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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
MBR3580R GeneSiC Semiconductor MBR3580R 15.1785
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MBR3580 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3580RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
S40Q GeneSiC Semiconductor S40Q 10.3200
RFQ
 ECAD 791 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
S150MR GeneSiC Semiconductor S150MR 35.5695
RFQ
 ECAD 7281 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 S150 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S150MRGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
MBRH20080R GeneSiC Semiconductor MBRH20080R 70.0545
RFQ
 ECAD 3860 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20080 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20080RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MBRT500200R GeneSiC Semiconductor MBRT500200R -
RFQ
 ECAD 1499年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 250a 920 MV @ 250 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
1N3767R GeneSiC Semiconductor 1N3767R 6.2320
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3767R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3767RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 900 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MBR30035CTR GeneSiC Semiconductor MBR30035CTR 98.8100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30035 肖特基，反极性 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1089 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 150a 700 MV @ 150 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MURT30020 GeneSiC Semiconductor Murt30020 118.4160
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt30020gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT40040 GeneSiC Semiconductor Murt40040 132.0780
RFQ
 ECAD 5904 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1081 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 200a 1.35 V @ 200 A 180 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR16GR02 GeneSiC Semiconductor FR16GR02 8.5020
RFQ
 ECAD 4900 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16GR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.1 V @ 16 A 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBR40040CT GeneSiC Semiconductor MBR40040CT 98.8155
RFQ
 ECAD 1091 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1037 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRH120150R GeneSiC Semiconductor MBRH120150R 60.0375
RFQ
 ECAD 3634 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH120150 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 880 mv @ 120 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C 120a -
MURF10020R GeneSiC Semiconductor Murf10020r -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Murf10020RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR12G02 GeneSiC Semiconductor FR12G02 8.2245
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12G02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 800 mv @ 12 a 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBR2X120A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A060 51.8535
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X120 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 120a 750 MV @ 120 A 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
MURTA20020 GeneSiC Semiconductor Murta20020 145.3229
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MURTA30060R GeneSiC Semiconductor Murta30060r 159.9075
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta30060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRF60040 GeneSiC Semiconductor MBRF60040 -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
1N3767 GeneSiC Semiconductor 1N3767 6.2320
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3767 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3767GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 900 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
1N3892R GeneSiC Semiconductor 1N3892R 9.3600
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3892R 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1092 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
MBRH15020L GeneSiC Semiconductor MBRH15020L -
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 580 mv @ 150 A 3 ma @ 20 V 150a -
MBRH24060R GeneSiC Semiconductor MBRH24060R 76.4925
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH24060 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 780 mv @ 240 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C 240a -
MBRF20080 GeneSiC Semiconductor MBRF20080 -
RFQ
 ECAD 4037 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 100a 840 mv @ 100 a 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
FST100100 GeneSiC Semiconductor FST100100 65.6445
RFQ
 ECAD 3909 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST100100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 100a 840 mv @ 100 a 2 ma @ 20 V
MURTA200120R GeneSiC Semiconductor Murta200120r 145.3229
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta200120 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 1200 v 100a 2.6 V @ 100 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor MSRTA6001R 109.2000
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA6001 - 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） MSRTA6001RGN Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） - 1600 v 600A（DC） -55°C〜150°C
MBR3540R GeneSiC Semiconductor MBR3540R 15.1785
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MBR3540 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3540RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MBR7535R GeneSiC Semiconductor MBR7535R 21.9195
RFQ
 ECAD 1581年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR7535 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR7535RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 750 MV @ 75 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C 75a -
1N3879R GeneSiC Semiconductor 1N3879R 7.3900
RFQ
 ECAD 860 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3879R 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1071 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBRTA80045RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80045RL -
RFQ
 ECAD 3112 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 400a 600 MV @ 400 A 6 mA @ 45 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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