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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRT20080 | 98.8155 | ![]() | 3151 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT20080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 100A | 880 毫伏 @ 100 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | 穆尔塔400120R | 174.1546 | ![]() | 9467 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔400120 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 1200伏 | 200A | 2.6V@200A | 1200V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | MBR20045CT | 90.1380 | ![]() | 2192 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20045 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20045CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | ||||||
![]() | GKN71/14 | 12.5767 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | GKN71 | 标准 | 溶解O | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@60A | 10毫安@1400伏 | -40℃~180℃ | 95A | - | ||||||
![]() | 穆尔夫30005 | - | ![]() | 5572 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 50V | 150A | 1V@150A | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔20020CTR | 101.6625 | ![]() | 6212 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯20020 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR20020CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
![]() | MBRTA600200R | - | ![]() | 7016 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 300A | 920毫伏@300安 | 4毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | FR85J05 | 23.1210 | ![]() | 7253 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR85J05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@85A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | |||||
![]() | S25B | 5.2485 | ![]() | 3484 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25BGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | ||||||
![]() | 穆尔塔60040 | 188.1435 | ![]() | 8920 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔60040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400V | 300A | 1.5V@300A | 220纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||
![]() | MURT30005 | - | ![]() | 5053 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT30005GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 50V | 150A | 1.3V@150A | 100纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||
![]() | MBRTA60040RL | - | ![]() | 第1763章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 300A | 600 毫伏 @ 300 安 | 5毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBRF12035 | - | ![]() | 4279 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBRF60030 | - | ![]() | 8323 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 300A(直流) | 650毫伏@300安 | 10毫安@20伏 | -40℃~175℃ | ||||||||
![]() | MBR500200CT | - | ![]() | 2566 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 250A | 920 毫伏 @ 250 安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | GB10SLT12-247D | - | ![]() | 6041 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-3 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247 | - | 1(无限制) | 1242-1315 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 12A | 1.9V@5A | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | |||||||
![]() | MBRH12060 | 60.0375 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH12060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@120安 | 4毫安@20伏 | 120A | - | |||||||
![]() | GB02SLT12-214 | 3.2000年 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | GB02SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | DO-214AA | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@1A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 2A | 131pF@1V、1MHz | ||||
![]() | MBRF30045R | - | ![]() | 7219 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3004 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 150A | 700毫伏@150安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | 1N1190R | 6.2320 | ![]() | 8920 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1190R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1030 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||
![]() | MSRTA200100AD | 85.9072 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA200 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1000伏 | 200A | 1.1V@200A | 10μA@1000V | -55℃~150℃ | ||||||
1N3671AR | 4.2345 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3671AR | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1036 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | ||||||
![]() | S150KR | 35.5695 | ![]() | 9943 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | S150 | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S150KRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.2V@150A | 600V时为10μA | -65℃~200℃ | 150A | - | |||||
![]() | MBRH12080R | 60.0375 | ![]() | 1217 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH12080 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH12080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 80V | 840毫伏@120安 | 4毫安@20伏 | 120A | - | ||||||
![]() | MBRH200200R | 70.0545 | ![]() | 3613 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH200200 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 920毫伏@200安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | 200A | - | ||||||
![]() | MSRTA6001R | 109.2000 | ![]() | 6261 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 3-SMD模块 | MSRTA6001 | - | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MSRTA6001RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | - | 1600伏 | 600A(直流) | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBRT20040R | 98.8155 | ![]() | 4826 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT20040 | 肖特基,反 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1082 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||
![]() | FR85K05 | 23.1210 | ![]() | 5638 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR85K05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.4V@85A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | |||||
![]() | FR6BR05 | 8.5020 | ![]() | 7401 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6BR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | |||||
![]() | MBR2X060A060 | 46.9860 | ![]() | 3411 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 60V | 60A | 750毫伏@60安 | 1毫安@60伏 | -40℃~150℃ |
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