SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBR60040CTL GeneSiC Semiconductor MBR60040CTL -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 40 V -55°C〜150°C
MBRH24040 GeneSiC Semiconductor MBRH24040 76.4925
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 720 MV @ 240 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C 240a -
KBL403G GeneSiC Semiconductor KBL403G -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBL 标准 KBL 下载 （1 （无限） kbl403ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 4 a 单相 200 v
1N3671A GeneSiC Semiconductor 1N3671A 4.2345
RFQ
 ECAD 7778 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3671 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3671AGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBR30045CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30045Ctrl -
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 150a 600 MV @ 150 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
MUR7005 GeneSiC Semiconductor MUR7005 17.5905
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR7005GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
FR70GR05 GeneSiC Semiconductor FR70GR05 17.7855
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70GR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MBR2X080A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A120 48.6255
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 120 v 80a 880 mv @ 80 a 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247 6.1080
RFQ
 ECAD 2730 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GC15MPS12 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1334 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 15 A 0 ns 14 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 75a 1089pf @ 1V，1MHz
FR70DR05 GeneSiC Semiconductor FR70DR05 17.7855
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70DR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MBR50030CT GeneSiC Semiconductor MBR50030CT -
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR50030CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FST12035 GeneSiC Semiconductor FST12035 70.4280
RFQ
 ECAD 5452 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST12035GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 120A（DC） 650 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N1184R GeneSiC Semiconductor 1N1184R 6.2320
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1184R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1095 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MBR40045CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40045CTRL -
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor MUR10020CT 75.1110
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 Mur10020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR10020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FST7330M GeneSiC Semiconductor FST7330M -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 35a 700 MV @ 35 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRH24020R GeneSiC Semiconductor MBRH24020R 76.4925
RFQ
 ECAD 1125 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH24020 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 720 MV @ 240 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C 240a -
S6DR GeneSiC Semiconductor s6dr 3.8625
RFQ
 ECAD 7956 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S6D 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s6drgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor MBR500200CTR -
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 250a 920 MV @ 250 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
MBRF400200 GeneSiC Semiconductor MBRF400200 -
RFQ
 ECAD 6322 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 200a 920 MV @ 200 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
1N5831R GeneSiC Semiconductor 1N5831R 14.8695
RFQ
 ECAD 1913年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N5831R 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5831RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
FST6310M GeneSiC Semiconductor FST6310M -
RFQ
 ECAD 7770 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 10 v 30a 700 mv @ 30 a 1 mA @ 10 V -55°C〜150°C
1N3212R GeneSiC Semiconductor 1N3212R 7.0650
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3212R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3212RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
S400K GeneSiC Semiconductor S400K 88.0320
RFQ
 ECAD 2658 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S400 标准 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S400KGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.2 V @ 400 A 10 µA @ 50 V -60°C 〜200°C 400a -
S25J GeneSiC Semiconductor S25J 5.2485
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25JGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
1N2138A GeneSiC Semiconductor 1N2138A 8.9025
RFQ
 ECAD 6416 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2138 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1049 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
MBRH20030 GeneSiC Semiconductor MBRH20030 70.0545
RFQ
 ECAD 3881 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20030GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MURTA50060R GeneSiC Semiconductor Murta50060r 174.1546
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta50060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta50060RGN Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 250a 1.7 V @ 250 A 250 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRH12040 GeneSiC Semiconductor MBRH12040 60.0375
RFQ
 ECAD 6397 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 D-67 肖特基 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1046 Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 650 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
S70DR GeneSiC Semiconductor S70DR 9.8985
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70D 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70DRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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