40020R GeneSiC Semiconductor murt40020r 132.0780
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt40020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt40020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT30030L GeneSiC Semiconductor MBRT30030L -
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor MSRTA6001R 109.2000
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA6001 - 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） MSRTA6001RGN Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） - 1600 v 600A（DC） -55°C〜150°C
MUR40010CT GeneSiC Semiconductor MUR40010CT 132.0780
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR40010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40010CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V
S12KR GeneSiC Semiconductor S12KR 4.2345
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S12K 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s12krgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
MBR20060CTR GeneSiC Semiconductor MBR20060CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20060 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 200a（DC） 750 mv @ 100 a 5 ma @ 20 V
MBR500200CT GeneSiC Semiconductor MBR500200CT -
RFQ
 ECAD 2566 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 250a 920 MV @ 250 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
MBR30045CT GeneSiC Semiconductor MBR30045CT 94.5030
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30045CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURTA20040R GeneSiC Semiconductor Murta20040r 145.3229
RFQ
 ECAD 4975 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta20040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 400 v 100a 1.3 V @ 100 A 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60030CTRL -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBR40040CTL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTL -
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 40 V -55°C〜150°C
MURH10005 GeneSiC Semiconductor Murh10005 -
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murh10005gn Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MBR40030CTL GeneSiC Semiconductor MBR40030CTL -
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRH12030R GeneSiC Semiconductor MBRH12030R 60.0375
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH12030 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12030RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 650 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
S25BR GeneSiC Semiconductor S25BR 5.2485
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25B 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25BRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBRT40045 GeneSiC Semiconductor MBRT40045 121.6500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1059 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
150KR100A GeneSiC Semiconductor 150KR100A 35.5695
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 150kr100agn Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.33 V @ 150 A 24 mA @ 1000 V -40°C 200°C 150a -
MBRF20080 GeneSiC Semiconductor MBRF20080 -
RFQ
 ECAD 4037 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 100a 840 mv @ 100 a 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
MURF30060 GeneSiC Semiconductor Murf30060 -
RFQ
 ECAD 2191 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 13.3500
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GC50MPS06 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1346 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 0 ns 175°c （最大） 50a -
MBRTA50020 GeneSiC Semiconductor MBRTA50020 -
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA600100 GeneSiC Semiconductor MBRTA600100 -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 300A 840 mv @ 300 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRF400150R GeneSiC Semiconductor MBRF400150R -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 200a 880 mv @ 200 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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