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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR400150CT | 98.8155 | ![]() | 4200 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR400150 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 200A | 880毫伏@200安 | 3毫安@150伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | GKR71/14 | 12.4659 | ![]() | 9732 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | GKR71 | 标准 | 溶解O | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@60A | 10毫安@1400伏 | -40℃~180℃ | 95A | - | |||||||||
![]() | GD2X150MPS06N | 69.0500 | ![]() | 134 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 1(无限制) | 1242-GD2X150MPS06N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 650伏 | 150A(直流) | 1.8V@150A | 0纳秒 | 650V时为10μA | -55℃~175℃ | ||||||||
![]() | S25BR | 5.2485 | ![]() | 2966 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S25B | 标准,反脊柱 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25BRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | ||||||||
![]() | MBRF60045R | - | ![]() | 5037 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 300A(直流) | 650毫伏@300安 | 10毫安@20伏 | -40℃~175℃ | |||||||||||
![]() | FR16JR02 | 8.5020 | ![]() | 4354 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 900毫伏@16安 | 250纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||
![]() | 穆尔塔600120R | 207.4171 | ![]() | 5478 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔600120 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 1200伏 | 300A | 2.6V@300A | 1200V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRF120200R | - | ![]() | 4199 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 穆尔7020R | 17.7855 | ![]() | 9716 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 穆尔7020 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔7020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | |||||||
![]() | 穆尔特30060R | 118.4160 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MURT30060 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT30060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 150A | 1.7V@150A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | 穆尔塔30060R | 159.9075 | ![]() | 3583 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔30060 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 150A | 1.7V@150A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | KBL408G | 0.5385 | ![]() | 6395 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | KBL408 | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBL408GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 800V时为5μA | 4A | 单相 | 800V | |||||||||
![]() | S6D | 3.8625 | ![]() | 4075 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S6DGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@6A | 10μA@100V | -65℃~175℃ | 6A | - | |||||||||
![]() | S25MR | 5.2485 | ![]() | 4469 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S25M | 标准,反脊柱 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | ||||||||
![]() | 150K80A | 35.5695 | ![]() | 4285 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 150K80 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 150K80AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.33V@150A | 32毫安@800伏 | -40℃~200℃ | 150A | - | ||||||||
![]() | GB05MPS33-263 | 30.3000 | ![]() | 162 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | GB05MPS33 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1351 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 3300伏 | 3V@5A | 0纳秒 | 10μA@3000V | -55℃~175℃ | 14A | 288pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | 穆尔夫20060R | - | ![]() | 9946 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | 1(无限制) | 穆尔夫20060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 100A | 1.7V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MSRT100140D | 87.1935 | ![]() | 9947 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 微软RT100 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRT100140D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1400伏 | 100A | 1.1V@100A | 10μA@1400V | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | GD30MPS06A | 5.4000 | ![]() | 310 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD30MPS06A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 175℃ | 30A | - | |||||||||
![]() | SD51R | 20.2170 | ![]() | 3373 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | SD51 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | SD51RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 660 毫伏 @ 60 安 | 5毫安@45伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | ||||||||
![]() | MBRTA50060 | - | ![]() | 8240 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FR20K05 | 9.2895 | ![]() | 2655 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20K05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1V@20A | 500纳秒 | 800V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | ||||||||
![]() | MUR2X030A06 | - | ![]() | 5864 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1306 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 600伏 | 30A | 1.5V@30A | 60纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~175℃ | ||||||||
![]() | FR85GR05 | 24.1260 | ![]() | 6610 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR85GR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.4V@85A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | ||||||||
![]() | MBR20060CTR | 90.1380 | ![]() | 4535 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20060 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20060CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 200A(直流) | 750毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | |||||||||
![]() | 穆尔夫30020R | - | ![]() | 4843 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 200V | 150A | 1V@150A | 25μA@200V | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 国标J25B | 0.9795 | ![]() | 第1534章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J25 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ25B | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@12.5A | 10μA@100V | 25A | 单相 | 100V | ||||||||||
![]() | KBL601G | 0.5805 | ![]() | 1260 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | KBL601 | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBL601GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 5μA@50V | 6A | 单相 | 50V | |||||||||
![]() | 1N3766R | 6.2320 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3766R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3766RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | ||||||||
![]() | 1N6096R | 14.8695 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N6096R | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N6096RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 580毫伏@25安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 25A | - |
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