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（2089）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f
Murta500120r	174.1546	RFQ	6602	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murta500120	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	24	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1对公共阳极	1200 v	250a	2.6 V @ 250 A		25 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C
S85KR	11.8980	RFQ	9142	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S85K	标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	S85krgn	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			800 v		1.1 V @ 85 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜180°C	85a	-
Murta400120r	174.1546	RFQ	9467	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murta400120	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	24	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1对公共阳极	1200 v	200a	2.6 V @ 200 A		25 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C
MBRH20045RL	-	RFQ	1586年	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	D-67		肖特基，反极性	D-67	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			45 v		600 mV @ 200 A		5 ma @ 45 V	-55°C〜150°C	200a	-
MSRTA400100A	60.2552	RFQ	5122	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRTA400100	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1对普通阴极	1000 v	400A（DC）	1.2 V @ 400 A		25 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
GKN130/04	35.0777	RFQ	6161	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	GKN130	标准	DO-205AA（DO-8）	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			400 v		1.5 V @ 60 A		22 ma @ 400 V	-40°C〜180°C	165a	-
GKR26/04	-	RFQ	5627	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	5	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			400 v		1.55 V @ 60 A		4 ma @ 400 V	-40°C〜180°C	25a	-
S85MR	11.8980	RFQ	8567	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S85M	标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	S85MRGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			1000 v		1.1 V @ 85 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜180°C	85a	-
MBRTA80080	-	RFQ	4035	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1对普通阴极	80 V	400a	840 mv @ 400 A		1 mA @ 80 V	-55°C〜150°C
GA01PNS150-201	561.0000	RFQ	5655	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）		DO-201 AD，轴向	GA01PNS150		DO-201-201	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1242-1347	Ear99	8541.10.0080	10		1 a									22pf @ 1V，1MHz	PIN-单	15000V	-
GBJ6K	0.6645	RFQ	1160	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ6	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件		1242-GBJ6K	Ear99	8541.10.0080	200						1.05 V @ 3 A		5 µA @ 800 V		6 a		单相	800 v
GBJ10M	0.7470	RFQ	2675	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件		1242-GBJ10M	Ear99	8541.10.0080	200						1.05 V @ 5 A		5 µA @ 1000 V		10 a		单相	1 kV
GBJ30B	1.1205	RFQ	8713	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ30	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件		1242-GBJ30B	Ear99	8541.10.0080	200						1.05 V @ 15 A		5 µA @ 100 V		30 a		单相	100 v
GBJ15B	0.7875	RFQ	1800	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ15	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件		1242-GBJ15B	Ear99	8541.10.0080	200						1.05 V @ 7.5 A		10 µA @ 100 V		15 a		单相	100 v
GBJ20G	0.9120	RFQ	9792	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ20	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件		1242-GBJ20G	Ear99	8541.10.0080	200						1 V @ 10 A		5 µA @ 400 V		20 a		单相	400 v
MSRTA300120D	159.9075	RFQ	4570	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	模块	MSRTA300	标准	-	下载	rohs3符合条件		1242-MSRTA300120D	Ear99	8541.10.0080	24	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1对系列连接	1200 v	300A	1.1 V @ 300 A		20 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C
GBJ25J	0.9795	RFQ	1665年	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ25	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件		1242-GBJ25J	Ear99	8541.10.0080	200						1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 600 V		25 a		单相	600 v
W005m	-	RFQ	7362	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）	W005MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000						1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V		1.5 a		单相	50 V
2W01M	-	RFQ	7626	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）	2W01MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000						1.1 V @ 2 A		10 µA @ 100 V		2 a		单相	100 v
2W04M	-	RFQ	3087	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）	2W04MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000						1.1 V @ 2 A		10 µA @ 400 V		2 a		单相	400 v
BR1010	0.9555	RFQ	7726	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10		标准	BR-10	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	BR1010GN	Ear99	8541.10.0080	200						1.1 V @ 5 A		10 µA @ 1000 V		10 a		单相	1 kV
BR31	0.5700	RFQ	5959	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3		标准	BR-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	BR31GN	Ear99	8541.10.0080	200						1 V @ 1.5 A		10 µA @ 100 V		3 a		单相	100 v
BR310	0.5700	RFQ	1707年	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3		标准	BR-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	BR310GN	Ear99	8541.10.0080	200						1 V @ 1.5 A		10 µA @ 1000 V		3 a		单相	1 kV
BR38	0.5700	RFQ	9479	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3		标准	BR-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	BR38GN	Ear99	8541.10.0080	200						1 V @ 1.5 A		10 µA @ 800 V		3 a		单相	800 v
BR805	0.8910	RFQ	8408	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-8		标准	BR-8	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	BR805GN	Ear99	8541.10.0080	200						1.1 V @ 4 A		10 µA @ 50 V		8 a		单相	50 V
BR81	2.0200	RFQ	453	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-8		标准	BR-8	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	200						1.1 V @ 4 A		10 µA @ 100 V		8 a		单相	100 v
BR88	2.0200	RFQ	347	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-8		标准	BR-8	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	BR88GN	Ear99	8541.10.0080	200						1.1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		8 a		单相	800 v
DB102G	0.1980	RFQ	2400	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DB102	标准	DB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	DB102GGN	Ear99	8541.10.0080	2,500						1.1 V @ 1 A		10 µA @ 100 V		1 a		单相	100 v
DB106G	0.1980	RFQ	5029	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DB106	标准	DB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	DB106GGN	Ear99	8541.10.0080	2,500						1.1 V @ 1 A		10 µA @ 800 V		1 a		单相	800 v
FR40JR02	13.8360	RFQ	4966	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FR40JR02GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			600 v		1 V @ 40 A	250 ns	25 µA @ 100 V	-40°C〜125°C	40a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2089）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²