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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
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![]() | 1N1184R | 6.2320 | ![]() | 6662 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1184R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1095 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | ||||||||
1N1186R | 7.4730 | ![]() | 8738 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1186R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | ||||||||||
![]() | MBRT120200R | 75.1110 | ![]() | 1846年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT120200 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | FST6310M | - | ![]() | 7770 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 10V | 30A | 700 毫伏 @ 30 安 | 1毫安@10伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBR600100CTR | 129.3585 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR600100 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR600100CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100伏 | 300A | 880毫伏@300安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | S12DR | 4.2345 | ![]() | 6126 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S12D | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S12DRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | GB01SLT06-214 | 1.6300 | ![]() | 3013 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | GB01SLT06 | SiC(碳化硅)肖特基 | DO-214AA | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 2V@1A | 0纳秒 | 6.5V时为10μA | -55℃~175℃ | 1A | 76pF@1V、1MHz | |||||||
![]() | 穆尔夫40060R | - | ![]() | 3976 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 200A | 1.7V@200A | 240纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 穆尔夫20060 | - | ![]() | 9722 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | 1(无限制) | 穆尔夫20060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 100A | 1.7V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | FR6A02 | 7.1300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6A02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 6A | - | ||||||||
![]() | BR34 | 0.5700 | ![]() | 6883 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4方,BR-3 | 标准 | BR-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | BR34GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1V@1.5A | 400V时为10μA | 3A | 单相 | 400伏 | ||||||||||
![]() | 穆尔7040 | 17.5905 | ![]() | 6716 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔7040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1.3V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | ||||||||
![]() | 穆尔40020CTR | 132.0780 | ![]() | 9873 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯40020 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR40020CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 200A | 1.3V@125A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBR120100CTR | 68.8455 | ![]() | 5300 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR120100 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR120100CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 120A(直流) | 840 毫伏 @ 60 安 | 3毫安@20伏 | |||||||||
1N3879 | 7.1300 | ![]() | 799 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3879 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1087 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为15μA | -65℃~150℃ | 6A | - | ||||||||
![]() | MBRT400100 | 121.6500 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1101 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 200A | 880毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRT30020RL | - | ![]() | 8582 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRT12060R | 75.1110 | ![]() | 5412 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT12060 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT12060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 60A | 800毫伏@60安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | GKR240/14 | 59.2784 | ![]() | 8736 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | GKR240 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.4V@60A | 60毫安@1400伏 | -40℃~180℃ | 320A | - | |||||||||
![]() | MBRT30030RL | - | ![]() | 7872 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | S320MR | 62.2080 | ![]() | 7290 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S320 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S320MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.2V@300A | 600V时为10μA | -60℃~180℃ | 320A | - | ||||||||
![]() | 穆尔夫20010R | - | ![]() | 9889 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫20010RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100伏 | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBR200100CT | 90.1380 | ![]() | 9227 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR200100 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR200100CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 200A(直流) | 840 毫伏 @ 100 安 | 5毫安@20伏 | |||||||||
![]() | MBR2X080A080 | 48.6255 | ![]() | 7118 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 80V | 80A | 840毫伏@80安 | 1毫安@80伏 | -40℃~150℃ | |||||||||
![]() | GKR240/08 | 59.1425 | ![]() | 7890 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | GKR240 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.4V@60A | 60毫安@800伏 | -40℃~180℃ | 320A | - | |||||||||
![]() | MBRH240100 | 76.4925 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 840毫伏@240安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | 240A | - | ||||||||||
![]() | S25J | 5.2485 | ![]() | 5113 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25JGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | |||||||||
![]() | GB02SLT06-214 | - | ![]() | 4548 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | GB02SLT06 | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | ||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫30040 | - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400伏 | 150A | 1.3V@150A | 110纳秒 | 400V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 穆尔夫40060 | - | ![]() | 5200 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 200A | 1.7V@200A | 240纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~150℃ |
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