电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S12DR | 4.2345 | ![]() | 6126 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S12D | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S12DRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | MBR2X080A080 | 48.6255 | ![]() | 7118 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 80V | 80A | 840毫伏@80安 | 1毫安@80伏 | -40℃~150℃ | |||||||||
![]() | 穆尔夫30040 | - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400伏 | 150A | 1.3V@150A | 110纳秒 | 400V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 穆尔夫40060 | - | ![]() | 5200 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 200A | 1.7V@200A | 240纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
1N3879 | 7.1300 | ![]() | 799 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3879 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1087 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为15μA | -65℃~150℃ | 6A | - | ||||||||
![]() | MBRH240100 | 76.4925 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 840毫伏@240安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | 240A | - | ||||||||||
![]() | 穆尔夫20010R | - | ![]() | 9889 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫20010RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100伏 | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRT30030RL | - | ![]() | 7872 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBR7540 | 20.8845 | ![]() | 8902 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7540GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 650毫伏@75安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 75A | - | |||||||||
![]() | S25J | 5.2485 | ![]() | 5113 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25JGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | |||||||||
![]() | MBR12020CT | 68.8455 | ![]() | 2134 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR12020 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1069 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | S320MR | 62.2080 | ![]() | 7290 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S320 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S320MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.2V@300A | 600V时为10μA | -60℃~180℃ | 320A | - | ||||||||
![]() | MSRT15080D | 98.8155 | ![]() | 2121 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRT15080D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 150A | 1.1V@150A | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | S85D | 11.8980 | ![]() | 9788 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S85DGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 85A | - | |||||||||
![]() | MBRT30020RL | - | ![]() | 8582 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRT400100 | 121.6500 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1101 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 200A | 880毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | GD30MPS06J | 6.4200 | ![]() | 第733章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | GD30MPS06 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD30MPS06J | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | -55℃~175℃ | 51A | 735pF @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | MBRTA800200R | - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 400A | 920 毫伏 @ 400 安 | 5毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MSRT200140A | 48.2040 | ![]() | 7416 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT200 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1400伏 | 200A(直流) | 1.2V@200A | 600V时为10μA | -40℃~175℃ | |||||||||
![]() | MBR30020CTL | - | ![]() | 2718 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 穆尔塔50040 | 174.1546 | ![]() | 2819 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔50040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400伏 | 250A | 1.5V@250A | 150纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBR30045CTRL | - | ![]() | 6242 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 150A | 600毫伏@150安 | 5毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRF20020 | - | ![]() | 4219 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 100A | 700毫伏@100安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | UFT10020 | - | ![]() | 4249 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-249AB | 标准 | TO-249AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 50A | 1V@50A | 60纳秒 | 25μA@200V | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | GD30MPS12J | 10.9900 | ![]() | 119 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-7 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD30MPS12J | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 175℃ | 30A | - | |||||||||
![]() | FST8320M | - | ![]() | 3580 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | 下载 | 1(无限制) | FST8320MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 80A(直流) | 650毫伏@80安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | GBPC3508W | 4.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC3508 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1295 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@17.5A | 800V时为5μA | 35A | 单相 | 800V | |||||||||
![]() | MBRTA60035R | - | ![]() | 8361 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 300A | 700 毫伏 @ 300 安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FR12GR02 | 9.2235 | ![]() | 3268 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR12GR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 800毫伏@12安 | 200纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | MBRH15035L | - | ![]() | 2604 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 600毫伏@150安 | 3毫安@35伏 | 150A | - |
日平均询价量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库