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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
MSRT150160A GeneSiC Semiconductor MSRT150160A 38.5632
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ECAD 7371 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 1600伏 150A 1.2V@150A 600V时为10μA -55℃~150℃
MBR60035CTL GeneSiC Semiconductor MBR60035CTL -
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ECAD 2201 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 300A 600 毫伏 @ 300 安 3毫安@35伏 -55℃~150℃
1N2137AR GeneSiC Semiconductor 1N2137AR 8.9025
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ECAD 第1642章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N2137AR 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N2137ARGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 500V 1.1V@60A 50V时为10μA -65℃~200℃ 60A -
MURTA30040R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔30040R 159.9075
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ECAD 6838 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔30040 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共阳极 400V 150A 1.3V@150A 400V时为25μA -55℃~150℃
UFT7340M GeneSiC Semiconductor UFT7340M -
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ECAD 3616 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 标准 D61-3M - 1(无限制) Q11259022 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 400V 70A 1.3V@35A 75纳秒 400V时为20μA -55℃~150℃
MBRF200100 GeneSiC Semiconductor MBRF200100 -
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ECAD 2919 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 60A 840 毫伏 @ 60 安 1毫安@100伏 -55℃~150℃
FR16DR02 GeneSiC Semiconductor FR16DR02 8.5020
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ECAD 6699 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16DR02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 900毫伏@16安 200纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
1N3296A GeneSiC Semiconductor 1N3296A 37.4800
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ECAD 143 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3296 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3296AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.5V@100A 9毫安@1200伏 -40℃~200℃ 100A -
GBJ20J GeneSiC Semiconductor GBJ20J 0.9120
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ECAD 9925 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBJ 国标J20 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ20J EAR99 8541.10.0080 200 1V@10A 5μA@600V 20A 单相 600伏
MBRH20030R GeneSiC Semiconductor MBRH20030R 70.0545
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ECAD 5434 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH20030 肖特基,反 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRH20030RGN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 650毫伏@200安 5毫安@20伏 200A -
MSRTA300100AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300100AD 113.5544
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ECAD 7956 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA300 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 1000伏 300A 1.1V@300A 1000V时为20μA -55℃~150℃
MBRT500100 GeneSiC Semiconductor MBRT500100 -
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ECAD 第1383章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 1(无限制) MBRT500100GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 250A 880毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
FST160100 GeneSiC Semiconductor FST160100 75.1110
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ECAD 6738 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST160100GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 160A(直流) 880毫伏@160安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBR50030CT GeneSiC Semiconductor MBR50030CT -
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ECAD 2893 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR50030CTGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 30V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247 9.0525
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ECAD 7176 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GC20MPS12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-1338 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@20A 0纳秒 18μA@1200V -55℃~175℃ 90A 1298pF @ 1V、1MHz
MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor MBR12035CTR 68.8455
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ECAD 2768 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR12035 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR12035CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 35V 120A(直流) 650毫伏@120安 3毫安@20伏
FST16080 GeneSiC Semiconductor FST16080 75.1110
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ECAD 4115 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST16080GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 160A(直流) 880毫伏@160安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRT30035R GeneSiC Semiconductor MBRT30035R 111.0800
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ECAD 16 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT30035 肖特基,反 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1004 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 35V 150A 750毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRH15030L GeneSiC Semiconductor MBRH15030L -
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ECAD 8124 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 580毫伏@150安 3毫安@30伏 -55℃~150℃ 150A -
MBR80100R GeneSiC Semiconductor MBR80100R 1985年22月
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ECAD 4945 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR80100 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR80100RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 840毫伏@80安 5毫安@20伏 -65℃~150℃ 80A -
MBRTA80030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80030RL -
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ECAD 4676 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 30V 400A 580毫伏@400安 3毫安@30伏 -40℃~100℃
KBU8B GeneSiC Semiconductor KBU8B 0.7425
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ECAD 7012 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBU KBU8 标准 科布 下载 符合RoHS标准 1(无限制) KBU8BGN EAR99 8541.10.0080 400 1V@8A 10μA@100V 8A 单相 100V
BR810 GeneSiC Semiconductor BR810 0.8910
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ECAD 4104 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -65°C ~ 125°C(太焦) 通孔 4方,BR-8 标准 BR-8 下载 符合RoHS标准 1(无限制) BR810GN EAR99 8541.10.0080 200 1.1V@4A 10μA@1000V 8A 单相 1kV
BR101 GeneSiC Semiconductor BR101 0.9555
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ECAD 2926 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4方,BR-10 标准 BR-10 下载 符合RoHS标准 1(无限制) BR101GN EAR99 8541.10.0080 200 1.1V@5A 10μA@100V 10A 单相 100V
BR1005 GeneSiC Semiconductor BR1005 0.9555
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ECAD 4502 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4方,BR-10 标准 BR-10 下载 符合RoHS标准 1(无限制) BR1005GN EAR99 8541.10.0080 200 1.1V@5A 50V时为10μA 10A 单相 50V
GBPC2501T GeneSiC Semiconductor GBPC2501T 2.5335
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ECAD 9670 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,GBPC GBPC2501 标准 GBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@12.5A 100V时为5μA 25A 单相 100V
KBU6J GeneSiC Semiconductor KBU6J 0.7035
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ECAD 第1631章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBU KBU6 标准 科布 下载 符合RoHS标准 1(无限制) KBU6JGN EAR99 8541.10.0080 400 1V@6A 50V时为10μA 6A 单相 600伏
KBL602G GeneSiC Semiconductor KBL602G 0.5805
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ECAD 8316 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBL KBL602 标准 韩国广播公司 下载 符合RoHS标准 1(无限制) KBL602GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@6A 100V时为5μA 6A 单相 100V
KBU6B GeneSiC Semiconductor KBU6B 1.7600
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ECAD 2 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBU KBU6 标准 科布 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 400 1V@6A 50V时为10μA 6A 单相 100V
GBL01 GeneSiC Semiconductor GBL01 2.9400
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ECAD 8872 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBL 标准 GBL 下载 符合RoHS标准 1(无限制) GBL01GN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@4A 100V时为5μA 4A 单相 100V
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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    智能仓库