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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压-峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR70G02 | 21.1300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1039 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 70 A | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | ||||||||
![]() | GD50MPS12H | 15.7700 | ![]() | 398 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GD50MPS12H | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 50 A | 0 ns | 15 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 92a | 1835pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | FST8330SM | - | ![]() | 4744 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D61-3SM | 肖特基 | D61-3SM | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | FST8330SMGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 80A(DC) | 650 mv @ 80 A | 1.5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | murt30005r | - | ![]() | 4624 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murt30005RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 150a | 1.3 V @ 150 A | 100 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | GB02SLT12-252 | - | ![]() | 6547 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | GB02SLT12 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 5a | 131pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | Murt10020 | - | ![]() | 9709 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murt10020gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRT40045 | 121.6500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1059 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 200a | 750 MV @ 200 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | GKR71/14 | 12.4659 | ![]() | 9732 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | GKR71 | 标准 | do-5 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.5 V @ 60 A | 10 ma @ 1400 V | -40°C〜180°C | 95a | - | |||||||||
![]() | GBPC2502W | 4.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC2502 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1289 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 200 V | 25 a | 单相 | 200 v | |||||||||
![]() | MSRTA400160A | 60.2552 | ![]() | 8098 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA400160 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 400A(DC) | 1.2 V @ 400 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBRT60020 | 140.2020 | ![]() | 8188 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT60020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | 1N1184AR | 6.3770 | ![]() | 4538 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1184AR | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N1184ARGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | ||||||||
![]() | MBRH200150 | 70.0545 | ![]() | 7763 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 880 mv @ 200 a | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | 200a | - | ||||||||||
![]() | GD30MPS06A | 5.4000 | ![]() | 310 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GD30MPS06A | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 175°C | 30a | - | |||||||||
![]() | MUR2X120A06 | 50.2485 | ![]() | 7993 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 600 v | 120a | 1.3 V @ 120 A | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||
![]() | S150kr | 35.5695 | ![]() | 9943 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | S150 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S150krgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 150 A | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | ||||||||
![]() | FST6360M | - | ![]() | 3705 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 30a | 750 MV @ 30 A | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBR60020CTRL | - | ![]() | 7338 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 300A | 580 mv @ 300 A | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBRT30030 | 107.3070 | ![]() | 3535 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT30030GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 150a | 750 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | Murta20040r | 145.3229 | ![]() | 4975 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta20040 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 25 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | 150KR100A | 35.5695 | ![]() | 4122 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 150kr100agn | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.33 V @ 150 A | 24 mA @ 1000 V | -40°C 200°C | 150a | - | |||||||||
![]() | DB103G | 1.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB103 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 1 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | MSRT250120A | 54.2296 | ![]() | 9058 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT250120 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 250a(DC) | 1.2 V @ 250 A | 15 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | GB05MPS33-263 | 30.3000 | ![]() | 162 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA | GB05MPS33 | SIC (碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1351 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 3300 v | 3 V @ 5 A | 0 ns | 10 µA @ 3000 V | -55°C 〜175°C | 14a | 288pf @ 1V,1MHz | ||||||
![]() | MUR2X030A10 | - | ![]() | 4565 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1307 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1000 v | 30a | 2.35 V @ 30 A | 85 ns | 25 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | ||||||||
![]() | 1N5827 | 12.4155 | ![]() | 9767 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N5827 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N5827GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 470 mv @ 15 A | 10 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 15a | - | ||||||||
![]() | MBRF20030R | - | ![]() | 2084 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 100a | 700 mv @ 100 a | 1 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBRT30045RL | - | ![]() | 6044 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 45 v | 150a | 600 MV @ 150 A | 3 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | GD2X25MPS17N | 55.7100 | ![]() | 262 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GD2X | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | (1 (无限) | 1242-GD2X25MPS17N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 1700 v | 50A(DC) | 1.8 V @ 25 A | 0 ns | 20 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | ||||||||
![]() | FR20D02 | 9.0510 | ![]() | 3677 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR20D02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 20 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 20a | - |
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