SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
S6J GeneSiC Semiconductor S6J 3.8625
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s6jgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
MURF40060 GeneSiC Semiconductor Murf40060 -
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 200a 1.7 V @ 200 A 240 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRTA60035R GeneSiC Semiconductor MBRTA60035R -
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 300A 700 MV @ 300 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MBRH20035 GeneSiC Semiconductor MBRH20035 70.0545
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20035GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor MBR600150CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR600150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
1N3296A GeneSiC Semiconductor 1N3296A 37.4800
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3296 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3296AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.5 V @ 100 A 9 ma @ 1200 V -40°C 200°C 100a -
MURTA20060R GeneSiC Semiconductor Murta20060r 145.3229
RFQ
 ECAD 3707 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta20060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 600 v 100a 1.7 V @ 100 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT30060 GeneSiC Semiconductor MBRT30060 107.3070
RFQ
 ECAD 1378 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT30060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 150a 800 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR85B02 GeneSiC Semiconductor FR85B02 23.1210
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85B02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 85 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FST8330M GeneSiC Semiconductor FST8330M -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 （1 （无限） FST8330MGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 80A（DC） 650 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S70BR GeneSiC Semiconductor S70BR 9.8985
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70B 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70BRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
FR40JR05 GeneSiC Semiconductor FR40JR05 11.5380
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40JR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.4 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MURT40060R GeneSiC Semiconductor murt40060r -
RFQ
 ECAD 8384 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt40060rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 200a 1.7 V @ 200 A 240 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR20MR05 GeneSiC Semiconductor FR20MR05 9.5700
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR20MR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1 V @ 20 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 20a -
FST8345SM GeneSiC Semiconductor FST8345SM -
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 80A（DC） 650 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURF40005 GeneSiC Semiconductor Murf40005 -
RFQ
 ECAD 6908 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 200a 1 V @ 200 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GBU8A GeneSiC Semiconductor gbu8a 0.5685
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU8 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） gbu8agn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 50 V 8 a 单相 50 V
MBRH20020R GeneSiC Semiconductor MBRH20020R 70.0545
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20020 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20020RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
FR16DR02 GeneSiC Semiconductor FR16DR02 8.5020
RFQ
 ECAD 6699 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16DR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 900 mv @ 16 A 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
GB10SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 -
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GB10SLT12 SIC （碳化硅） TO-252 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 2 V @ 10 A 0 ns 250 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 10a 520pf @ 1V，1MHz
1N5827R GeneSiC Semiconductor 1N5827R 13.3005
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N5827R 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5827RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 470 mv @ 15 A 10 ma @ 20 V -65°C〜150°C 15a -
MBRF40045R GeneSiC Semiconductor MBRF40045R -
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MSRTA200160D GeneSiC Semiconductor MSRTA200160D 142.3575
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA200 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA200160D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1600 V -55°C〜150°C
MBRT30040 GeneSiC Semiconductor MBRT30040 107.3070
RFQ
 ECAD 4661 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1060 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURT10060 GeneSiC Semiconductor Murt10060 93.0525
RFQ
 ECAD 9508 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10060gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 50a 1.7 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR12GR05 GeneSiC Semiconductor FR12GR05 6.8085
RFQ
 ECAD 5856 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12GR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MURT20060 GeneSiC Semiconductor Murt20060 104.4930
RFQ
 ECAD 5897 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt20060gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 100a 1.7 V @ 100 A 160 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR8020R GeneSiC Semiconductor MBR8020R 1985年2月22日
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR8020 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8020RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 750 MV @ 80 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C 80a -
MBRF40060R GeneSiC Semiconductor MBRF40060R -
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 200a 750 MV @ 200 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MBRT20060R GeneSiC Semiconductor MBRT20060R 102.9600
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20060 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20060RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 100a 800 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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