SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压-峰值反向（最大）
MBRT30045RL GeneSiC Semiconductor MBRT30045RL -
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 150a 600 MV @ 150 A 3 ma @ 45 V -55°C〜150°C
GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N 55.7100
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GD2X SIC （碳化硅） SOT-227 下载 （1 （无限） 1242-GD2X25MPS17N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1700 v 50A（DC） 1.8 V @ 25 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C
FR20D02 GeneSiC Semiconductor FR20D02 9.0510
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR20D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
GKN130/14 GeneSiC Semiconductor GKN130/14 35.2952
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKN130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1400 V -40°C〜180°C 165a -
MBRT200100R GeneSiC Semiconductor MBRT200100R 98.8155
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT200100 肖特基，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT200100RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
2W005M GeneSiC Semiconductor 2W005M -
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -65°C〜125°C（TJ） 通过洞 4圆，妇女 标准 口碑营销 下载 （1 （无限） 2W005MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V 2 a 单相 50 V
MBRTA60020R GeneSiC Semiconductor MBRTA60020R -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR20060CTR GeneSiC Semiconductor MBR20060CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20060 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 200a（DC） 750 mv @ 100 a 5 ma @ 20 V
MBR2X050A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A060 43.6545
RFQ
 ECAD 5087 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 50a 750 MV @ 50 A 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
GBPC2501T GeneSiC Semiconductor GBPC2501T 2.5335
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC2501 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
MBRH24020 GeneSiC Semiconductor MBRH24020 76.4925
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 720 MV @ 240 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C 240a -
MURT10010R GeneSiC Semiconductor murt10010r -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10010rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRF20060R GeneSiC Semiconductor MBRF20060R -
RFQ
 ECAD 3022 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 100a 750 mv @ 100 a 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
BR102 GeneSiC Semiconductor BR102 0.9555
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR102GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
FR70D02 GeneSiC Semiconductor FR70D02 17.5905
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 70 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220 -
RFQ
 ECAD 1093 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GB10SLT12 SIC （碳化硅） TO-220-2 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 10a 520pf @ 1V，1MHz
KBPC1501W GeneSiC Semiconductor KBPC1501W 2.1795
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC1501 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 100 v
MBRH12030R GeneSiC Semiconductor MBRH12030R 60.0375
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH12030 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12030RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 650 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
FR6JR02 GeneSiC Semiconductor FR6JR02 5.1225
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6JR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.4 V @ 6 A 250 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBR30040CTR GeneSiC Semiconductor MBR30040CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30040CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR40MR05 GeneSiC Semiconductor FR40MR05 17.1300
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
GKR240/18 GeneSiC Semiconductor GKR240/18 73.7988
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1800 V -55°C〜150°C 165a -
FR30B02 GeneSiC Semiconductor FR30B02 10.4070
RFQ
 ECAD 1814年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30B02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
FR30JR02 GeneSiC Semiconductor FR30JR02 10.5930
RFQ
 ECAD 2177 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30JR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
MURTA600120R GeneSiC Semiconductor Murta600120r 207.4171
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta600120 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 1200 v 300A 2.6 V @ 300 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 -
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 GC50MPS12 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1340 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 50 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 212a 3263pf @ 1V，1MHz
FR30A02 GeneSiC Semiconductor FR30A02 10.4070
RFQ
 ECAD 1833年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30A02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
FR12JR02 GeneSiC Semiconductor FR12JR02 9.2235
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 800 mv @ 12 a 250 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBR8045R GeneSiC Semiconductor MBR8045R 25.9300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR8045 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 650 mv @ 80 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 80a -
GBU10D GeneSiC Semiconductor GBU10D 1.6300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU10 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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