SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
GBPC5010T GeneSiC Semiconductor GBPC5010T 4.0155
RFQ
 ECAD 3619 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC5010 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 1000 V 50 a 单相 1 kV
BR86 GeneSiC Semiconductor BR86 0.8910
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-8 标准 BR-8 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR86GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 8 a 单相 600 v
MUR2X100A12 GeneSiC Semiconductor MUR2X100A12 48.6255
RFQ
 ECAD 1042 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X100 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 1200 v 100a 2.35 V @ 100 A 25 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
1N4596 GeneSiC Semiconductor 1N4596 35.8125
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N4596 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N4596GN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.5 V @ 150 A 3.5 ma @ 1400 V -60°C 〜200°C 150a -
S25DR GeneSiC Semiconductor S25DR 5.2485
RFQ
 ECAD 7653 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25D 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25DRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S400Q GeneSiC Semiconductor S400Q 88.0320
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S400 标准 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S400QGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.2 V @ 400 A 10 µA @ 50 V -60°C 〜200°C 400a -
MBRF12040R GeneSiC Semiconductor MBRF12040R -
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 60a 700 mv @ 60 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
FR12GR02 GeneSiC Semiconductor FR12GR02 9.2235
RFQ
 ECAD 3268 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12GR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 800 mv @ 12 a 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
S40DR GeneSiC Semiconductor S40DR 7.6470
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S40D 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40DRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
MBRT500100 GeneSiC Semiconductor MBRT500100 -
RFQ
 ECAD 1383 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 （1 （无限） MBRT500100GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 250a 880 mv @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA80035L GeneSiC Semiconductor MBRTA80035L -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 400a 600 MV @ 400 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBRT12030R GeneSiC Semiconductor MBRT12030R 62.6320
RFQ
 ECAD 6884 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT12030 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12030RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H 8.1700
RFQ
 ECAD 7530 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD10MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1700 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 26a 721pf @ 1V，1MHz
FR70DR02 GeneSiC Semiconductor FR70DR02 17.7855
RFQ
 ECAD 6713 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70DR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 70 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MBRH24040R GeneSiC Semiconductor MBRH24040R 76.4925
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH24040 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 720 MV @ 240 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C 240a -
S380Z GeneSiC Semiconductor S380Z 83.7480
RFQ
 ECAD 8357 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S380 标准 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S380ZGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2000 v 1.2 V @ 380 A 10 µA @ 1600 V -60°C〜180°C 380a -
MBRH12060R GeneSiC Semiconductor MBRH12060R 60.0375
RFQ
 ECAD 9077 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH12060 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12060RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 750 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
FR6B02 GeneSiC Semiconductor FR6B02 4.9020
RFQ
 ECAD 2049 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6B02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MURTA40060 GeneSiC Semiconductor Murta40060 159.9075
RFQ
 ECAD 5153 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 200a 1.7 V @ 200 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRH200100R GeneSiC Semiconductor MBRH200100R 70.0545
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH200100 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH200100RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MSRT200120AD GeneSiC Semiconductor MSRT200120AD 80.4872
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MBR2X160A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A200 59.6700
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 200 v 160a 920 MV @ 160 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
UFT10060 GeneSiC Semiconductor UFT10060 -
RFQ
 ECAD 6080 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 标准 TO-249AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GKR240/12 GeneSiC Semiconductor GKR240/12 59.1425
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 320a -
MBRTA600200 GeneSiC Semiconductor MBRTA600200 -
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 4 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MURH7010R GeneSiC Semiconductor Murh7010r 49.5120
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh7010 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C 70a -
FST160150 GeneSiC Semiconductor FST160150 75.1110
RFQ
 ECAD 6755 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 80a 880 mv @ 80 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
FST7345M GeneSiC Semiconductor FST7345M -
RFQ
 ECAD 9556 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 35a 700 MV @ 35 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR50045CTR GeneSiC Semiconductor MBR50045CTR -
RFQ
 ECAD 3546 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基，反极性 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR50045CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J 6.4200
RFQ
 ECAD 733 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA GD30MPS06 SIC （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD30MPS06J Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v -55°C 〜175°C 51a 735pf @ 1V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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