死亡(2089)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）
GKN71/04	12.3735	询价	2346	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	GKN71	标准	溶解O	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		400伏		1.5V@60A		10毫安@400伏	-40℃～180℃	95A	-
MBR500200CTR	-	询价	3102	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	200V	250A	920 毫伏 @ 250 安		3毫安@200伏	-55℃～150℃
FR6A05	8.1330	询价	8895	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR6A05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		50V		1.4V@6A	500纳秒	50V时为25μA	-65℃～150℃	16A	-
MBRH200100	70.0545	询价	7235	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67		肖特基	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRH200100GN	EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		100伏		840 毫伏 @ 200 安		5毫安@20伏		200A	-
穆尔夫10010	-	询价	3603	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）		穆尔夫10010GN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	50A	1.3V@50A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
MBRH20030L	-	询价	8114	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D-67		肖特基	D-67	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		580毫伏@200安		3毫安@30伏	-55℃～150℃	200A	-
S16KR	4.5900	询价	2238	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	S16K	标准，反脊柱	-	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S16KRGN	EAR99	8541.10.0080	250	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		800V		1.1V@16A		50V时为10μA	-65℃～175℃	16A	-
MBR8030	21.1680	询价	7141	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		肖特基	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR8030GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		750毫伏@80安		1毫安@30伏	-55℃～150℃	80A	-
MBRT600150R	140.2020	询价	5698	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT600150	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	150伏	300A	880毫伏@300安		1毫安@150伏	-55℃～150℃
MBRT30020L	-	询价	5089	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	20V	150A	580毫伏@150安		3毫安@20伏	-55℃～150℃
MURT40005	-	询价	7628	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MURT40005GN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	50V	200A	1.3V@200A	125纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
GE08MPS06E	2.4000	询价	4567	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	切带 (CT)	SIC停产		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	GE08MPS06	SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	2,500人	无恢复T>500mA(Io)		650伏					-55℃～175℃	21A	373pF@1V、1MHz
KBPC2508W	2.2995	询价	9991	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4方，KBPC-W	KBPC2508	标准	KBPC-W	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50					1.1V@12.5A		800V时为5μA		25A		单相	800V
UFT14005	-	询价	7695	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-249AB		标准	TO-249AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	50V	70A	1V@70A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
GAP05SLT80-220	-	询价	7699	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的		通孔	结合		SiC（碳化硅）肖特基	-	下载		1（无限制）		1242-1257	EAR99	8541.10.0070	10	无恢复T>500mA(Io)		8000V		4.6V@50mA	0纳秒	8000V时为3.8μA	-55℃～175℃	50毫安	25pF@1V、1MHz
GB01SLT12-220	-	询价	3495	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-2	GB01SLT12	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220-2	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.8V@1A	0纳秒	1200V时为2μA	-55℃～175℃	1A	69pF@1V、1MHz
KBPC3506W	2.4720	询价	2086	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4方，KBPC-W	KBPC3506	标准	KBPC-W	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50					1.1V@17.5A		5μA@600V		35A		单相	600伏
KBPC1506W	2.1795	询价	6538	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4方，KBPC-W	KBPC1506	标准	KBPC-W	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50					1.1V@7.5A		600V时为10μA		15A		单相	600伏
GD10MPS17H	8.1700	询价	7530	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	的积极		通孔	TO-247-2		SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-GD10MPS17H	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		1700伏		1.8V@10A	0纳秒	1700V时为20μA	-55℃～175℃	26A	721pF@1V、1MHz
S300YR	65.5700	询价	79	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AB、DO-9、螺柱	S300	标准，反脊柱	DO-9	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1080	EAR99	8541.10.0080	8	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		1600伏		1.2V@300A		10μA@1600V	-60℃～180℃	300A	-
FST8340SM	-	询价	9071	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D61-3SM		肖特基	D61-3SM	下载		1（无限制）	REACH 不出行	FST8340SMGN	EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	40V	80A（直流）	650毫伏@80安		1.5毫安@20伏	-55℃～150℃
GD2X30MPS12N	33.8900	询价	246	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GD2X	SiC（碳化硅）肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-GD2X30MPS12N	EAR99	8541.10.0080	10	无恢复T>500mA(Io)	2 独立	1200伏	52A（直流）				-55℃～175℃
MBRH20035R	70.0545	询价	6782	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67	MBRH20035	肖特基，反	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRH20035RGN	EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		35V		650毫伏@200安		5毫安@20伏		200A	-
MBR2X100A120	50.2485	询价	7272	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	MBR2X100	肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	52	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	120V	100A	880 毫伏 @ 100 安		3毫安@120伏	-40℃～150℃
FR40JR05	11.5380	询价	4062	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR40JR05GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.4V@40A	500纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	40A	-
穆尔塔20060	145.3229	询价	6037	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	24	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对共轴线	600伏	100A	1.7V@100A		600V时为25μA	-55℃～150℃
MBRF40045R	-	询价	9929	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	45V	200A	700毫伏@200安		1毫安@45伏	-55℃～150℃
MBR30045CTR	94.5030	询价	5542	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR30045	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR30045CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	45V	150A	650毫伏@150安		8毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR2X120A045	57.0900	询价	3752	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	MBR2X120	肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1304	EAR99	8541.10.0080	52	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	45V	120A	700毫伏@120安		1毫安@45伏	-40℃～150℃
MBRT20035	98.8155	询价	6905	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1103	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	35V	100A	750毫伏@100安		1毫安@20伏	-55℃～150℃

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

死亡(2089)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²