SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压-峰值反向(最大)
FR70G02 GeneSiC Semiconductor FR70G02 21.1300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1039 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.4 V @ 70 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H 15.7700
RFQ
ECAD 398 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD50MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 50 A 0 ns 15 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 92a 1835pf @ 1V,1MHz
FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8330SM -
RFQ
ECAD 4744 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 (1 (无限) 到达不受影响 FST8330SMGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 80A(DC) 650 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURT30005R GeneSiC Semiconductor murt30005r -
RFQ
ECAD 4624 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Murt30005RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 50 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 -
RFQ
ECAD 6547 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 GB02SLT12 SIC (碳化硅) TO-252 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 131pf @ 1V,1MHz
MURT10020 GeneSiC Semiconductor Murt10020 -
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murt10020gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT40045 GeneSiC Semiconductor MBRT40045 121.6500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1059 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GKR71/14 GeneSiC Semiconductor GKR71/14 12.4659
RFQ
ECAD 9732 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 GKR71 标准 do-5 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 1400 V -40°C〜180°C 95a -
GBPC2502W GeneSiC Semiconductor GBPC2502W 4.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC2502 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1289 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
MSRTA400160A GeneSiC Semiconductor MSRTA400160A 60.2552
RFQ
ECAD 8098 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA400160 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1600 v 400A(DC) 1.2 V @ 400 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT60020 GeneSiC Semiconductor MBRT60020 140.2020
RFQ
ECAD 8188 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT60020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1N1184AR 6.3770
RFQ
ECAD 4538 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1184AR 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N1184ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 40a -
MBRH200150 GeneSiC Semiconductor MBRH200150 70.0545
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 880 mv @ 200 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C 200a -
GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A 5.4000
RFQ
ECAD 310 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD30MPS06A Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 0 ns 175°C 30a -
MUR2X120A06 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A06 50.2485
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MUR2X120 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2独立 600 v 120a 1.3 V @ 120 A 25 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
S150KR GeneSiC Semiconductor S150kr 35.5695
RFQ
ECAD 9943 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 S150 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S150krgn Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
FST6360M GeneSiC Semiconductor FST6360M -
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 30a 750 MV @ 30 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL -
RFQ
ECAD 7338 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT30030 GeneSiC Semiconductor MBRT30030 107.3070
RFQ
ECAD 3535 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT30030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURTA20040R GeneSiC Semiconductor Murta20040r 145.3229
RFQ
ECAD 4975 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta20040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 400 v 100a 1.3 V @ 100 A 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
150KR100A GeneSiC Semiconductor 150KR100A 35.5695
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 150kr100agn Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.33 V @ 150 A 24 mA @ 1000 V -40°C 200°C 150a -
DB103G GeneSiC Semiconductor DB103G 1.3000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB103 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 200 V 1 a 单相 200 v
MSRT250120A GeneSiC Semiconductor MSRT250120A 54.2296
RFQ
ECAD 9058 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT250120 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1200 v 250a(DC) 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS33-263 30.3000
RFQ
ECAD 162 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 表面安装 TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA GB05MPS33 SIC (碳化硅) TO-263-7 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-1351 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 3300 v 3 V @ 5 A 0 ns 10 µA @ 3000 V -55°C 〜175°C 14a 288pf @ 1V,1MHz
MUR2X030A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A10 -
RFQ
ECAD 4565 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1307 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1000 v 30a 2.35 V @ 30 A 85 ns 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
1N5827 GeneSiC Semiconductor 1N5827 12.4155
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N5827 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N5827GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 470 mv @ 15 A 10 ma @ 20 V -65°C〜150°C 15a -
MBRF20030R GeneSiC Semiconductor MBRF20030R -
RFQ
ECAD 2084 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 100a 700 mv @ 100 a 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRT30045RL GeneSiC Semiconductor MBRT30045RL -
RFQ
ECAD 6044 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 45 v 150a 600 MV @ 150 A 3 ma @ 45 V -55°C〜150°C
GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N 55.7100
RFQ
ECAD 262 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GD2X SIC (碳化硅) SOT-227 下载 (1 (无限) 1242-GD2X25MPS17N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 1700 v 50A(DC) 1.8 V @ 25 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C
FR20D02 GeneSiC Semiconductor FR20D02 9.0510
RFQ
ECAD 3677 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR20D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库