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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SD51R | 20.2170 | ![]() | 3373 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | SD51 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | SD51RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 660 毫伏 @ 60 安 | 5毫安@45伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | ||||||||
![]() | FR85GR05 | 24.1260 | ![]() | 6610 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR85GR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.4V@85A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | ||||||||
![]() | MUR2X030A06 | - | ![]() | 5864 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1306 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 600伏 | 30A | 1.5V@30A | 60纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~175℃ | ||||||||
![]() | FR20K05 | 9.2895 | ![]() | 2655 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20K05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1V@20A | 500纳秒 | 800V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | ||||||||
![]() | S40G | 6.3770 | ![]() | 4820 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S40GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~190℃ | 40A | - | |||||||||
![]() | MBR20060CTR | 90.1380 | ![]() | 4535 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20060 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20060CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 200A(直流) | 750毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | |||||||||
![]() | MBRTA50060 | - | ![]() | 8240 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
1N1206A | 4.2345 | ![]() | 1852年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1206 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1079 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | |||||||||
![]() | MSRTA6001 | 109.2000 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 3-SMD模块 | - | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MSRTA6001GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | - | 1600伏 | 600A(直流) | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MSRT100120AD | 54.0272 | ![]() | 5144 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 微软RT100 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1200伏 | 100A | 1.1V@100A | 10μA@1200V | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | GC2X10MPS12-247 | 8.6460 | ![]() | 3246 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | GC2X10 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1330 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 50A(直流) | 1.8V@10A | 0纳秒 | 10μA@1200V | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | MBRT20020 | 98.8155 | ![]() | 6190 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT20020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MURT30010 | 118.4160 | ![]() | 5586 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT30010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 150A | 1.3V@150A | 100纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBR600200CTR | 129.3585 | ![]() | 2284 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR600200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 300A | 920毫伏@300安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
KBPC5002T | 2.5875 | ![]() | 9290 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC5002 | 标准 | KBPC-T | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@25A | 5μA@200V | 50A | 单相 | 200V | |||||||||||
GC50MPS06-247 | 13.3500 | ![]() | 第740章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | GC50MPS06 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1346 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 175℃(最高) | 50A | - | |||||||||
![]() | M3P75A-120 | - | ![]() | 5618 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 5-SMD模块 | 标准 | 5-SMD | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.15V@75A | 10μA@1200V | 75A | 土耳其 | 1.2kV | ||||||||||||
![]() | MBRT300100 | 107.3070 | ![]() | 6200 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT300100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 150A | 880毫伏@150安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | S12MR | 4.2345 | ![]() | 第1370章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S12M | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S12MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | ||||||||
KBPC25010T | 1.8979 | ![]() | 3621 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC25010 | 标准 | KBPC-T | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1V@12.5A | 1000V时为5μA | 25A | 单相 | 1kV | |||||||||||
![]() | S40Q | 10.3200 | ![]() | 第791章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~190℃ | 40A | - | ||||||||||
![]() | 穆尔塔60060 | 188.1435 | ![]() | 8869 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔60060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 300A | 1.7V@300A | 280纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||
KBPC2504T | 2.2995 | ![]() | 4286 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC2504 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 5μA@400V | 25A | 单相 | 400V | |||||||||||
![]() | BR66 | 0.7425 | ![]() | 3731 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4方,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | BR66GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1V@3A | 600V时为10μA | 6A | 单相 | 600伏 | ||||||||||
![]() | MBRT600200R | 140.2020 | ![]() | 7606 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT600200 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 300A | 920毫伏@300安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | GBPC5010W | 4.0155 | ![]() | 6532 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC5010 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2V@25A | 1000V时为5μA | 50A | 单相 | 1kV | ||||||||||
![]() | MBRT120100R | 75.1110 | ![]() | 6865 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT120100 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT120100RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100V | 60A | 880毫伏@60安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | GBU4G | 1.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU4 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 5μA@400V | 4A | 单相 | 400V | ||||||||||
![]() | DB106G | 0.1980 | ![]() | 5029 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB106 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB106GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1A | 800V时为10μA | 1A | 单相 | 800V | |||||||||
![]() | MBR300200CT | 94.5030 | ![]() | 第1393章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR300200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 150A | 920毫伏@150安 | 3毫安@200伏 | -40℃~150℃ |
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