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参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
GKR130/04 GeneSiC Semiconductor GKR130/04 35.2590
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 ECAD 9386 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 GKR130 标准 DO-205AA (DO-8) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 400伏 1.5V@60A 22毫安@400伏 -40℃～180℃ 165A -
MBRT12040R GeneSiC Semiconductor MBRT12040R 75.1110
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 ECAD 6684 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT12040 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT12040RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 40V 60A 750毫伏@60安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRT400200R GeneSiC Semiconductor MBRT400200R 118.4160
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 ECAD 2546 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT400200 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 200V 200A 920毫伏@200安 1毫安@200伏 -55℃～150℃
FR30K05 GeneSiC Semiconductor FR30K05 10.3155
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 ECAD 5312 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR30K05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 800V 1V@30A 500纳秒 800V时为25μA -40℃～125℃ 30A -
MUR5010R GeneSiC Semiconductor 穆尔5010R 21.3900
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 ECAD 158 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 毛里求斯5010 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1097 EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 1V@50A 75纳秒 50V时为10μA -55℃～150℃ 50A -
MBR12030CT GeneSiC Semiconductor MBR12030CT 68.8455
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 ECAD 2501 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR12030 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1090 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 30V 120A（直流） 650 毫伏 @ 60 安 3毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRT30060 GeneSiC Semiconductor MBRT30060 107.3070
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 ECAD 第1378章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT30060GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 60V 150A 800毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MUR5020 GeneSiC Semiconductor 毛里求斯5020 17.4870
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 ECAD 6381 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔5020GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 1V@50A 75纳秒 50V时为10μA -55℃～150℃ 50A -
1N4595 GeneSiC Semiconductor 1N4595 35.5695
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 ECAD 5456 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4595 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N4595GN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1200伏 1.5V@150A 4毫安@1200伏 -60℃～200℃ 150A -
FR85DR05 GeneSiC Semiconductor FR85DR05 24.1260
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 ECAD 5877 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR85DR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 1.4V@85A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 85A -
MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor MBR600150CTR 129.3585
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 ECAD 2637 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR600150 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 150伏 300A 880毫伏@300安 3毫安@150伏 -55℃～150℃
1N5831R GeneSiC Semiconductor 1N5831R 14.8695
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 ECAD 1913年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N5831R 肖特基，反 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N5831RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 35V 580毫伏@25安 2毫安@20伏 -55℃～150℃ 25A -
FST10045 GeneSiC Semiconductor FST10045 65.6445
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 ECAD 9381 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FST10045GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 45V 100A 650毫伏@100安 2毫安@20伏 -55℃～150℃
GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N 111.7100
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 ECAD 199 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 GD2X SiC（碳化硅）肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-GD2X75MPS17N EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 1700伏 115A（直流） -55℃～175℃
150K60A GeneSiC Semiconductor 150K60A 35.5695
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 ECAD 9550 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 150K60 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 150K60AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.33V@150A 35毫安@600伏 -40℃～200℃ 150A -
FR16B02 GeneSiC Semiconductor FR16B02 8.1330
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 ECAD 第1391章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR16B02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 900毫伏@16安 200纳秒 100V时为25μA -65℃～150℃ 16A -
MBRT400150 GeneSiC Semiconductor MBRT400150 118.4160
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 ECAD 7201 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 150伏 200A 880毫伏@200安 1毫安@150伏 -55℃～150℃
MBRH20020 GeneSiC Semiconductor MBRH20020 70.0545
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 ECAD 8075 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRH20020GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 20V 650毫伏@200安 5毫安@20伏 200A -
MSRTA300100D GeneSiC Semiconductor MSRTA300100D 159.9075
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 ECAD 6624 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 模块 MSRTA300 标准 - 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRTA300100D EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1000伏 300A 1.1V@300A 1000V时为20μA -55℃～150℃
1N3214 GeneSiC Semiconductor 1N3214 9.6500
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 ECAD 6063 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3214 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1040 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.5V@15A 50V时为10μA -65℃～175℃ 15A -
GBJ15G GeneSiC Semiconductor GBJ15G 0.7875
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 ECAD 3854 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP，GBJ GBJ15 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ15G EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@7.5A 5μA@400V 15A 单相 400伏
MURF40040R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫40040R -
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 ECAD 6158 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 400伏 200A 1.3V@200A 180纳秒 400V时为25μA -55℃～150℃
1N1184 GeneSiC Semiconductor 1N1184 10.1200
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 ECAD 第749章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1184 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1013 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 100伏 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃～190℃ 35A -
MBR8035R GeneSiC Semiconductor MBR8035R 1985年22月
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 ECAD 9491 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR8035 肖特基，反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR8035RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 35V 750毫伏@80安 1毫安@35伏 -65℃～150℃ 80A -
MURT40060R GeneSiC Semiconductor 穆尔特40060R -
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 ECAD 8384 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MURT40060RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 600伏 200A 1.7V@200A 240纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBR6030 GeneSiC Semiconductor MBR6030 20.2695
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 ECAD 6336 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR6030GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 650 毫伏 @ 60 安 5毫安@20伏 -65℃～150℃ 60A -
S16JR GeneSiC Semiconductor S16JR 4.5900
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 ECAD 6731 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S16J 标准，反脊柱 - 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S16JRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.1V@16A 50V时为10μA -65℃～175℃ 16A -
GBJ20B GeneSiC Semiconductor 国标J20B 0.9120
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 ECAD 1309 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP，GBJ 国标J20 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ20B EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@10A 100V时为5μA 20A 单相 100伏
MBR50040CT GeneSiC Semiconductor MBR50040CT -
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 ECAD 4431 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR50040CTGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 40V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
FST12035 GeneSiC Semiconductor FST12035 70.4280
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 ECAD 5452 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FST12035GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 35V 120A（直流） 650毫伏@120安 2毫安@20伏 -55℃～150℃
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196-LFBGA 裸露焊盘

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