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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR40030CTR | 98.8155 | ![]() | 2747 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR40030 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR40030CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 200A | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||
![]() | MSRT250160A | 54.2296 | ![]() | 5113 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT250160 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1600伏 | 250A(直流) | 1.2V@250A | 600V时为15μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | MBRF400200 | - | ![]() | 6322 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 200A | 920毫伏@200安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | S380Z | 83.7480 | ![]() | 8357 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S380 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S380ZGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2000伏 | 1.2V@380A | 10μA@1600V | -60℃~180℃ | 380A | - | |||||
![]() | MBRF120100 | - | ![]() | 4438 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MSRT20080D | 110.1030 | ![]() | 2563 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | * | 大部分 | 的积极 | MSRT200 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | |||||||||||||||||
![]() | MBRF400150 | - | ![]() | 8788 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 200A | 880毫伏@200安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔H7040R | 49.5120 | ![]() | 1317 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 默尔H7040 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1.3V@70A | 90纳秒 | 400V时为25μA | -55℃~155℃ | 70A | - | |||||
![]() | GKR240/12 | 59.1425 | ![]() | 1015 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | GKR240 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.4V@60A | 60毫安@1200伏 | -40℃~180℃ | 320A | - | ||||||
![]() | 150K20A | 35.5695 | ![]() | 第1651章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 150K20 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 150K20AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.33V@150A | 35毫安@200伏 | -40℃~200℃ | 150A | - | |||||
![]() | 1N3295A | 33.5805 | ![]() | 3779 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3295 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3295AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.5V@100A | 11毫安@1000伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | |||||
S40BR | 7.6470 | ![]() | 3587 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S40B | 标准,反脊柱 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S40BRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~190℃ | 40A | - | ||||||
![]() | 1N1186 | 6.2320 | ![]() | 7278 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1186 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1186GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||
![]() | MBRH12040 | 60.0375 | ![]() | 6397 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | D-67 | 肖特基 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1046 | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 650毫伏@120安 | 4毫安@20伏 | 120A | - | |||||||||
![]() | 穆尔5040R | 17.8380 | ![]() | 1062 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 毛里求斯5040 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔5040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1V@50A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 50A | - | ||||
![]() | FST7345M | - | ![]() | 9556 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 35A | 700 毫伏 @ 35 安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBR40045CTRL | - | ![]() | 9905 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 200A | 600毫伏@200安 | 5毫安@45伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔夫10020 | - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫10020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | 1N4596 | 35.8125 | ![]() | 8658 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4596 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4596GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@150A | 3.5毫安@1400伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | |||||
![]() | 穆尔40040CTR | 132.0780 | ![]() | 第1374章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯40040 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR40040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400伏 | 200A | 1.3V@125A | 150纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
FR20GR02 | 12.2100 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1V@20A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | |||||||
![]() | 穆尔5060R | 17.9850 | ![]() | 6582 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 毛里求斯5060 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔5060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@50A | 90纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 50A | - | ||||
![]() | 1N5826 | 12.4155 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N5826 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5826GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 440 毫伏 @ 15 安 | 10毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 15A | - | |||||
![]() | MBR600200CT | 129.3585 | ![]() | 4575 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR600200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 300A | 920毫伏@300安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | MBR60040CTL | - | ![]() | 5280 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 300A | 600 毫伏 @ 300 安 | 5毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | GB2X50MPS17-227 | 98.1200 | ![]() | 116 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GB2X50 | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1350 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1700伏 | 136A(直流) | 1.8V@50A | 0纳秒 | 1700V时为50μA | -55℃~175℃ | |||
![]() | FR30D02 | 10.4070 | ![]() | 6600 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30D02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@30A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | |||||
![]() | 毛里求斯5005 | 17.4870 | ![]() | 1315 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔5005GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@50A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 50A | - | |||||
![]() | GKR71/08 | 12.4659 | ![]() | 6247 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | GKR71 | 标准 | 溶解O | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.5V@60A | 10毫安@800伏 | -40℃~180℃ | 95A | - | ||||||
![]() | FR6JR05 | 5.1225 | ![]() | 4435 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6JR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 6A | - |
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