SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
GKR26/04 GeneSiC Semiconductor GKR26/04 -
RFQ
 ECAD 5627 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.55 V @ 60 A 4 ma @ 400 V -40°C〜180°C 25a -
MBRTA60030 GeneSiC Semiconductor MBRTA60030 -
RFQ
 ECAD 6638 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 300A 700 MV @ 300 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor MUR20060CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 100a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30020r 118.4160
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt30020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt30020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1N1184AR 6.3770
RFQ
 ECAD 4538 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1184AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N1184ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 40a -
MBRH120200R GeneSiC Semiconductor MBRH120200R 60.0375
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH120200 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 120 A 1 mA @ 200 V 120a -
FST8360M GeneSiC Semiconductor FST8360M -
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 （1 （无限） FST8360MGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 80A（DC） 750 MV @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S40JR GeneSiC Semiconductor S40JR 6.3770
RFQ
 ECAD 6074 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S40J 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40JRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
MBRT12020 GeneSiC Semiconductor MBRT12020 75.1110
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA50020 GeneSiC Semiconductor MBRTA50020 -
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor MBR400100CTR 102.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400100 肖特基，反极性 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1106 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA60020R GeneSiC Semiconductor MBRTA60020R -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GBPC2501T GeneSiC Semiconductor GBPC2501T 2.5335
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC2501 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
FR30B02 GeneSiC Semiconductor FR30B02 10.4070
RFQ
 ECAD 1814年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30B02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 -
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 GC50MPS12 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1340 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 50 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 212a 3263pf @ 1V，1MHz
MBRF20080 GeneSiC Semiconductor MBRF20080 -
RFQ
 ECAD 4037 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 100a 840 mv @ 100 a 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
FR20J02 GeneSiC Semiconductor FR20J02 9.0510
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR20J02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 20 A 250 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
MURT20020 GeneSiC Semiconductor Murt20020 104.4930
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt20020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT40045 GeneSiC Semiconductor MBRT40045 121.6500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1059 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 -
RFQ
 ECAD 6547 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GB02SLT12 SIC （碳化硅） TO-252 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 131pf @ 1V，1MHz
MURT10020 GeneSiC Semiconductor Murt10020 -
RFQ
 ECAD 9709 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10020gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRH200150 GeneSiC Semiconductor MBRH200150 70.0545
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 880 mv @ 200 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C 200a -
MURF30060 GeneSiC Semiconductor Murf30060 -
RFQ
 ECAD 2191 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
FR16D02 GeneSiC Semiconductor FR16D02 8.1330
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16D02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 900 mv @ 16 A 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBR2X080A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A180 48.6255
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 180 v 80a 920 MV @ 80 A 3 ma @ 180 V -40°C〜150°C
MBR3530 GeneSiC Semiconductor MBR3530 14.3280
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3530GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MBRT60020 GeneSiC Semiconductor MBRT60020 140.2020
RFQ
 ECAD 8188 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA60080 GeneSiC Semiconductor MBRTA60080 -
RFQ
 ECAD 3258 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 300A 840 mv @ 300 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
MURTA40020 GeneSiC Semiconductor Murta40020 159.9075
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 200 v 200a 1.3 V @ 200 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46 48.4900
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 GB02SHT03 SIC （碳化硅） TO-46 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1255 Ear99 8541.10.0080 200 没有恢复t> 500mA（IO） 300 v 1.6 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 300 V -55°C〜225°C 4a 76pf @ 1V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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