死亡(2089)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）
S85KR	11.8980	询价	9142	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	S85K	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S85KRGN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		800V		1.1V@85A		10μA@100V	-65℃～180℃	85A	-
MBR20020CT	90.1380	询价	8286	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR20020	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR20020CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	20V	200A（直流）	650毫伏@100安		5毫安@20伏
MBR200200CT	90.1380	询价	4613	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR200200	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	200V	100A	920毫伏@100安		3毫安@200伏	-55℃～150℃
MBR20045CT	90.1380	询价	2192	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR20045	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR20045CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	45V	200A（直流）	650毫伏@100安		5毫安@20伏
穆尔夫40010	-	询价	6036	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100V	200A	1V@200A	150纳秒	100V时为25μA	-55℃～150℃
MBRH12060	60.0375	询价	2959	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67		肖特基	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRH12060GN	EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		60V		750毫伏@120安		4毫安@20伏		120A	-
MBRF30045R	-	询价	7219	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB	MBRF3004	肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	45V	150A	700毫伏@150安		1毫安@45伏	-55℃～150℃
MSRTA6001R	109.2000	询价	6261	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	3-SMD模块	MSRTA6001	-	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）		MSRTA6001RGN	EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	-	1600伏	600A（直流）				-55℃～150℃
FR85K05	23.1210	询价	5638	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR85K05GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		800V		1.4V@85A	500纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	85A	-
1N3767	6.2320	询价	3763	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N3767	标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N3767GN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		900伏		1.2V@35A		50V时为10μA	-65℃～190℃	35A	-
S150KR	35.5695	询价	9943	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AA、DO-8、螺柱	S150	标准，反脊柱	DO-205AA (DO-8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S150KRGN	EAR99	8541.10.0080	10	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		800V		1.2V@150A		600V时为10μA	-65℃～200℃	150A	-
FR6BR05	8.5020	询价	7401	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR6BR05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		100V		1.4V@6A	500纳秒	50V时为25μA	-65℃～150℃	16A	-
MBR2X060A060	46.9860	询价	3411	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	MBR2X060	肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	52	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	60V	60A	750毫伏@60安		1毫安@60伏	-40℃～150℃
GB02SLT12-214	3.2000年	询价	3	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	DO-214AA、SMB	GB02SLT12	SiC（碳化硅）肖特基	DO-214AA	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.8V@1A	0纳秒	1200V时为50μA	-55℃～175℃	2A	131pF@1V、1MHz
MBRH200200R	70.0545	询价	3613	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67	MBRH200200	肖特基，反	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		200V		920毫伏@200安		1毫安@200伏	-55℃～150℃	200A	-
MBRH12080R	60.0375	询价	1217	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67	MBRH12080	肖特基，反	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRH12080RGN	EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		80V		840毫伏@120安		4毫安@20伏		120A	-
穆尔20020CTR	101.6625	询价	6212	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	毛里求斯20020	标准	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MUR20020CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	200V	100A	1.3V@100A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
穆尔夫30005	-	询价	5572	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对共轴线	50V	150A	1V@150A		50V时为25μA	-55℃～150℃
1N3671AR	4.2345	询价	3922	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	1N3671AR	标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1036	EAR99	8541.10.0080	250	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		800V		1.1V@12A		50V时为10μA	-65℃～200℃	12A	-
MBR500100CTR	-	询价	2210	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基，反	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR500100CTRGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	100V	250A	880毫伏@250安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBRTA600200R	-	询价	7016	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	200V	300A	920毫伏@300安		4毫安@200伏	-55℃～150℃
1N1190R	6.2320	询价	8920	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N1190R	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1030	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		600伏		1.2V@35A		50V时为10μA	-65℃～190℃	35A	-
MURT30005	-	询价	5053	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MURT30005GN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	50V	150A	1.3V@150A	100纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
FR85J05	23.1210	询价	7253	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR85J05GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.4V@85A	500纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	85A	-
MSRTA200100AD	85.9072	询价	5582	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRTA200	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对中央	1000伏	200A	1.1V@200A		10μA@1000V	-55℃～150℃
MBRF60060	-	询价	9226	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	60V	300A	800毫伏@250安		1毫安@60伏	-55℃～150℃
BR88	2.0200	询价	第347章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-65°C ~ 125°C（太焦）	通孔	4方，BR-8		标准	BR-8	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		BR88GN	EAR99	8541.10.0080	200					1.1V@4A		600V时为10μA		8A		单相	800V
MBRF60040R	-	询价	8038	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	40V	300A（直流）	650毫伏@300安		10毫安@20伏	-40℃～175℃
MBRT20040R	98.8155	询价	4826	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT20040	肖特基，反	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1082	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	40V	100A	750毫伏@100安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBRF60030	-	询价	8323	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	30V	300A（直流）	650毫伏@300安		10毫安@20伏	-40℃～175℃

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

死亡(2089)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²