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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBJ35K | 1.6410 | ![]() | 4294 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | GBJ35 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ35K | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1V@17.5A | 800V时为10μA | 35A | 单相 | 800V | ||||||||||
![]() | MBRF50080 | - | ![]() | 2997 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 250A | 840毫伏@250安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FR16G02 | 8.1330 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 900毫伏@16安 | 200纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||
![]() | 1N1187R | 7.4730 | ![]() | 9766 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1187R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1187RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 300伏 | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | ||||||||
![]() | MBRT50020R | - | ![]() | 5942 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | GC02MPS12-220 | 1.3770 | ![]() | 2249 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | GC02MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1323 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 1200V时为2μA | -55℃~175℃ | 12A | 127pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | GD2X25MPS17N | 55.7100 | ![]() | 262 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 1(无限制) | 1242-GD2X25MPS17N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1700伏 | 50A(直流) | 1.8V@25A | 0纳秒 | 1700V时为20μA | -55℃~175℃ | ||||||||
![]() | MBRT40060R | 118.4160 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT40060 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT40060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 200A | 800毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MUR40060CT | 132.0780 | ![]() | 8806 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯40060 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR40060CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 200A | 1.3V@125A | 180纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBRTA80035RL | - | ![]() | 8760 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 400A | 600 毫伏 @ 400 安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRF60020 | - | ![]() | 8539 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 300A | 650毫伏@300安 | 10毫安@20伏 | -40℃~175℃ | |||||||||||
![]() | GC10MPS12-220 | 4.1910 | ![]() | 1450 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | GC10MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1331 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 10μA@1200V | -55℃~175℃ | 54A | 660pF @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | MBR6060 | 20.2695 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR6060 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR6060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@60安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | ||||||||
![]() | GC15MPS12-220 | 5.3610 | ![]() | 8973 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | GC15MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1335 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@15A | 0纳秒 | 14μA@1200V | -55℃~175℃ | 82A | 1V、1MHz时为1089pF | ||||||
![]() | FR12M05 | 6.9975 | ![]() | 5296 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 800毫伏@12安 | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | |||||||||
![]() | S300Z | 85.1955 | ![]() | 9287 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S300 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S300ZGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2000伏 | 1.2V@300A | 10μA@1600V | -60℃~180℃ | 300A | - | ||||||||
![]() | MBRF60020R | - | ![]() | 3845 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 300A | 650毫伏@300安 | 10毫安@20伏 | -40℃~175℃ | |||||||||||
![]() | FST100100 | 65.6445 | ![]() | 3909 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST100100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 100A | 840 毫伏 @ 100 安 | 2毫安@20伏 | ||||||||||
![]() | KBL410G | 0.5385 | ![]() | 2270 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | KBL410 | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBL410GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 1000V时为5μA | 4A | 单相 | 1kV | |||||||||
![]() | MBR30035CT | 94.5030 | ![]() | 8692 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR30035 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1050 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 150A | 650毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | S85V | 12.1170 | ![]() | 8070 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S85VGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~150℃ | 85A | - | |||||||||
![]() | GD50MPS12H | 15.7700 | ![]() | 第398章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD50MPS12H | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@50A | 0纳秒 | 15μA@1200V | -55℃~175℃ | 92A | 1835pF@1V、1MHz | |||||||
![]() | S12Q | 4.2345 | ![]() | 6984 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | ||||||||||
![]() | MBR60080CT | 129.3585 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR60080 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR60080CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 300A | 880毫伏@300安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔夫10040 | - | ![]() | 9967 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | 1(无限制) | 穆尔夫10040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | 穆尔塔500120R | 174.1546 | ![]() | 6602 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔500120 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 1200伏 | 250A | 2.6V@250A | 1200V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | 1N3208 | 7.0650 | ![]() | 3482 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3208 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3208GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.5V@15A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 15A | - | ||||||||
![]() | MBRH20040L | - | ![]() | 2304 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 600毫伏@200安 | 5毫安@40伏 | 200A | - | ||||||||||||
![]() | FR12G02 | 8.2245 | ![]() | 3943 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR12G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 800毫伏@12安 | 200纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | MBR40060CT | 98.8155 | ![]() | 8701 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR40060 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR40060CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 200A | 800毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ |
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