SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
UFT10060 GeneSiC Semiconductor UFT10060 -
RFQ
ECAD 6080 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 标准 TO-249AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GKR240/12 GeneSiC Semiconductor GKR240/12 59.1425
RFQ
ECAD 1015 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 GKR240 标准 DO-205AB(DO-9) - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 320a -
MBRTA600200 GeneSiC Semiconductor MBRTA600200 -
RFQ
ECAD 6985 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 4 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MURH7010R GeneSiC Semiconductor Murh7010r 49.5120
RFQ
ECAD 4172 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh7010 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C 70a -
FST160150 GeneSiC Semiconductor FST160150 75.1110
RFQ
ECAD 6755 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 80a 880 mv @ 80 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
FST7345M GeneSiC Semiconductor FST7345M -
RFQ
ECAD 9556 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 35a 700 MV @ 35 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR50045CTR GeneSiC Semiconductor MBR50045CTR -
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基,反极性 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR50045CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J 6.4200
RFQ
ECAD 733 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 表面安装 TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA GD30MPS06 SIC (碳化硅) TO-263-7 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD30MPS06J Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v -55°C 〜175°C 51a 735pf @ 1V,1MHz
MBR2X100A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A120 50.2485
RFQ
ECAD 7272 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 120 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
S16B GeneSiC Semiconductor S16B 4.5900
RFQ
ECAD 3371 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S16BGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MSRT20060D GeneSiC Semiconductor MSRT20060D 110.1030
RFQ
ECAD 2341 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT20060D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 600 v 200a 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT30035 GeneSiC Semiconductor MBRT30035 111.0800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1005 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR60035CTL GeneSiC Semiconductor MBR60035CTL -
RFQ
ECAD 2201 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 300A 600 MV @ 300 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBRH20030R GeneSiC Semiconductor MBRH20030R 70.0545
RFQ
ECAD 5434 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20030 肖特基,反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRH20030RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
S320K GeneSiC Semiconductor S320K 63.8625
RFQ
ECAD 8900 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 S320 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S320KGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MURTA30020R GeneSiC Semiconductor Murta30020r 159.9075
RFQ
ECAD 6270 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta30020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 200 v 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MURTA300120R GeneSiC Semiconductor Murta300120r 159.9075
RFQ
ECAD 2718 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta300120 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 600 v 150a 2.6 V @ 150 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
FR6GR05 GeneSiC Semiconductor FR6GR05 8.6370
RFQ
ECAD 5981 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR6GR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor MBR60020CTR 129.3585
RFQ
ECAD 7733 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60020 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR60020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 20 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S85M GeneSiC Semiconductor S85M 11.8980
RFQ
ECAD 9124 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
MUR7040 GeneSiC Semiconductor MUR7040 17.5905
RFQ
ECAD 6716 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7040GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MBR50080CT GeneSiC Semiconductor MBR50080CT -
RFQ
ECAD 7095 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR50080CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 250a 880 mv @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT20060 GeneSiC Semiconductor MBRT20060 102.9600
RFQ
ECAD 31 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT20060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 100a 800 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GE08MPS06E GeneSiC Semiconductor GE08MPS06E 2.4000
RFQ
ECAD 4567 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ (CT) 在sic中停产 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 GE08MPS06 SIC (碳化硅) TO-252-2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v -55°C 〜175°C 21a 373pf @ 1V,1MHz
MUR5060 GeneSiC Semiconductor MUR5060 17.6895
RFQ
ECAD 1019 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR5060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1 V @ 50 A 90 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
FR20M05 GeneSiC Semiconductor FR20M05 9.2895
RFQ
ECAD 8771 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR20M05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1 V @ 20 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 20a -
MBR12035 CTR GeneSiC Semiconductor MBR12035 CTR 73.9100
RFQ
ECAD 36 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 5 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 35 v 120A(DC) 650 MV @ 120 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N 47.9100
RFQ
ECAD 44 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GD2X SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD2X100MPS06N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 650 v 108A(DC) 1.8 V @ 100 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
MBR60040CTR GeneSiC Semiconductor MBR60040CTR 132.0100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1076 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 40 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURH7060R GeneSiC Semiconductor MURH7060R 49.5120
RFQ
ECAD 1183 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh7060 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 70 A 110 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C 70a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库