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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
1N1184R GeneSiC Semiconductor 1N1184R 6.2320
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ECAD 6662 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1184R 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1095 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 100伏 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃~190℃ 35A -
1N1186R GeneSiC Semiconductor 1N1186R 7.4730
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ECAD 8738 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1186R 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃~190℃ 35A -
MBRT120200R GeneSiC Semiconductor MBRT120200R 75.1110
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ECAD 1846年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT120200 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 200V 60A 920 毫伏 @ 60 安 1毫安@200伏 -55℃~150℃
FST6310M GeneSiC Semiconductor FST6310M -
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ECAD 7770 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 肖特基 D61-3M - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 10V 30A 700 毫伏 @ 30 安 1毫安@10伏 -55℃~150℃
MBR600100CTR GeneSiC Semiconductor MBR600100CTR 129.3585
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ECAD 8861 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR600100 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR600100CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 100伏 300A 880毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
S12DR GeneSiC Semiconductor S12DR 4.2345
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ECAD 6126 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S12D 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S12DRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃~175℃ 12A -
GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214 1.6300
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ECAD 3013 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB GB01SLT06 SiC(碳化硅)肖特基 DO-214AA 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 2V@1A 0纳秒 6.5V时为10μA -55℃~175℃ 1A 76pF@1V、1MHz
MURF40060R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫40060R -
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ECAD 3976 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 600伏 200A 1.7V@200A 240纳秒 600V时为25μA -55℃~150℃
MURF20060 GeneSiC Semiconductor 穆尔夫20060 -
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ECAD 9722 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244AB - 1(无限制) 穆尔夫20060GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 100A 1.7V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
FR6A02 GeneSiC Semiconductor FR6A02 7.1300
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ECAD 37 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR6A02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1.4V@6A 200纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 6A -
BR34 GeneSiC Semiconductor BR34 0.5700
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ECAD 6883 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -65°C ~ 125°C(太焦) 通孔 4方,BR-3 标准 BR-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) BR34GN EAR99 8541.10.0080 200 1V@1.5A 400V时为10μA 3A 单相 400伏
MUR7040 GeneSiC Semiconductor 穆尔7040 17.5905
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ECAD 6716 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔7040GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400伏 1.3V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
MUR40020CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔40020CTR 132.0780
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ECAD 9873 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯40020 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR40020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 200V 200A 1.3V@125A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor MBR120100CTR 68.8455
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ECAD 5300 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR120100 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR120100CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 120A(直流) 840 毫伏 @ 60 安 3毫安@20伏
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
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ECAD 799 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3879 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1087 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1.4V@6A 200纳秒 50V时为15μA -65℃~150℃ 6A -
MBRT400100 GeneSiC Semiconductor MBRT400100 121.6500
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ECAD 78 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1101 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 200A 880毫伏@200安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRT30020RL GeneSiC Semiconductor MBRT30020RL -
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ECAD 8582 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 150A 580毫伏@150安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRT12060R GeneSiC Semiconductor MBRT12060R 75.1110
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ECAD 5412 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT12060 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT12060RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 60V 60A 800毫伏@60安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
GKR240/14 GeneSiC Semiconductor GKR240/14 59.2784
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ECAD 8736 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 GKR240 标准 DO-205AB (DO-9) - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1400伏 1.4V@60A 60毫安@1400伏 -40℃~180℃ 320A -
MBRT30030RL GeneSiC Semiconductor MBRT30030RL -
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ECAD 7872 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 30V 150A 580毫伏@150安 3毫安@30伏 -55℃~150℃
S320MR GeneSiC Semiconductor S320MR 62.2080
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ECAD 7290 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S320 标准,反脊柱 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S320MRGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1000伏 1.2V@300A 600V时为10μA -60℃~180℃ 320A -
MURF20010R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫20010R -
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ECAD 9889 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) 穆尔夫20010RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 100伏 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBR200100CT GeneSiC Semiconductor MBR200100CT 90.1380
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ECAD 9227 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR200100 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR200100CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 200A(直流) 840 毫伏 @ 100 安 5毫安@20伏
MBR2X080A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A080 48.6255
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ECAD 7118 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 80V 80A 840毫伏@80安 1毫安@80伏 -40℃~150℃
GKR240/08 GeneSiC Semiconductor GKR240/08 59.1425
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ECAD 7890 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 GKR240 标准 DO-205AB (DO-9) - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.4V@60A 60毫安@800伏 -40℃~180℃ 320A -
MBRH240100 GeneSiC Semiconductor MBRH240100 76.4925
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ECAD 8118 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 840毫伏@240安 1毫安@100伏 -55℃~150℃ 240A -
S25J GeneSiC Semiconductor S25J 5.2485
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ECAD 5113 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S25JGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.1V@25A 50V时为10μA -65℃~175℃ 25A -
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT06-214 -
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ECAD 4548 0.00000000 基恩碳化硅半导体 * 卷带式 (TR) 过时的 GB02SLT06 - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 500
MURF30040 GeneSiC Semiconductor 穆尔夫30040 -
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ECAD 7640 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 400伏 150A 1.3V@150A 110纳秒 400V时为25μA -55℃~150℃
MURF40060 GeneSiC Semiconductor 穆尔夫40060 -
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ECAD 5200 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 200A 1.7V@200A 240纳秒 600V时为25μA -55℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库