SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBR120100CT GeneSiC Semiconductor MBR120100CT 68.8455
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR120100 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR120100CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 120A（DC） 840 mv @ 60 a 3 ma @ 20 V
GKR240/18 GeneSiC Semiconductor GKR240/18 73.7988
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1800 V -55°C〜150°C 165a -
FR30B02 GeneSiC Semiconductor FR30B02 10.4070
RFQ
 ECAD 1814年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30B02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
FR30JR02 GeneSiC Semiconductor FR30JR02 10.5930
RFQ
 ECAD 2177 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30JR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
MURTA600120R GeneSiC Semiconductor Murta600120r 207.4171
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta600120 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 1200 v 300A 2.6 V @ 300 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 -
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 GC50MPS12 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1340 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 50 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 212a 3263pf @ 1V，1MHz
FR30A02 GeneSiC Semiconductor FR30A02 10.4070
RFQ
 ECAD 1833年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30A02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
FR12JR02 GeneSiC Semiconductor FR12JR02 9.2235
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 800 mv @ 12 a 250 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBR8045R GeneSiC Semiconductor MBR8045R 25.9300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR8045 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 650 mv @ 80 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 80a -
GBU10D GeneSiC Semiconductor GBU10D 1.6300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU10 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
MBRT60080R GeneSiC Semiconductor MBRT60080R 140.2020
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60080 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60080RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRT100120AD GeneSiC Semiconductor MSRT100120AD 54.0272
RFQ
 ECAD 5144 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MBRF40040 GeneSiC Semiconductor MBRF40040 -
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
FR40DR05 GeneSiC Semiconductor FR40DR05 13.8360
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40DR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
S25B GeneSiC Semiconductor S25B 5.2485
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25BGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBRTA80035RL GeneSiC Semiconductor mbrta80035rl -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 400a 600 MV @ 400 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
S25BR GeneSiC Semiconductor S25BR 5.2485
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25B 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25BRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 2.5700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 DO-214AA，SMB GB01SLT12 SIC （碳化硅） SMB（do-214AA） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 1 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 2.5a 69pf @ 1V，1MHz
MBRH24030R GeneSiC Semiconductor MBRH24030R 76.4925
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH24030 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C 240a -
MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor MBR400100CTR 102.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400100 肖特基，反极性 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1106 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S70G GeneSiC Semiconductor S70G 9.8985
RFQ
 ECAD 7991 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70GGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
MBRH20040L GeneSiC Semiconductor MBRH20040L -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 600 mV @ 200 A 5 ma @ 40 V 200a -
1N3209R GeneSiC Semiconductor 1N3209R 7.0650
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3209R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3209RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MURT30005 GeneSiC Semiconductor Murt30005 -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt30005gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MSRT10060AD GeneSiC Semiconductor MSRT10060AD 54.0272
RFQ
 ECAD 1569年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 600 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
S70B GeneSiC Semiconductor S70B 9.8985
RFQ
 ECAD 6419 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70BGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
MBRTA40030L GeneSiC Semiconductor MBRTA40030L -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
1N2135A GeneSiC Semiconductor 1N2135A 8.9025
RFQ
 ECAD 9352 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2135 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N2135AGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
MBRTA60045L GeneSiC Semiconductor MBRTA60045L -
RFQ
 ECAD 9002 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
S6KR GeneSiC Semiconductor s6kr 3.8625
RFQ
 ECAD 2891 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S6K 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s6krgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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