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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 当前 - 最大 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电阻@If,F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S70K | 9.8985 | ![]() | 6299 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S70KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@70A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 70A | - | |||||||||||
![]() | 1N3209R | 7.0650 | ![]() | 3843 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3209R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3209RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.5V@15A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 15A | - | ||||||||||
![]() | MBR6080R | 21.3105 | ![]() | 7547 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR6080 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR6080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 80V | 840 毫伏 @ 60 安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | ||||||||||
![]() | BR68 | 0.7425 | ![]() | 3583 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4方,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | BR68GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1V@3A | 800V时为10μA | 6A | 单相 | 800V | ||||||||||||
![]() | FR70B02 | 17.5905 | ![]() | 1076 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR70B02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.4V@70A | 200纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||||||||||
![]() | GB05SLT12-220 | - | ![]() | 第1262章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | GB05SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 5A | 260pF@1V、1MHz | |||||||||||
GB02SHT01-46 | 44.6700 | ![]() | 130 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-206AB、TO-46-3金属罐 | GB02SHT01 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-46 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1254 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 无恢复T>500mA(Io) | 100V | 1.6V@1A | 0纳秒 | 100V时为5μA | -55℃~210℃ | 4A | 76pF@1V、1MHz | ||||||||||
![]() | MUR2X120A04 | 50.2485 | ![]() | 2845 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2 独立 | 400V | 120A | 1.3V@120A | 400V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||||||||
![]() | MUR2X030A02 | 36.7500 | ![]() | 3579 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X030 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1305 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 200V | 30A | 1V@30A | 60纳秒 | 25μA@200V | -55℃~175℃ | |||||||||
![]() | S320J | 63.8625 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S320 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S320JGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@300A | 600V时为10μA | -60℃~180℃ | 320A | - | ||||||||||
![]() | FR20DR02 | 9.3555 | ![]() | 1418 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@20A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | ||||||||||
![]() | MUR2X030A04 | 36.7500 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X030 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2 独立 | 400V | 30A | 1.3V@30A | 400V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||||||||
![]() | GD2X30MPS12D | 17.3000 | ![]() | 170 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X30MPS12D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 55A(直流) | 1.8V@30A | 1200V时为20μA | -55℃~175℃ | |||||||||
![]() | MBR50040CTR | - | ![]() | 7408 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR50040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | S12QR | 4.2345 | ![]() | 9111 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S12Q | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S12QRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | ||||||||||
![]() | MBRT12080R | 75.1110 | ![]() | 2011年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT12080 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT12080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 60A | 880毫伏@60安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 穆尔夫30020R | - | ![]() | 4843 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 200V | 150A | 1V@150A | 25μA@200V | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | 1N3892R | 9.3600 | ![]() | 第494章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3892R | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1092 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.4V@12A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | |||||||||
![]() | MBRF12030 | - | ![]() | 3993 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | FR16G02 | 8.1330 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 900毫伏@16安 | 200纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||||
![]() | 穆尔夫20040R | - | ![]() | 4729 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | 1(无限制) | 穆尔夫20040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 100A | 1.3V@100A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | DB105G | 0.1980 | ![]() | 8839 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB105 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB105GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1A | 600V时为10μA | 1A | 单相 | 600伏 | |||||||||||
![]() | GA01PNS150-220 | 561.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 结合 | GA01PNS150 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1258 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1A | 7pF@1000V,1MHz | PIN-单个 | 15000V | - | |||||||||||||
![]() | MBR30020CTRL | - | ![]() | 4998 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | KBPC1510W | 2.1825 | ![]() | 5560 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 安装结构 | 4方,KBPC-W | KBPC1510 | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 1000V时为5μA | 15A | 单相 | 1kV | ||||||||||||
![]() | 1N6096R | 14.8695 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N6096R | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N6096RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 580毫伏@25安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 25A | - | ||||||||||
![]() | KBL601G | 0.5805 | ![]() | 1260 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | KBL601 | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBL601GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 5μA@50V | 6A | 单相 | 50V | |||||||||||
![]() | KBPM2005G | - | ![]() | 9982 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM2005GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1V@2A | 5μA@50V | 2A | 单相 | 50V | ||||||||||||
![]() | 国标J25B | 0.9795 | ![]() | 第1534章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J25 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ25B | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@12.5A | 10μA@100V | 25A | 单相 | 100V | ||||||||||||
![]() | MBR30060CTR | 94.5030 | ![]() | 第1364章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR30060 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR30060CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 150A | 750毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ |
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