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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 当前 - 最大 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电阻@If,F
S70K GeneSiC Semiconductor S70K 9.8985
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ECAD 6299 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S70KGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.1V@70A 10μA@100V -65℃~180℃ 70A -
1N3209R GeneSiC Semiconductor 1N3209R 7.0650
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ECAD 3843 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3209R 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3209RGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 100V 1.5V@15A 50V时为10μA -65℃~175℃ 15A -
MBR6080R GeneSiC Semiconductor MBR6080R 21.3105
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ECAD 7547 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR6080 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR6080RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 80V 840 毫伏 @ 60 安 5毫安@20伏 -65℃~150℃ 60A -
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0.7425
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ECAD 3583 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -65°C ~ 125°C(太焦) 通孔 4方,BR-6 标准 BR-6 下载 符合RoHS标准 1(无限制) BR68GN EAR99 8541.10.0080 200 1V@3A 800V时为10μA 6A 单相 800V
FR70B02 GeneSiC Semiconductor FR70B02 17.5905
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ECAD 1076 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR70B02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 1.4V@70A 200纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 70A -
GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-220 -
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ECAD 第1262章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 通孔 TO-220-2 GB05SLT12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@2A 0纳秒 1200V时为50μA -55℃~175℃ 5A 260pF@1V、1MHz
GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 44.6700
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ECAD 130 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-206AB、TO-46-3金属罐 GB02SHT01 SiC(碳化硅)肖特基 TO-46 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1254 EAR99 8541.10.0080 200 无恢复T>500mA(Io) 100V 1.6V@1A 0纳秒 100V时为5μA -55℃~210℃ 4A 76pF@1V、1MHz
MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A04 50.2485
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ECAD 2845 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 穆尔2X120 标准 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 2 独立 400V 120A 1.3V@120A 400V时为25μA -55℃~175℃
MUR2X030A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A02 36.7500
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ECAD 3579 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 穆尔2X030 标准 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1305 EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 200V 30A 1V@30A 60纳秒 25μA@200V -55℃~175℃
S320J GeneSiC Semiconductor S320J 63.8625
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ECAD 6900 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S320 标准 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S320JGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.2V@300A 600V时为10μA -60℃~180℃ 320A -
FR20DR02 GeneSiC Semiconductor FR20DR02 9.3555
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ECAD 1418 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR20DR02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@20A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 20A -
MUR2X030A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A04 36.7500
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ECAD 4368 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 穆尔2X030 标准 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 2 独立 400V 30A 1.3V@30A 400V时为25μA -55℃~175℃
GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D 17.3000
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ECAD 170 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-3 GD2X SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-GD2X30MPS12D EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 1200伏 55A(直流) 1.8V@30A 1200V时为20μA -55℃~175℃
MBR50040CTR GeneSiC Semiconductor MBR50040CTR -
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ECAD 7408 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR50040CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
S12QR GeneSiC Semiconductor S12QR 4.2345
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ECAD 9111 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S12Q 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S12QRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃~175℃ 12A -
MBRT12080R GeneSiC Semiconductor MBRT12080R 75.1110
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ECAD 2011年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT12080 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT12080RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 60A 880毫伏@60安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MURF30020R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫30020R -
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ECAD 4843 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共阳极 200V 150A 1V@150A 25μA@200V -55℃~150℃
1N3892R GeneSiC Semiconductor 1N3892R 9.3600
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ECAD 第494章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3892R 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1092 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
MBRF12030 GeneSiC Semiconductor MBRF12030 -
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ECAD 3993 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 30V 60A 700 毫伏 @ 60 安 1毫安@30伏 -55℃~150℃
FR16G02 GeneSiC Semiconductor FR16G02 8.1330
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ECAD 6045 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16G02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 900毫伏@16安 200纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MURF20040R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫20040R -
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ECAD 4729 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244AB - 1(无限制) 穆尔夫20040RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400V 100A 1.3V@100A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
DB105G GeneSiC Semiconductor DB105G 0.1980
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ECAD 8839 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-EDIP (0.321", 8.15mm) DB105 标准 数据库 下载 符合RoHS标准 1(无限制) DB105GGN EAR99 8541.10.0080 2,500人 1.1V@1A 600V时为10μA 1A 单相 600伏
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
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ECAD 4 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 结合 GA01PNS150 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1258 EAR99 8541.10.0080 10 1A 7pF@1000V,1MHz PIN-单个 15000V -
MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTRL -
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ECAD 4998 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 150A 580毫伏@150安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor KBPC1510W 2.1825
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ECAD 5560 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 安装结构 4方,KBPC-W KBPC1510 标准 KBPC-W 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@7.5A 1000V时为5μA 15A 单相 1kV
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1N6096R 14.8695
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ECAD 2380 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N6096R 肖特基,反 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N6096RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 580毫伏@25安 2毫安@20伏 -55℃~150℃ 25A -
KBL601G GeneSiC Semiconductor KBL601G 0.5805
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ECAD 1260 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBL KBL601 标准 韩国广播公司 下载 符合RoHS标准 1(无限制) KBL601GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@6A 5μA@50V 6A 单相 50V
KBPM2005G GeneSiC Semiconductor KBPM2005G -
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ECAD 9982 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBPM 标准 KBPM 下载 1(无限制) REACH 不出行 KBPM2005GGN EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1V@2A 5μA@50V 2A 单相 50V
GBJ25B GeneSiC Semiconductor 国标J25B 0.9795
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ECAD 第1534章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBJ 国标J25 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ25B EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@12.5A 10μA@100V 25A 单相 100V
MBR30060CTR GeneSiC Semiconductor MBR30060CTR 94.5030
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ECAD 第1364章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30060 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR30060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 60V 150A 750毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库