SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBRH120150 GeneSiC Semiconductor MBRH120150 60.0375
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 880 mv @ 120 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C 120a -
MBRTA80040R GeneSiC Semiconductor MBRTA80040R -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 400a 720 MV @ 400 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 3.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 DO-214AA，SMB GB02SLT12 SIC （碳化硅） do-214aa 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 1 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 2a 131pf @ 1V，1MHz
MBRT60030 GeneSiC Semiconductor MBRT60030 140.2020
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D 5.1900
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GE2X8 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GE2X8MPS06D Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 19a（dc） -55°C 〜175°C
S85KR GeneSiC Semiconductor S85KR 11.8980
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S85K 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S85krgn Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
MURTA400120R GeneSiC Semiconductor Murta400120r 174.1546
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta400120 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 1200 v 200a 2.6 V @ 200 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MBRH20045RL GeneSiC Semiconductor MBRH20045RL -
RFQ
 ECAD 1586年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基，反极性 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C 200a -
MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA400100A 60.2552
RFQ
 ECAD 5122 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA400100 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1000 v 400A（DC） 1.2 V @ 400 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA30080D GeneSiC Semiconductor MSRTA30080D 159.9075
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA300 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA30080D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 800 V -55°C〜150°C
FR70B02 GeneSiC Semiconductor FR70B02 17.5905
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70B02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 70 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MBRTA80020 GeneSiC Semiconductor MBRTA80020 -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 400a 720 MV @ 400 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
150KR80A GeneSiC Semiconductor 150KR80A 35.5695
RFQ
 ECAD 5582 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 150kr80agn Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.33 V @ 150 A 32 ma @ 800 V -40°C 200°C 150a -
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor MUR20005CT -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MSRTA500160A GeneSiC Semiconductor MSRTA500160A 101.4000
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500160 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT12080R GeneSiC Semiconductor MBRT12080R 75.1110
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT12080 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12080RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR85B05 GeneSiC Semiconductor FR85B05 23.1210
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85B05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
S85VR GeneSiC Semiconductor S85VR 15.2800
RFQ
 ECAD 597 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S85V 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
S16K GeneSiC Semiconductor S16K 4.5900
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S16KGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
FR40BR02 GeneSiC Semiconductor FR40BR02 13.8360
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MBR6020 GeneSiC Semiconductor MBR6020 20.2695
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR6020GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MSRT10080D GeneSiC Semiconductor MSRT10080D 87.1935
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT10080D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
S85MR GeneSiC Semiconductor S85MR 11.8980
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S85M 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S85MRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
FR6DR05 GeneSiC Semiconductor FR6DR05 8.5020
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6DR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
MBRT20045R GeneSiC Semiconductor MBRT20045R 98.8155
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20045 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20045RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S40K GeneSiC Semiconductor S40K 6.3770
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40KGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
1N3295AR GeneSiC Semiconductor 1N3295AR 33.5805
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3295AR 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3295ARGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.5 V @ 100 A 11 ma @ 1000 V -40°C 200°C 100a -
MBRT60040 GeneSiC Semiconductor MBRT60040 140.2020
RFQ
 ECAD 1945年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GBJ20G GeneSiC Semiconductor GBJ20G 0.9120
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ20 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ20G Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 10 A 5 µA @ 400 V 20 a 单相 400 v
MSRTA300120D GeneSiC Semiconductor MSRTA300120D 159.9075
RFQ
 ECAD 4570 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA300 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA300120D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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