SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电流 -最大 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电阻 @ if，f
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 基因半导体 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 轴向 GA01PNS150 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1258 Ear99 8541.10.0080 10 1 a 7pf @ 1000V，1MHz PIN-单 15000V -
KBPC50005W GeneSiC Semiconductor KBPC50005W 2.5875
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC50005 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a 单相 50 V
KBPM210G GeneSiC Semiconductor kbpm210g -
RFQ
 ECAD 2438 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbpm 标准 kbpm 下载 （1 （无限） 到达不受影响 kbpm210ggn Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 50 V 2 a 单相 1 kV
GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 13.3500
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GC50MPS06 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1346 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 0 ns 175°c （最大） 50a -
MBRTA600100 GeneSiC Semiconductor MBRTA600100 -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 300A 840 mv @ 300 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E 2.0500
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 ECAD 6948 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ （CT） 在sic中停产 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GE06MPS06 SIC （碳化硅） TO-252-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v -55°C 〜175°C 17a 279pf @ 1V，1MHz
GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 -
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 ECAD 3661 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 过时的 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA GB05MPS17 SIC （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GB05MPS17-263 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1700 v -55°C 〜175°C 18a 470pf @ 1V，1MHz
MBRH24080 GeneSiC Semiconductor MBRH24080 76.4925
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 MV @ 240 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C 240a -
S12QR GeneSiC Semiconductor S12QR 4.2345
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S12Q 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S12QRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
MBRF50035 GeneSiC Semiconductor MBRF50035 -
RFQ
 ECAD 1963年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 250a 750 MV @ 250 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W08M -
RFQ
 ECAD 7436 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -65°C〜125°C（TJ） 通过洞 4圆，妇女 标准 口碑营销 下载 （1 （无限） 2W08MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 800 V 2 a 单相 800 v
MBRF40045 GeneSiC Semiconductor MBRF40045 -
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
FR16JR02 GeneSiC Semiconductor FR16JR02 8.5020
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16JR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 900 mv @ 16 A 250 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
S12KR GeneSiC Semiconductor S12KR 4.2345
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S12K 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s12krgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
MUR30020CT GeneSiC Semiconductor MUR30020CT 118.4160
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRF40035 GeneSiC Semiconductor MBRF40035 -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） MBRF40035GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRH15045L GeneSiC Semiconductor MBRH15045L -
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 600 MV @ 150 A 5 ma @ 45 V 150a -
MURF30005 GeneSiC Semiconductor Murf30005 -
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 50 V 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR2X120A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A120 51.8535
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X120 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 120 v 120a 880 mv @ 120 A 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
1N3289AR GeneSiC Semiconductor 1N3289AR 33.5805
RFQ
 ECAD 1862年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3289AR 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3289ARGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.5 V @ 100 A 24 mA @ 200 V -40°C 200°C 100a -
1N5834 GeneSiC Semiconductor 1N5834 18.7230
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N5834 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5834GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 590 mv @ 40 a 20 ma @ 10 V -65°C〜150°C 40a -
BR82 GeneSiC Semiconductor BR82 0.8910
RFQ
 ECAD 6917 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-8 标准 BR-8 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR82GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 200 V 8 a 单相 200 v
FR6JR02 GeneSiC Semiconductor FR6JR02 5.1225
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6JR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.4 V @ 6 A 250 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MURH10040 GeneSiC Semiconductor Murh10040 49.5120
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murh10040gn Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MBRT12045 GeneSiC Semiconductor MBRT12045 75.1110
RFQ
 ECAD 8752 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12045GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GBJ35G GeneSiC Semiconductor GBJ35G 1.6410
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ35 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ35G Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
MUR7020R GeneSiC Semiconductor MUR7020R 17.7855
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 Mur7020 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR7020RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MBR2X080A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A060 48.6255
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 80a 750 MV @ 80 A 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
GKR130/08 GeneSiC Semiconductor GKR130/08 35.2590
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 800 V -40°C〜180°C 165a -
MBRF60045R GeneSiC Semiconductor MBRF60045R -
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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