SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压-峰值反向（最大）
MBRF40060 GeneSiC Semiconductor MBRF40060 -
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 200a 750 MV @ 200 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
S25B GeneSiC Semiconductor S25B 5.2485
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25BGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBRTA80035RL GeneSiC Semiconductor mbrta80035rl -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 400a 600 MV @ 400 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBRF40040 GeneSiC Semiconductor MBRF40040 -
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
FR40DR05 GeneSiC Semiconductor FR40DR05 13.8360
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40DR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
S25BR GeneSiC Semiconductor S25BR 5.2485
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25B 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25BRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A04 50.2485
RFQ
 ECAD 2845 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X120 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 400 v 120a 1.3 V @ 120 A 25 µA @ 400 V -55°C 〜175°C
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 2.5700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 DO-214AA，SMB GB01SLT12 SIC （碳化硅） SMB（do-214AA） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 1 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 2.5a 69pf @ 1V，1MHz
MBRH24030R GeneSiC Semiconductor MBRH24030R 76.4925
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH24030 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C 240a -
1N6095 GeneSiC Semiconductor 1N6095 14.0145
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N6095 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N6095GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
MBRF40040R GeneSiC Semiconductor MBRF40040R -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220 1.3770
RFQ
 ECAD 2249 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 GC02MPS12 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1323 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 2 A 0 ns 2 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 12a 127pf @ 1V，1MHz
FR85G05 GeneSiC Semiconductor FR85G05 23.1210
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85G05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MURF20010 GeneSiC Semiconductor Murf20010 -
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） murf20010gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N5829R GeneSiC Semiconductor 1N5829R 14.8695
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N5829R 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5829RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
MBRT20080 GeneSiC Semiconductor MBRT20080 98.8155
RFQ
 ECAD 3151 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S25G GeneSiC Semiconductor S25G 5.2485
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25GGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S16DR GeneSiC Semiconductor s16dr 4.5900
RFQ
 ECAD 5318 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S16D 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S16drgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBR2X060A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A120 46.9860
RFQ
 ECAD 3440 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 120 v 60a 880 mv @ 60 a 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
MBRT300100R GeneSiC Semiconductor MBRT300100R 107.3070
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT300100 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT300100RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 150a 880 mv @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA60030 GeneSiC Semiconductor MBRTA60030 -
RFQ
 ECAD 6638 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 300A 700 MV @ 300 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor MUR20060CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 100a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1N1184AR 6.3770
RFQ
 ECAD 4538 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1184AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N1184ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 40a -
FST8360M GeneSiC Semiconductor FST8360M -
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 （1 （无限） FST8360MGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 80A（DC） 750 MV @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor MBR400100CTR 102.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400100 肖特基，反极性 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1106 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA60020R GeneSiC Semiconductor MBRTA60020R -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GBPC2501T GeneSiC Semiconductor GBPC2501T 2.5335
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC2501 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
FR30B02 GeneSiC Semiconductor FR30B02 10.4070
RFQ
 ECAD 1814年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30B02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 -
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 GC50MPS12 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1340 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 50 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 212a 3263pf @ 1V，1MHz
FR20J02 GeneSiC Semiconductor FR20J02 9.0510
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR20J02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 20 A 250 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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