SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
S6J GeneSiC Semiconductor S6J 3.8625
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s6jgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
MSRT100160D GeneSiC Semiconductor MSRT100160D 87.1935
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT100160D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 1600 V -55°C〜150°C
UFT10060 GeneSiC Semiconductor UFT10060 -
RFQ
 ECAD 6080 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 标准 TO-249AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor MBR600150CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR600150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBR2X080A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A120 48.6255
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 120 v 80a 880 mv @ 80 a 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
MBRTA600200 GeneSiC Semiconductor MBRTA600200 -
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 4 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRH20020R GeneSiC Semiconductor MBRH20020R 70.0545
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20020 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20020RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MBRT120150 GeneSiC Semiconductor MBRT120150 -
RFQ
 ECAD 3624 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBR2X100A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A200 50.2485
RFQ
 ECAD 8518 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 200 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
GKR240/12 GeneSiC Semiconductor GKR240/12 59.1425
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 320a -
MURH7010R GeneSiC Semiconductor Murh7010r 49.5120
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh7010 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C 70a -
MBR3535 GeneSiC Semiconductor MBR3535 14.3280
RFQ
 ECAD 4277 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3535GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
UFT14005 GeneSiC Semiconductor UFT14005 -
RFQ
 ECAD 7695 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 标准 TO-249AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 70a 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247 9.0525
RFQ
 ECAD 7176 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GC20MPS12 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1338 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 20 A 0 ns 18 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 90a 1298pf @ 1V，1MHz
MURTA50020 GeneSiC Semiconductor Murta50020 174.1546
RFQ
 ECAD 7173 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta50020gn Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 250a 1.3 V @ 250 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
UFT10020 GeneSiC Semiconductor UFT10020 -
RFQ
 ECAD 4249 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 标准 TO-249AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 50a 1 V @ 50 A 60 ns 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRF400200 GeneSiC Semiconductor MBRF400200 -
RFQ
 ECAD 6322 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 200a 920 MV @ 200 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
GKN71/04 GeneSiC Semiconductor GKN71/04 12.3735
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 GKN71 标准 do-5 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 400 V -40°C〜180°C 95a -
1N8031-GA GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-276AA 1N8031 SIC （碳化硅） TO-276 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C〜250°C 1a 76pf @ 1V，1MHz
FST160150 GeneSiC Semiconductor FST160150 75.1110
RFQ
 ECAD 6755 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 80a 880 mv @ 80 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MSRT250160A GeneSiC Semiconductor MSRT250160A 54.2296
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT250160 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MURT40005 GeneSiC Semiconductor Murt40005 -
RFQ
 ECAD 7628 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt40005gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N5831 GeneSiC Semiconductor 1N5831 14.0145
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N5831 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5831GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
150KR20A GeneSiC Semiconductor 150kr20a 35.5695
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 150KR20AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.33 V @ 150 A 35 ma @ 200 V -40°C 200°C 150a -
FST12060 GeneSiC Semiconductor FST12060 70.4280
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST12060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 120A（DC） 750 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR30020CTL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTL -
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRH15035L GeneSiC Semiconductor MBRH15035L -
RFQ
 ECAD 2604 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 600 MV @ 150 A 3 ma @ 35 V 150a -
FR70GR05 GeneSiC Semiconductor FR70GR05 17.7855
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70GR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MURF40060R GeneSiC Semiconductor Murf40060r -
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 200a 1.7 V @ 200 A 240 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA20060D GeneSiC Semiconductor MSRTA20060D 142.3575
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA200 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA20060D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 600 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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