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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBR8080 GeneSiC Semiconductor MBR8080 21.1680
RFQ
 ECAD 7977 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8080GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 80 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C 80a -
MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A10 51.8535
RFQ
 ECAD 1194 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X120 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 1000 v 120a 2.35 V @ 120 A 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
MBRTA80080R GeneSiC Semiconductor MBRTA80080R -
RFQ
 ECAD 5438 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 400a 840 mv @ 400 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
MUR2505 GeneSiC Semiconductor MUR2505 10.1910
RFQ
 ECAD 4018 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR2505GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
MBRTA80045R GeneSiC Semiconductor MBRTA80045R -
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 400a 720 MV @ 400 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
SD4145 GeneSiC Semiconductor SD4145 13.4625
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 680 mv @ 30 a 1.5 ma @ 35 V -55°C〜150°C 30a -
MBRF30045 GeneSiC Semiconductor MBRF30045 -
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3004 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 150a 700 MV @ 150 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR3535R GeneSiC Semiconductor MBR3535R 15.1785
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MBR3535 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3535RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
1N1184A GeneSiC Semiconductor 1N1184A 10.3200
RFQ
 ECAD 514 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1184 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 40a -
MSRTA20060D GeneSiC Semiconductor MSRTA20060D 142.3575
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA200 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA20060D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 600 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRF500150 GeneSiC Semiconductor MBRF500150 -
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 250a 880 mv @ 250 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A150 46.9860
RFQ
 ECAD 3110 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 150 v 60a 880 mv @ 60 a 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
S320MR GeneSiC Semiconductor S320MR 62.2080
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S320 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S320MRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
S85D GeneSiC Semiconductor S85D 11.8980
RFQ
 ECAD 9788 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S85DGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
MBRTA50080 GeneSiC Semiconductor MBRTA50080 -
RFQ
 ECAD 6541 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 250a 840 mv @ 250 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
GBPC1506T GeneSiC Semiconductor GBPC1506T 2.4180
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC1506 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 15 a 单相 600 v
DB156G GeneSiC Semiconductor DB156G 0.2325
RFQ
 ECAD 1657年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-Edip（0.321英寸，8.15mm） DB156 标准 DB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） DB156GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 800 V 1.5 a 单相 800 v
1N8026-GA GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA -
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-257-3 1N8026 SIC （碳化硅） TO-257 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.6 V @ 2.5 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C〜250°C 8a 237pf @ 1V，1MHz
DB151G GeneSiC Semiconductor DB151G 0.2325
RFQ
 ECAD 1447 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-Edip（0.321英寸，8.15mm） DB151 标准 DB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） DB151GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V 1.5 a 单相 50 V
MSRTA40060A GeneSiC Semiconductor MSRTA40060A 60.2552
RFQ
 ECAD 4802 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA40060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 400A（DC） 1.2 V @ 400 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GKR240/04 GeneSiC Semiconductor GKR240/04 59.1425
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 400 V -40°C〜180°C 320a -
MBRT40020 GeneSiC Semiconductor MBRT40020 118.4160
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT40020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRF20020 GeneSiC Semiconductor MBRF20020 -
RFQ
 ECAD 4219 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 100a 700 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRF120100 GeneSiC Semiconductor MBRF120100 -
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
1N3889 GeneSiC Semiconductor 1N3889 9.3000
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3889 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1048 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
FR6A02 GeneSiC Semiconductor FR6A02 7.1300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6A02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBRT40035 GeneSiC Semiconductor MBRT40035 118.4160
RFQ
 ECAD 3138 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1057 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURF10010 GeneSiC Semiconductor Murf10010 -
RFQ
 ECAD 3603 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） murf10010gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRH12035 GeneSiC Semiconductor MBRH12035 60.0375
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12035GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 650 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
1N1184 GeneSiC Semiconductor 1N1184 10.1200
RFQ
 ECAD 749 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1184 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1013 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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