电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRF60080R | - | ![]() | 4000 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 300A | 840毫伏@250安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | 穆尔夫40010R | - | ![]() | 3044 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100V | 200A | 1V@200A | 150纳秒 | 100V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | S25DR | 5.2485 | ![]() | 7653 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S25D | 标准,反脊柱 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25DRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | ||||
![]() | MBRT60045L | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 300A | 600 毫伏 @ 300 安 | 5毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBRT200100 | 102.9600 | ![]() | 69 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1075 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 100A | 880 毫伏 @ 100 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||
![]() | 1N3890R | 6.8085 | ![]() | 6817 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3890R | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3890RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.4V@12A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | |||
![]() | MURT20060 | 104.4930 | ![]() | 5897 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT20060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 100A | 1.7V@100A | 160纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
![]() | 穆尔夫30010 | - | ![]() | 9707 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 100V | 150A | 1V@150A | 100V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBRT400100R | 118.4160 | ![]() | 2612 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT400100 | 肖特基,反 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1017 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100V | 200A | 880毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||
![]() | MSRTA200100D | 142.3575 | ![]() | 4542 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA200 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA200100D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1000伏 | 200A | 1.1V@200A | 10μA@1000V | -55℃~150℃ | |||||
![]() | MURT20010 | 104.4930 | ![]() | 1832年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT20010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
穆尔7020 | 17.5905 | ![]() | 7661 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1014 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | |||||
![]() | MBR2X160A200 | 59.6700 | ![]() | 2131 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X160 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 200V | 160A | 920毫伏@160安 | 3毫安@200伏 | -40℃~150℃ | |||||
![]() | MBR60020CTR | 129.3585 | ![]() | 7733 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR60020 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR60020CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 300A | 750毫伏@300安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||
![]() | MBR12045CTR | 73.9100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR12045 | 肖特基,反 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1068 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 120A(直流) | 650 毫伏 @ 60 安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||
![]() | MBR2X030A100 | 45.3800 | ![]() | 8002 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X030 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1298 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 100V | 60A | 840 毫伏 @ 30 安 | 1毫安@100伏 | -40℃~150℃ | ||||
![]() | FR16KR05 | 8.5020 | ![]() | 2467 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16KR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.1V@16A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||
![]() | 毛里求斯2520 | 10.1910 | ![]() | 6528 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔2520GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@25A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 25A | - | ||||
![]() | FR16BR05 | 8.5020 | ![]() | 9708 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16BR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.1V@16A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||
![]() | MBR40020CTR | 98.8155 | ![]() | 3646 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR40020 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR40020CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 200A | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||
![]() | FR40BR05 | 13.8360 | ![]() | 2002年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40BR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@40A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | ||||
![]() | MBR20060CT | 90.1380 | ![]() | 5435 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20060 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20060CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 200A(直流) | 750毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | |||||
![]() | MBRTA600200 | - | ![]() | 6985 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 300A | 920毫伏@300安 | 4毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBR500100CT | - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR500100CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 250A | 880毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||
![]() | MBR60020CTL | - | ![]() | 8989 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 300A | 580毫伏@300安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | S300GR | 63.8625 | ![]() | 6829 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S300 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S300GRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.2V@300A | 10μA@100V | -60℃~200℃ | 300A | - | ||||
![]() | S16Q | 4.5900 | ![]() | 第1153章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@16A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 16A | - | ||||||
![]() | MBRH20035 | 70.0545 | ![]() | 7861 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH20035GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | 200A | - | ||||||
![]() | 穆尔赫10005R | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 标准,反脊柱 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURH10005RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | 100A | - | |||||
![]() | 默尔H7060 | 49.5120 | ![]() | 第1252章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@70A | 110纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - |
日平均询价量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库