SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
KBPM301G GeneSiC Semiconductor kbpm301g -
RFQ
 ECAD 9154 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbpm 标准 kbpm 下载 （1 （无限） 到达不受影响 kbpm301ggn Ear99 8541.10.0080 900 1.1 V @ 3 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 100 v
BR101 GeneSiC Semiconductor BR101 0.9555
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR101GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
BR1005 GeneSiC Semiconductor BR1005 0.9555
RFQ
 ECAD 4502 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR1005GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 50 V 10 a 单相 50 V
S6JR GeneSiC Semiconductor s6jr 3.8625
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S6J 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s6jrgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
MBR8045R GeneSiC Semiconductor MBR8045R 25.9300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR8045 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 650 mv @ 80 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 80a -
GBU10D GeneSiC Semiconductor GBU10D 1.6300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU10 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
FR30A02 GeneSiC Semiconductor FR30A02 10.4070
RFQ
 ECAD 1833年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30A02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
S25B GeneSiC Semiconductor S25B 5.2485
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25BGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
FR40DR05 GeneSiC Semiconductor FR40DR05 13.8360
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40DR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 2.5700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 DO-214AA，SMB GB01SLT12 SIC （碳化硅） SMB（do-214AA） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 1 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 2.5a 69pf @ 1V，1MHz
MBRT20080 GeneSiC Semiconductor MBRT20080 98.8155
RFQ
 ECAD 3151 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S25G GeneSiC Semiconductor S25G 5.2485
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25GGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBR2X060A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A120 46.9860
RFQ
 ECAD 3440 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 120 v 60a 880 mv @ 60 a 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor MUR20060CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 100a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FST8360M GeneSiC Semiconductor FST8360M -
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 （1 （无限） FST8360MGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 80A（DC） 750 MV @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor MBR400100CTR 102.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400100 肖特基，反极性 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1106 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA60020R GeneSiC Semiconductor MBRTA60020R -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GBPC2501T GeneSiC Semiconductor GBPC2501T 2.5335
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC2501 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
FR20J02 GeneSiC Semiconductor FR20J02 9.0510
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR20J02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 20 A 250 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 -
RFQ
 ECAD 6547 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GB02SLT12 SIC （碳化硅） TO-252 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 131pf @ 1V，1MHz
MBRT60020 GeneSiC Semiconductor MBRT60020 140.2020
RFQ
 ECAD 8188 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURTA40020 GeneSiC Semiconductor Murta40020 159.9075
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 200 v 200a 1.3 V @ 200 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRH20040 GeneSiC Semiconductor MBRH20040 70.0545
RFQ
 ECAD 4092 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20040GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MBR30040CTL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTL -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 150a 600 MV @ 150 A 3 ma @ 40 V -55°C〜150°C
GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220 -
RFQ
 ECAD 2459 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GC08MPS12 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1328 Ear99 8541.10.0080 8,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 8 A 0 ns 7 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 43a 545pf @ 1V，1MHz
KBU6J GeneSiC Semiconductor kbu6j 0.7035
RFQ
 ECAD 1631年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu KBU6 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） kbu6jgn Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA @ 50 V 6 a 单相 600 v
KBL602G GeneSiC Semiconductor KBL602G 0.5805
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBL KBL602 标准 KBL 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBL602GGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V 6 a 单相 100 v
KBU6B GeneSiC Semiconductor kbu6b 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu KBU6 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA @ 50 V 6 a 单相 100 v
GBL01 GeneSiC Semiconductor GBL01 2.9400
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl 标准 GBL 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBL01GN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V 4 a 单相 100 v
GBPC2510W GeneSiC Semiconductor GBPC2510W 4.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC2510 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1293 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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