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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
GBJ35K GeneSiC Semiconductor GBJ35K 1.6410
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ECAD 4294 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBJ GBJ35 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ35K EAR99 8541.10.0080 200 1.1V@17.5A 800V时为10μA 35A 单相 800V
MBRF50080 GeneSiC Semiconductor MBRF50080 -
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ECAD 2997 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 250A 840毫伏@250安 1毫安@80伏 -55℃~150℃
FR16G02 GeneSiC Semiconductor FR16G02 8.1330
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ECAD 6045 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16G02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 900毫伏@16安 200纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
1N1187R GeneSiC Semiconductor 1N1187R 7.4730
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ECAD 9766 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1187R 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N1187RGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 300伏 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃~190℃ 35A -
MBRT50020R GeneSiC Semiconductor MBRT50020R -
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ECAD 5942 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT50020RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220 1.3770
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ECAD 2249 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 GC02MPS12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-1323 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@2A 0纳秒 1200V时为2μA -55℃~175℃ 12A 127pF@1V、1MHz
GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N 55.7100
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ECAD 262 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GD2X SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 1(无限制) 1242-GD2X25MPS17N EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 1700伏 50A(直流) 1.8V@25A 0纳秒 1700V时为20μA -55℃~175℃
MBRT40060R GeneSiC Semiconductor MBRT40060R 118.4160
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ECAD 9407 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT40060 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT40060RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 60V 200A 800毫伏@200安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MUR40060CT GeneSiC Semiconductor MUR40060CT 132.0780
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ECAD 8806 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯40060 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR40060CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 200A 1.3V@125A 180纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBRTA80035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80035RL -
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ECAD 8760 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 35V 400A 600 毫伏 @ 400 安 3毫安@35伏 -55℃~150℃
MBRF60020 GeneSiC Semiconductor MBRF60020 -
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ECAD 8539 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 300A 650毫伏@300安 10毫安@20伏 -40℃~175℃
GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 4.1910
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ECAD 1450 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 GC10MPS12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-1331 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@10A 0纳秒 10μA@1200V -55℃~175℃ 54A 660pF @ 1V、1MHz
MBR6060 GeneSiC Semiconductor MBR6060 20.2695
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ECAD 8592 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR6060 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR6060GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 750毫伏@60安 5毫安@20伏 -65℃~150℃ 60A -
GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220 5.3610
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ECAD 8973 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 GC15MPS12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-1335 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@15A 0纳秒 14μA@1200V -55℃~175℃ 82A 1V、1MHz时为1089pF
FR12M05 GeneSiC Semiconductor FR12M05 6.9975
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ECAD 5296 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 800毫伏@12安 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
S300Z GeneSiC Semiconductor S300Z 85.1955
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ECAD 9287 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S300 标准 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S300ZGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 2000伏 1.2V@300A 10μA@1600V -60℃~180℃ 300A -
MBRF60020R GeneSiC Semiconductor MBRF60020R -
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ECAD 3845 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 300A 650毫伏@300安 10毫安@20伏 -40℃~175℃
FST100100 GeneSiC Semiconductor FST100100 65.6445
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ECAD 3909 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST100100GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 100A 840 毫伏 @ 100 安 2毫安@20伏
KBL410G GeneSiC Semiconductor KBL410G 0.5385
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ECAD 2270 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBL KBL410 标准 韩国广播公司 下载 符合RoHS标准 1(无限制) KBL410GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@4A 1000V时为5μA 4A 单相 1kV
MBR30035CT GeneSiC Semiconductor MBR30035CT 94.5030
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ECAD 8692 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30035 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1050 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 150A 650毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃~150℃
S85V GeneSiC Semiconductor S85V 12.1170
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ECAD 8070 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S85VGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1400伏 1.1V@85A 10μA@100V -65℃~150℃ 85A -
GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H 15.7700
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ECAD 第398章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-GD50MPS12H EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@50A 0纳秒 15μA@1200V -55℃~175℃ 92A 1835pF@1V、1MHz
S12Q GeneSiC Semiconductor S12Q 4.2345
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ECAD 6984 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃~175℃ 12A -
MBR60080CT GeneSiC Semiconductor MBR60080CT 129.3585
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ECAD 4083 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR60080 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR60080CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 300A 880毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MURF10040 GeneSiC Semiconductor 穆尔夫10040 -
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ECAD 9967 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244AB - 1(无限制) 穆尔夫10040GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 400V 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MURTA500120R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔500120R 174.1546
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ECAD 6602 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔500120 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共阳极 1200伏 250A 2.6V@250A 1200V时为25μA -55℃~150℃
1N3208 GeneSiC Semiconductor 1N3208 7.0650
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ECAD 3482 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3208 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3208GN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 50V 1.5V@15A 50V时为10μA -65℃~175℃ 15A -
MBRH20040L GeneSiC Semiconductor MBRH20040L -
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ECAD 2304 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 600毫伏@200安 5毫安@40伏 200A -
FR12G02 GeneSiC Semiconductor FR12G02 8.2245
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ECAD 3943 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR12G02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 800毫伏@12安 200纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
MBR40060CT GeneSiC Semiconductor MBR40060CT 98.8155
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ECAD 8701 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR40060 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR40060CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 60V 200A 800毫伏@200安 5毫安@20伏 -55℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库