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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 当前 - 最大 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电阻@If,F
MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTRL -
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ECAD 4998 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 150A 580毫伏@150安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor KBPC1510W 2.1825
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ECAD 5560 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 安装结构 4方,KBPC-W KBPC1510 标准 KBPC-W 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@7.5A 1000V时为5μA 15A 单相 1kV
GBPC5004T GeneSiC Semiconductor GBPC5004T 4.0155
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ECAD 3326 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,GBPC GBPC5004 标准 GBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.2V@25A 5μA@400V 50A 单相 400V
KBPM2005G GeneSiC Semiconductor KBPM2005G -
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ECAD 9982 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBPM 标准 KBPM 下载 1(无限制) REACH 不出行 KBPM2005GGN EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1V@2A 5μA@50V 2A 单相 50V
KBPM201G GeneSiC Semiconductor KBPM201G -
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ECAD 4986 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBPM 标准 KBPM 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1V@2A 5μA@50V 2A 单相 100V
MBR30060CTR GeneSiC Semiconductor MBR30060CTR 94.5030
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ECAD 第1364章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30060 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR30060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 60V 150A 750毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃~150℃
KBPM301G GeneSiC Semiconductor KBPM301G -
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ECAD 9154 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBPM 标准 KBPM 下载 1(无限制) REACH 不出行 KBPM301GGN EAR99 8541.10.0080 900 1.1V@3A 5μA@50V 3A 单相 100V
M3P75A-120 GeneSiC Semiconductor M3P75A-120 -
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ECAD 5618 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 5-SMD模块 标准 5-SMD 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 24 1.15V@75A 10μA@1200V 75A 土耳其 1.2kV
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
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ECAD 4 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 结合 GA01PNS150 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1258 EAR99 8541.10.0080 10 1A 7pF@1000V,1MHz PIN-单个 15000V -
MURT30010 GeneSiC Semiconductor MURT30010 118.4160
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ECAD 5586 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT30010GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 150A 1.3V@150A 100纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR 129.3585
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ECAD 2284 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR600200 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 200V 300A 920毫伏@300安 3毫安@200伏 -55℃~150℃
KBPC5002T GeneSiC Semiconductor KBPC5002T 2.5875
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ECAD 9290 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,KBPC-T KBPC5002 标准 KBPC-T 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@25A 5μA@200V 50A 单相 200V
MBRT300100 GeneSiC Semiconductor MBRT300100 107.3070
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ECAD 6200 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT300100GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 150A 880毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
S12MR GeneSiC Semiconductor S12MR 4.2345
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ECAD 第1370章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S12M 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S12MRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1000伏 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃~175℃ 12A -
GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 13.3500
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ECAD 第740章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GC50MPS06 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-1346 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 650伏 0纳秒 175℃(最高) 50A -
KBPC25010T GeneSiC Semiconductor KBPC25010T 1.8979
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ECAD 3621 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,KBPC-T KBPC25010 标准 KBPC-T 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 200 1.1V@12.5A 1000V时为5μA 25A 单相 1kV
S40Q GeneSiC Semiconductor S40Q 10.3200
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ECAD 第791章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@40A 10μA@100V -65℃~190℃ 40A -
BR66 GeneSiC Semiconductor BR66 0.7425
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ECAD 3731 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -65°C ~ 125°C(太焦) 通孔 4方,BR-6 标准 BR-6 下载 符合RoHS标准 1(无限制) BR66GN EAR99 8541.10.0080 200 1V@3A 600V时为10μA 6A 单相 600伏
MURTA60060 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔60060 188.1435
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ECAD 8869 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔塔60060GN EAR99 8541.10.0080 24 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 300A 1.7V@300A 280纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBRT120100R GeneSiC Semiconductor MBRT120100R 75.1110
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ECAD 6865 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT120100 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT120100RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 100V 60A 880毫伏@60安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
KBPC2504T GeneSiC Semiconductor KBPC2504T 2.2995
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ECAD 4286 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,KBPC-T KBPC2504 标准 KBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@12.5A 5μA@400V 25A 单相 400V
MBRT600200R GeneSiC Semiconductor MBRT600200R 140.2020
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ECAD 7606 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT600200 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 200V 300A 920毫伏@300安 1毫安@200伏 -55℃~150℃
GBPC5010W GeneSiC Semiconductor GBPC5010W 4.0155
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ECAD 6532 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4方,GBPC-W GBPC5010 标准 GBPC-W 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.2V@25A 1000V时为5μA 50A 单相 1kV
GBU4G GeneSiC Semiconductor GBU4G 1.4500
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ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、GBU GBU4 标准 GBU 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@4A 5μA@400V 4A 单相 400V
MBRT500150R GeneSiC Semiconductor MBRT500150R -
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ECAD 6137 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 150伏 250A 880毫伏@250安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
MBRF40040 GeneSiC Semiconductor MBRF40040 -
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ECAD 6647 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 200A 700毫伏@200安 1毫安@40伏 -55℃~150℃
1N1190A GeneSiC Semiconductor 1N1190A 10.3200
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ECAD 102 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1190 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1043 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.1V@40A 50V时为10μA -65℃~190℃ 40A -
MUR2520R GeneSiC Semiconductor 穆尔2520R 10.1910
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ECAD 2903 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 毛里求斯2520 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔2520RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@25A 75纳秒 50V时为10μA -55℃~150℃ 25A -
MBR2X120A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A120 51.8535
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ECAD 第1302章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X120 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 120V 120A 880毫伏@120安 3毫安@120伏 -40℃~150℃
S12QR GeneSiC Semiconductor S12QR 4.2345
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ECAD 9111 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S12Q 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S12QRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃~175℃ 12A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库