SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
FST6320M GeneSiC Semiconductor FST6320M -
RFQ
 ECAD 1756年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 30a 700 mv @ 30 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60040RL GeneSiC Semiconductor MBRT60040RL -
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 40 V -55°C〜150°C
KBPC35010T GeneSiC Semiconductor KBPC35010T 2.0176
RFQ
 ECAD 8979 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，KBPC-T KBPC35010 标准 KBPC-T 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 a 单相 1 kV
DB155G GeneSiC Semiconductor DB155G 0.2325
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-Edip（0.321英寸，8.15mm） DB155 标准 DB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） DB155GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
KBU6M GeneSiC Semiconductor KBU6M 1.7600
RFQ
 ECAD 7656 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu KBU6 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA @ 1000 V 6 a 单相 1 kV
MBRF40030R GeneSiC Semiconductor MBRF40030R -
RFQ
 ECAD 2863 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 200a 700 mv @ 200 a 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRF20045R GeneSiC Semiconductor MBRF20045R -
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
FST7340M GeneSiC Semiconductor FST7340M -
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 35a 700 MV @ 35 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
MBR2X100A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A100 50.2485
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 100 v 100a 840 mv @ 100 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
1N3294A GeneSiC Semiconductor 1N3294A 33.5805
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3294 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3294AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 100 A 13 ma @ 800 V -40°C 200°C 100a -
MBR20030CT GeneSiC Semiconductor MBR20030CT 90.1380
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1008 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S320JR GeneSiC Semiconductor S320JR 62.2080
RFQ
 ECAD 6119 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S320 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S320JRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MBR20045CTR GeneSiC Semiconductor MBR20045CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20045CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V
MBR2X160A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A150 59.6700
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 150 v 160a 880 mv @ 160 A 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor MUR30010CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 3859 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30010CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT12080 GeneSiC Semiconductor MBRT12080 75.1110
RFQ
 ECAD 5417 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR2X100A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A180 55.4800
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1303 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 180 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 180 V -40°C〜150°C
MBRTA40020L GeneSiC Semiconductor MBRTA40020L -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FST10020 GeneSiC Semiconductor FST10020 65.6445
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 100a 650 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V
GBU15D GeneSiC Semiconductor GBU15D 0.6120
RFQ
 ECAD 9784 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU15 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBU15DGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
MBRT600150 GeneSiC Semiconductor MBRT600150 140.2020
RFQ
 ECAD 7951 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50040RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRTA200140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200140AD 85.9072
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1400 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1400 V -55°C〜150°C
GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12-247 10.5555
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GC2X15 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1333 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 75A（DC） 1.8 V @ 15 A 0 ns 14 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBRF300200 GeneSiC Semiconductor MBRF300200 -
RFQ
 ECAD 1519年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3002 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 150a 920 MV @ 150 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
S25JR GeneSiC Semiconductor S25JR 5.2485
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25J 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25JRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
FST10060 GeneSiC Semiconductor FST10060 65.6445
RFQ
 ECAD 4181 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 100a 750 mv @ 100 a 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N2131AR GeneSiC Semiconductor 1N2131AR 11.7300
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2131AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 1.3500
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GB01SLT12 SIC （碳化硅） TO-252 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 1 A 0 ns 2 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 1a 69pf @ 1V，1MHz
1N3765 GeneSiC Semiconductor 1N3765 6.2320
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3765 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3765GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 700 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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