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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
KBPC5002W GeneSiC Semiconductor KBPC5002W 2.5875
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC5002 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 200 V 50 a 单相 200 v
GBPC35005T GeneSiC Semiconductor GBPC35005T 2.8650
RFQ
 ECAD 8664 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC35005 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 a 单相 50 V
MBR40030CTR GeneSiC Semiconductor MBR40030CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 2747 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40030CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N8031-GA GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-276AA 1N8031 SIC （碳化硅） TO-276 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C〜250°C 1a 76pf @ 1V，1MHz
S85J GeneSiC Semiconductor S85J 15.0400
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1032 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
FR40G05 GeneSiC Semiconductor FR40G05 12.8985
RFQ
 ECAD 5561 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40G05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
M3P100A-140 GeneSiC Semiconductor M3P100A-140 -
RFQ
 ECAD 2821 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 标准 模块 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.15 V @ 100 A 10 ma @ 1400 V 100 a 三期 1.4 kV
1N1186A GeneSiC Semiconductor 1N1186A 10.3200
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1186 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1078 Ear99 8541.10.0080 100 - 200 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 40a -
MBRT400100R GeneSiC Semiconductor MBRT400100R 118.4160
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT400100 肖特基，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1017 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 200a 880 mv @ 200 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
150K60A GeneSiC Semiconductor 150K60A 35.5695
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 150K60 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 150K60AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.33 V @ 150 A 35 ma @ 600 V -40°C 200°C 150a -
MURT10040R GeneSiC Semiconductor murt10040r 93.0525
RFQ
 ECAD 8422 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt10040 标准，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10040rgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 50a 1.35 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
KBPC2501T GeneSiC Semiconductor KBPC2501T 2.2995
RFQ
 ECAD 4637 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，KBPC-T KBPC2501 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
KBU1006 GeneSiC Semiconductor KBU1006 0.8205
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBU1006GN Ear99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
1N6097 GeneSiC Semiconductor 1N6097 20.4585
RFQ
 ECAD 4524 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N6097 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N6097GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 700 MV @ 50 A 5 ma @ 30 V -65°C〜150°C 50a -
MBRT600200 GeneSiC Semiconductor MBRT600200 140.2020
RFQ
 ECAD 4959 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRT250160A GeneSiC Semiconductor MSRT250160A 54.2296
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT250160 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
FST7330M GeneSiC Semiconductor FST7330M -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 35a 700 MV @ 35 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRH24020R GeneSiC Semiconductor MBRH24020R 76.4925
RFQ
 ECAD 1125 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH24020 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 720 MV @ 240 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C 240a -
1N5831R GeneSiC Semiconductor 1N5831R 14.8695
RFQ
 ECAD 1913年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N5831R 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5831RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
FST12080 GeneSiC Semiconductor FST12080 70.4280
RFQ
 ECAD 5683 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST12080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 120A（DC） 840 mv @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT20020R GeneSiC Semiconductor MBRT20020R 98.8155
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20020 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR7580R GeneSiC Semiconductor MBR7580R 21.9195
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR7580 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR7580RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 75 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C 75a -
FR6DR02 GeneSiC Semiconductor FR6DR02 5.1225
RFQ
 ECAD 4323 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6DR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MURTA50060R GeneSiC Semiconductor Murta50060r 174.1546
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta50060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta50060RGN Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 250a 1.7 V @ 250 A 250 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR2X100A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A200 50.2485
RFQ
 ECAD 8518 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 200 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
S70DR GeneSiC Semiconductor S70DR 9.8985
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70D 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70DRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
FST160100 GeneSiC Semiconductor FST160100 75.1110
RFQ
 ECAD 6738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST160100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 160a（DC） 880 mv @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FST16020L GeneSiC Semiconductor FST16020L -
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 80a 600 mv @ 80 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR2X100A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A045 50.2485
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 45 v 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
FR85MR05 GeneSiC Semiconductor FR85MR05 24.1260
RFQ
 ECAD 1903年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85MR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.3 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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