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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
FR16G05 GeneSiC Semiconductor FR16G05 8.1330
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16G05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
KBU8G GeneSiC Semiconductor kbu8g 1.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu KBU8 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 A 10 µA @ 400 V 8 a 单相 400 v
FR16GR05 GeneSiC Semiconductor FR16GR05 8.5020
RFQ
 ECAD 1907年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16GR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MSRT250160A GeneSiC Semiconductor MSRT250160A 54.2296
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT250160 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
FST160100 GeneSiC Semiconductor FST160100 75.1110
RFQ
 ECAD 6738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST160100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 160a（DC） 880 mv @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRH20040R GeneSiC Semiconductor MBRH20040R 70.0545
RFQ
 ECAD 1575年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20040 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20040RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MUR5020 GeneSiC Semiconductor MUR5020 17.4870
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR5020GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 50 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
MBR50040CT GeneSiC Semiconductor MBR50040CT -
RFQ
 ECAD 4431 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR50040CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N8031-GA GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-276AA 1N8031 SIC （碳化硅） TO-276 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C〜250°C 1a 76pf @ 1V，1MHz
FR30D02 GeneSiC Semiconductor FR30D02 10.4070
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
MBRT12060R GeneSiC Semiconductor MBRT12060R 75.1110
RFQ
 ECAD 5412 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT12060 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12060RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 60a 800 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRT150120A GeneSiC Semiconductor MSRT150120A 38.5632
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 150a 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
KBU1006 GeneSiC Semiconductor KBU1006 0.8205
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBU1006GN Ear99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
1N6097 GeneSiC Semiconductor 1N6097 20.4585
RFQ
 ECAD 4524 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N6097 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N6097GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 700 MV @ 50 A 5 ma @ 30 V -65°C〜150°C 50a -
MBRT600200 GeneSiC Semiconductor MBRT600200 140.2020
RFQ
 ECAD 4959 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MURF10060 GeneSiC Semiconductor Murf10060 -
RFQ
 ECAD 5365 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） murf10060gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N3294AR GeneSiC Semiconductor 1N3294AR 33.5805
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3294AR 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3294ARGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 100 A 13 ma @ 800 V -40°C 200°C 100a -
MBR2X030A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A045 45.3800
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X030 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1297 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 45 v 60a 700 mv @ 30 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
MBR8035R GeneSiC Semiconductor MBR8035R 1985年2月22日
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR8035 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8035RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 750 MV @ 80 A 1 mA @ 35 V -65°C〜150°C 80a -
1N3295A GeneSiC Semiconductor 1N3295A 33.5805
RFQ
 ECAD 3779 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3295 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3295AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.5 V @ 100 A 11 ma @ 1000 V -40°C 200°C 100a -
1N3214 GeneSiC Semiconductor 1N3214 9.6500
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3214 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1040 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBRF50030R GeneSiC Semiconductor MBRF50030R -
RFQ
 ECAD 2256 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRT30035R GeneSiC Semiconductor MBRT30035R 111.0800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT30035 肖特基，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1004 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N3213 GeneSiC Semiconductor 1N3213 7.0650
RFQ
 ECAD 4388 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3213 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3213GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 500 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
FR85MR05 GeneSiC Semiconductor FR85MR05 24.1260
RFQ
 ECAD 1903年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85MR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.3 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MURF40060R GeneSiC Semiconductor Murf40060r -
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 200a 1.7 V @ 200 A 240 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT200150R GeneSiC Semiconductor MBRT200150R 98.8155
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT200150 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBR8030 GeneSiC Semiconductor MBR8030 21.1680
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8030GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 750 MV @ 80 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C 80a -
MURH7060 GeneSiC Semiconductor Murh7060 49.5120
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.7 V @ 70 A 110 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C 70a -
1N1186R GeneSiC Semiconductor 1N1186R 7.4730
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1186R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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