死亡(2089)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）
GC08MPS12-220	-	询价	2459	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	过时的		通孔	TO-220-2	GC08MPS12	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-1328	EAR99	8541.10.0080	8,000	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.8V@8A	0纳秒	1200V时为7μA	-55℃～175℃	43A	545pF@1V、1MHz
MBR120200CTR	-	询价	6534	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	200V	60A	920 毫伏 @ 60 安		1毫安@200伏	-55℃～150℃
MBRTA600100	-	询价	5305	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100V	300A	840毫伏@300安		1毫安@100伏	-55℃～150℃
MBRTA80030L	-	询价	4493	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	30V	400A	580毫伏@400安		3毫安@30伏	-40℃～100℃
MBRT60060	140.2020	询价	9162	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRT60060GN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	60V	300A	800毫伏@300安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
GBPC3506T	2.8650	询价	1002	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	质检终端	4方，GBPC	GBPC3506	标准	GBPC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50					1.1V@17.5A		5μA@600V		35A		单相	600伏
MBRH20045RL	-	询价	1586	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D-67		肖特基，反	D-67	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		45V		600毫伏@200安		5毫安@45伏	-55℃～150℃	200A	-
MBRT60040R	140.2020	询价	8187	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT60040	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRT60040RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	40V	300A	750毫伏@300安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR20020CTR	90.1380	询价	9966	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR20020	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR20020CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	20V	200A（直流）	650毫伏@100安		5毫安@20伏
MBRF20060	-	询价	2192	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	60V	100A	750毫伏@100安		1毫安@60伏	-55℃～150℃
MURT30040R	98.7424	询价	9128	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MURT30040	标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MURT30040RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	400V	150A	1.35V@150A	150纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
W04M	-	询价	2526	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-65°C ~ 125°C（太焦）	通孔	4-循环，口碑		标准	口碑营销	下载		1（无限制）		W04MGN	EAR99	8541.10.0080	1,000					1V@1A		400V时为10μA		1.5A		单相	400V
MURT40020R	132.0780	询价	4671	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MURT40020	标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MURT40020RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	200V	200A	1.3V@200A	125纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
KBL402G	0.5385	询价	6988	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP、KBL	KBL402	标准	韩国广播公司	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		KBL402GGN	EAR99	8541.10.0080	500					1.1V@4A		100V时为5μA		4A		单相	100V
FR85BR05	24.1260	询价	6838	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR85BR05GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		100V		1.4V@85A	500纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	85A	-
GBPC15005T	2.4180	询价	7711	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	质检终端	4方，GBPC	GBPC15005	标准	GBPC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50					1.1V@7.5A		5μA@50V		15A		单相	50V
MBR2X060A120	46.9860	询价	3440	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	MBR2X060	肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	52	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	120V	60A	880毫伏@60安		3毫安@120伏	-40℃～150℃
MBR2X100A080	50.2485	询价	5385	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	MBR2X100	肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	52	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	80V	100A	840 毫伏 @ 100 安		1毫安@80伏	-40℃～150℃
GC05MPS33J	23.9900	询价	5673	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	的积极		表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA		SiC（碳化硅）肖特基	TO-263-7	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-GC05MPS33J	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		3300伏			0纳秒		175℃	5A	-
FST6335M	-	询价	1926年	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D61-3M		肖特基	D61-3M	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	35V	30A	700 毫伏 @ 30 安		1毫安@35伏	-55℃～150℃
MSRT10080D	87.1935	询价	8568	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	微软RT100	标准	三塔	下载	符合ROHS3标准			1242-MSRT10080D	EAR99	8541.10.0080	40	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对中央	800V	100A	1.1V@100A		800V时为10μA	-55℃～150℃
FR16M05	8.3160	询价	8389	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR16M05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		1000伏		1.1V@16A	500纳秒	100V时为25μA	-65℃～150℃	16A	-
FR30JR02	10.5930	询价	第2177章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR30JR02GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1V@30A	200纳秒	50V时为25μA	-40℃～125℃	30A	-
MSRT250100A	54.2296	询价	8363	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRT250100	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对共轴线	1000伏	250A（直流）	1.2V@250A		600V时为15μA	-55℃～150℃
MBR30040CTL	-	询价	4948	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	40V	150A	600毫伏@150安		3毫安@40伏	-55℃～150℃
FR85B05	23.1210	询价	5846	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR85B05GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		100V		1.4V@85A	500纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	85A	-
1N3879R	7.3900	询价	860	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	1N3879R	标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1071	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		50V		1.4V@6A	200纳秒	50V时为15μA	-65℃～150℃	6A	-
MBRTA60030	-	询价	6638	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	30V	300A	700 毫伏 @ 300 安		1毫安@30伏	-55℃～150℃
1N3295AR	33.5805	询价	5665	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AA、DO-8、螺柱	1N3295AR	标准，反脊柱	DO-205AA (DO-8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N3295ARGN	EAR99	8541.10.0080	10	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		1000伏		1.5V@100A		11毫安@1000伏	-40℃～200℃	100A	-
MURT40010R	132.0780	询价	2813	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MURT40010	标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MURT40010RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	100V	200A	1.3V@200A	125纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

死亡(2089)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²