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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
GKN71/04 GeneSiC Semiconductor GKN71/04 12.3735
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ECAD 2346 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 GKN71 标准 溶解O - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400伏 1.5V@60A 10毫安@400伏 -40℃~180℃ 95A -
MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor MBR500200CTR -
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ECAD 3102 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 200V 250A 920 毫伏 @ 250 安 3毫安@200伏 -55℃~150℃
FR6A05 GeneSiC Semiconductor FR6A05 8.1330
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ECAD 8895 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR6A05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1.4V@6A 500纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MBRH200100 GeneSiC Semiconductor MBRH200100 70.0545
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ECAD 7235 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRH200100GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 840 毫伏 @ 200 安 5毫安@20伏 200A -
MURF10010 GeneSiC Semiconductor 穆尔夫10010 -
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ECAD 3603 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) 穆尔夫10010GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBRH20030L GeneSiC Semiconductor MBRH20030L -
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ECAD 8114 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 580毫伏@200安 3毫安@30伏 -55℃~150℃ 200A -
S16KR GeneSiC Semiconductor S16KR 4.5900
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ECAD 2238 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S16K 标准,反脊柱 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S16KRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.1V@16A 50V时为10μA -65℃~175℃ 16A -
MBR8030 GeneSiC Semiconductor MBR8030 21.1680
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ECAD 7141 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR8030GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 750毫伏@80安 1毫安@30伏 -55℃~150℃ 80A -
MBRT600150R GeneSiC Semiconductor MBRT600150R 140.2020
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ECAD 5698 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT600150 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 150伏 300A 880毫伏@300安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
MBRT30020L GeneSiC Semiconductor MBRT30020L -
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ECAD 5089 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 150A 580毫伏@150安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
MURT40005 GeneSiC Semiconductor MURT40005 -
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ECAD 7628 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT40005GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 50V 200A 1.3V@200A 125纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
GE08MPS06E GeneSiC Semiconductor GE08MPS06E 2.4000
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ECAD 4567 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 切带 (CT) SIC停产 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 GE08MPS06 SiC(碳化硅)肖特基 TO-252-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 -55℃~175℃ 21A 373pF@1V、1MHz
KBPC2508W GeneSiC Semiconductor KBPC2508W 2.2995
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ECAD 9991 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4方,KBPC-W KBPC2508 标准 KBPC-W 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@12.5A 800V时为5μA 25A 单相 800V
UFT14005 GeneSiC Semiconductor UFT14005 -
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ECAD 7695 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-249AB 标准 TO-249AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 50V 70A 1V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220 -
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ECAD 7699 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 通孔 结合 SiC(碳化硅)肖特基 - 下载 1(无限制) 1242-1257 EAR99 8541.10.0070 10 无恢复T>500mA(Io) 8000V 4.6V@50mA 0纳秒 8000V时为3.8μA -55℃~175℃ 50毫安 25pF@1V、1MHz
GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-220 -
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ECAD 3495 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 通孔 TO-220-2 GB01SLT12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@1A 0纳秒 1200V时为2μA -55℃~175℃ 1A 69pF@1V、1MHz
KBPC3506W GeneSiC Semiconductor KBPC3506W 2.4720
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ECAD 2086 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4方,KBPC-W KBPC3506 标准 KBPC-W 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@17.5A 5μA@600V 35A 单相 600伏
KBPC1506W GeneSiC Semiconductor KBPC1506W 2.1795
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ECAD 6538 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4方,KBPC-W KBPC1506 标准 KBPC-W 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@7.5A 600V时为10μA 15A 单相 600伏
GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H 8.1700
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ECAD 7530 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-GD10MPS17H EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1700伏 1.8V@10A 0纳秒 1700V时为20μA -55℃~175℃ 26A 721pF@1V、1MHz
S300YR GeneSiC Semiconductor S300YR 65.5700
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ECAD 79 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S300 标准,反脊柱 DO-9 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1080 EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1600伏 1.2V@300A 10μA@1600V -60℃~180℃ 300A -
FST8340SM GeneSiC Semiconductor FST8340SM -
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ECAD 9071 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 1(无限制) REACH 不出行 FST8340SMGN EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 80A(直流) 650毫伏@80安 1.5毫安@20伏 -55℃~150℃
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N 33.8900
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ECAD 246 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GD2X SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-GD2X30MPS12N EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 1200伏 52A(直流) -55℃~175℃
MBRH20035R GeneSiC Semiconductor MBRH20035R 70.0545
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ECAD 6782 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH20035 肖特基,反 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRH20035RGN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 35V 650毫伏@200安 5毫安@20伏 200A -
MBR2X100A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A120 50.2485
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ECAD 7272 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 120V 100A 880 毫伏 @ 100 安 3毫安@120伏 -40℃~150℃
FR40JR05 GeneSiC Semiconductor FR40JR05 11.5380
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ECAD 4062 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR40JR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.4V@40A 500纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 40A -
MURTA20060 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔20060 145.3229
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ECAD 6037 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 600伏 100A 1.7V@100A 600V时为25μA -55℃~150℃
MBRF40045R GeneSiC Semiconductor MBRF40045R -
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ECAD 9929 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 45V 200A 700毫伏@200安 1毫安@45伏 -55℃~150℃
MBR30045CTR GeneSiC Semiconductor MBR30045CTR 94.5030
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ECAD 5542 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30045 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR30045CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 45V 150A 650毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃~150℃
MBR2X120A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A045 57.0900
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ECAD 3752 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X120 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1304 EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 45V 120A 700毫伏@120安 1毫安@45伏 -40℃~150℃
MBRT20035 GeneSiC Semiconductor MBRT20035 98.8155
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ECAD 6905 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1103 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 100A 750毫伏@100安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
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