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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UFT10060 | - | ![]() | 6080 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-249AB | 标准 | TO-249AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 50a | 1.7 V @ 50 A | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | GKR240/12 | 59.1425 | ![]() | 1015 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | GKR240 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.4 V @ 60 A | 60 ma @ 1200 V | -40°C〜180°C | 320a | - | ||||||
![]() | MBRTA600200 | - | ![]() | 6985 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 300A | 920 MV @ 300 A | 4 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | Murh7010r | 49.5120 | ![]() | 4172 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | Murh7010 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||||
![]() | FST160150 | 75.1110 | ![]() | 6755 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 80a | 880 mv @ 80 a | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | FST7345M | - | ![]() | 9556 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 35a | 700 MV @ 35 A | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBR50045CTR | - | ![]() | 3546 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基,反极性 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR50045CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 45 v | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | GD30MPS06J | 6.4200 | ![]() | 733 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA | GD30MPS06 | SIC (碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GD30MPS06J | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | -55°C 〜175°C | 51a | 735pf @ 1V,1MHz | ||||||
![]() | MBR2X100A120 | 50.2485 | ![]() | 7272 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 120 v | 100a | 880 mv @ 100 a | 3 ma @ 120 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | S16B | 4.5900 | ![]() | 3371 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S16BGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 16 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||||
![]() | MSRT20060D | 110.1030 | ![]() | 2341 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT200 | 标准 | 三个塔 | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRT20060D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 600 v | 200a | 1.2 V @ 200 A | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRT30035 | 111.0800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1005 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 150a | 750 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR60035CTL | - | ![]() | 2201 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 300A | 600 MV @ 300 A | 3 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRH20030R | 70.0545 | ![]() | 5434 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | MBRH20030 | 肖特基,反极性 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRH20030RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 650 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | 200a | - | ||||||
![]() | S320K | 63.8625 | ![]() | 8900 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S320 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S320KGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 300 A | 10 µA @ 600 V | -60°C〜180°C | 320a | - | |||||
![]() | Murta30020r | 159.9075 | ![]() | 6270 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta30020 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 150a | 1 V @ 150 A | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | Murta300120r | 159.9075 | ![]() | 2718 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta300120 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 150a | 2.6 V @ 150 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | FR6GR05 | 8.6370 | ![]() | 5981 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR6GR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 6 A | 500 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
![]() | MBR60020CTR | 129.3585 | ![]() | 7733 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60020 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR60020CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
S85M | 11.8980 | ![]() | 9124 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||
![]() | MUR7040 | 17.5905 | ![]() | 6716 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7040GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||||
![]() | MBR50080CT | - | ![]() | 7095 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR50080CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 250a | 880 mv @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRT20060 | 102.9600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT20060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 100a | 800 mv @ 100 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | GE08MPS06E | 2.4000 | ![]() | 4567 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | (CT) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | GE08MPS06 | SIC (碳化硅) | TO-252-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | -55°C 〜175°C | 21a | 373pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | MUR5060 | 17.6895 | ![]() | 1019 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR5060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1 V @ 50 A | 90 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 50a | - | |||||
![]() | FR20M05 | 9.2895 | ![]() | 8771 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR20M05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1 V @ 20 A | 500 ns | 25 µA @ 800 V | -40°C〜125°C | 20a | - | |||||
![]() | MBR12035 CTR | 73.9100 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR12035 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 120A(DC) | 650 MV @ 120 A | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | GD2X100MPS06N | 47.9100 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GD2X | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GD2X100MPS06N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 650 v | 108A(DC) | 1.8 V @ 100 A | 0 ns | 5 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | MBR60040CTR | 132.0100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60040 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1076 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MURH7060R | 49.5120 | ![]() | 1183 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | Murh7060 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 70 A | 110 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 70a | - |
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