SIC
close

（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
1N3767 GeneSiC Semiconductor 1N3767 6.2320
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3767 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3767GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 900 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
FST100100 GeneSiC Semiconductor FST100100 65.6445
RFQ
 ECAD 3909 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST100100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 100a 840 mv @ 100 a 2 ma @ 20 V
MBR7535R GeneSiC Semiconductor MBR7535R 21.9195
RFQ
 ECAD 1581年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR7535 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR7535RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 750 MV @ 75 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C 75a -
1N3879R GeneSiC Semiconductor 1N3879R 7.3900
RFQ
 ECAD 860 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3879R 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1071 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBR300200CTR GeneSiC Semiconductor MBR300200CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 9237 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR300200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 150a 920 MV @ 150 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
MBR40060CT GeneSiC Semiconductor MBR40060CT 98.8155
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40060 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 200a 800 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252 3.9210
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GC10MPS12 SIC （碳化硅） TO-252-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 50a 660pf @ 1V，1MHz
MBR200200CT GeneSiC Semiconductor MBR200200CT 90.1380
RFQ
 ECAD 4613 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
FST6380M GeneSiC Semiconductor FST6380M -
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 30a 840 mv @ 30 a 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
MBRF60020R GeneSiC Semiconductor MBRF60020R -
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 300A 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
MBRTA600200R GeneSiC Semiconductor MBRTA600200R -
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 4 mA @ 200 V -55°C〜150°C
GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 44.6700
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 GB02SHT01 SIC （碳化硅） TO-46 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1254 Ear99 8541.10.0080 200 没有恢复t> 500mA（IO） 100 v 1.6 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜210°C 4a 76pf @ 1V，1MHz
1N3893R GeneSiC Semiconductor 1N3893R 9.3600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3893R 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
1N5833R GeneSiC Semiconductor 1N5833R 19.7895
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N5833R 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5833RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 550 mv @ 40 a 20 ma @ 10 V -65°C〜150°C 40a -
MBR2X060A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A060 46.9860
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 60a 750 mv @ 60 a 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247 10.4235
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 不适合新设计 通过洞 TO-247-2 GB10MPS17 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1343 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1700 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 12 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 50a 669pf @ 1V，1MHz
MBR60045CTR GeneSiC Semiconductor MBR60045CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR60045CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR85BR05 GeneSiC Semiconductor FR85BR05 24.1260
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85BR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30020Ctrl -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10060ctr -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10060ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF10010R GeneSiC Semiconductor Murf10010r -
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） murf10010rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S300Y GeneSiC Semiconductor S300Y 65.5700
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S300 标准 do-9 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1056 Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 1600 V -60°C〜180°C 300A -
1N3213R GeneSiC Semiconductor 1N3213R 7.0650
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3213R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3213RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 500 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
S40V GeneSiC Semiconductor S40V 6.9421
RFQ
 ECAD 3919 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40VGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C〜160°C 40a -
GBJ35K GeneSiC Semiconductor GBJ35K 1.6410
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ35 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ35K Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 800 V 35 a 单相 800 v
FR70B05 GeneSiC Semiconductor FR70B05 17.5905
RFQ
 ECAD 9335 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70B05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MSRTA600120A GeneSiC Semiconductor MSRTA600120A 109.2000
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA600120 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 600A（DC） 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRF12060R GeneSiC Semiconductor MBRF12060R -
RFQ
 ECAD 3060 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 60a 750 mv @ 60 a 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MBRF60040R GeneSiC Semiconductor MBRF60040R -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
MBRTA80030L GeneSiC Semiconductor MBRTA80030L -
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 400a 580 mv @ 400 A 3 ma @ 30 V -40°C〜100°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭