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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
gbu4a | 1.4500 | ![]() | 348 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 50 V | 4 a | 单相 | 50 V | |||||||||
![]() | gbu6g | 0.5385 | ![]() | 5221 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu6ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | |||||||
![]() | gbu6k | 0.4488 | ![]() | 5969 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu6kgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 800 V | 6 a | 单相 | 800 v | |||||||
![]() | GBU6M | 0.5385 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBU6MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | |||||||
![]() | KBJ404G | 0.5160 | ![]() | 1782年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | KBJ404 | 标准 | KBJ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBJ404GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 4 a | 单相 | 400 v | |||||||
![]() | KBL606G | 0.5805 | ![]() | 8943 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | KBL606 | 标准 | KBL | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBL606GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 6 a | 单相 | 600 v | |||||||
![]() | KBP202 | 0.3750 | ![]() | 2207 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBP202GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | ||||||||
KBPC2506T | 2.2995 | ![]() | 3650 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC2506 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 a | 单相 | 600 v | |||||||||
KBPC35005T | 2.4720 | ![]() | 5619 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC35005 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 50 V | 35 a | 单相 | 50 V | |||||||||
KBPC5008T | 2.5875 | ![]() | 1362 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC5008 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA @ 800 V | 50 a | 单相 | 800 v | |||||||||
![]() | kbpm308g | - | ![]() | 2416 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 标准 | kbpm | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | kbpm308ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 50 V | 3 a | 单相 | 800 v | ||||||||
![]() | KBU10005 | 0.8205 | ![]() | 5287 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBU10005GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05 V @ 10 A | 10 µA @ 50 V | 10 a | 单相 | 50 V | ||||||||
kbu8a | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 1 V @ 8 A | 10 µA @ 50 V | 8 a | 单相 | 50 V | |||||||||||
![]() | kbu8d | 0.7425 | ![]() | 6103 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU8 | 标准 | KBU | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | kbu8dgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | |||||||
![]() | M3P100A-100 | - | ![]() | 1695年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.15 V @ 100 A | 10 mA @ 1000 V | 100 a | 三期 | 1 kV | |||||||||
![]() | M3P75A-100 | - | ![]() | 8608 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5-SMD模块 | 标准 | 5-SMD | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.15 V @ 75 A | 10 µA @ 1000 V | 75 a | 三期 | 1 kV | ||||||||||
![]() | M3P75A-140 | - | ![]() | 7969 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5-SMD模块 | 标准 | 5-SMD | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.15 V @ 75 A | 10 µA @ 1400 V | 75 a | 三期 | 1.4 kV | ||||||||||
![]() | M3P75A-160 | - | ![]() | 4030 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5-SMD模块 | 标准 | 5-SMD | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.15 V @ 75 A | 10 µA @ 1600 V | 75 a | 三期 | 1.6 kV | ||||||||||
![]() | 2W02M | - | ![]() | 4033 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,妇女 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | (1 (无限) | 2W02MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 200 V | 2 a | 单相 | 200 v | |||||||||
![]() | 2W10m | - | ![]() | 4910 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,妇女 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | (1 (无限) | 2W10MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 1000 V | 2 a | 单相 | 1 kV | |||||||||
![]() | BR61 | 0.7425 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | br61gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 100 V | 6 a | 单相 | 100 v | ||||||||
![]() | BR610 | 0.7425 | ![]() | 5194 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | BR610GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | ||||||||
BR62 | 1.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | DB107G | 0.1980 | ![]() | 5022 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB107 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB107GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1 a | 单相 | 1 kV | |||||||
![]() | GBJ30K | 1.1205 | ![]() | 6434 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ30 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-GBJ30K | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 15 A | 5 µA @ 800 V | 30 a | 单相 | 800 v | ||||||||
![]() | GBJ25G | 0.9795 | ![]() | 6281 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ25 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-GBJ25G | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | ||||||||
![]() | GBJ6G | 0.6645 | ![]() | 5991 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ6 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-GBJ6G | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 3 A | 5 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | ||||||||
![]() | GBJ15K | 0.7875 | ![]() | 3176 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ15 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-GBJ15K | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 15 a | 单相 | 800 v | ||||||||
![]() | MSRT150140D | 98.8155 | ![]() | 9637 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT150 | 标准 | 三个塔 | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRT150140D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 150a | 1.1 V @ 150 A | 10 µA @ 1400 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | GBJ30J | 1.1205 | ![]() | 4294 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ30 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-GBJ30J | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 15 A | 5 µA @ 600 V | 30 a | 单相 | 600 v |
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