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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBPC3506W | 2.4720 | ![]() | 2086 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC-W | KBPC3506 | 标准 | KBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 600 V | 35 a | 单相 | 600 v | ||||||||||
![]() | M3P75A-40 | - | ![]() | 5748 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 10 µA @ 400 V | 75 a | 三期 | 400 v | |||||||||||||
![]() | GBPC2504W | 4.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC2504 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1290 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | |||||||||
![]() | GBPC3504W | 4.6200 | ![]() | 327 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC3504 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1294 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 400 V | 35 a | 单相 | 400 v | |||||||||
![]() | GBPC3508W | 4.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC3508 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1295 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 800 V | 35 a | 单相 | 800 v | |||||||||
![]() | GBPC3510W | 4.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC3510 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1296 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 1000 V | 35 a | 单相 | 1 kV | |||||||||
![]() | MBRT30030RL | - | ![]() | 7872 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 150a | 580 mv @ 150 A | 3 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | kbpm204g | - | ![]() | 3278 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 标准 | kbpm | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | kbpm204ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 50 V | 2 a | 单相 | 400 v | ||||||||||
KBPC1502T | 2.1795 | ![]() | 5939 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC1502 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v | |||||||||||
![]() | KBL610G | 0.5805 | ![]() | 7504 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | KBL610 | 标准 | KBL | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBL610GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | |||||||||
KBPC2508T | 2.2995 | ![]() | 2585 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC2508 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | 25 a | 单相 | 800 v | |||||||||||
KBPC1501T | 2.1795 | ![]() | 2447 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC1501 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 100 v | |||||||||||
![]() | KBPC1508W | 2.1795 | ![]() | 1295 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC-W | KBPC1508 | 标准 | KBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 800 V | 15 a | 单相 | 800 v | ||||||||||
KBPC25005T | 2.2995 | ![]() | 9439 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC25005 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 50 V | 25 a | 单相 | 50 V | |||||||||||
KBPC1506T | 2.1795 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC1506 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 15 a | 单相 | 600 v | |||||||||||
![]() | MUR5005 | 17.4870 | ![]() | 1315 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR5005GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 50 A | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 50a | - | ||||||||
![]() | DB154G | 0.2325 | ![]() | 4951 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB154 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB154GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 400 V | 1.5 a | 单相 | 400 v | |||||||||
![]() | M3P100A-60 | - | ![]() | 4378 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.15 V @ 100 A | 10 ma @ 600 V | 100 a | 三期 | 600 v | |||||||||||
KBPC3508T | 2.4720 | ![]() | 1551年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC3508 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 800 V | 35 a | 单相 | 800 v | |||||||||||
![]() | kbu8j | 1.8200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU8 | 标准 | KBU | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 8 A | 10 µA @ 600 V | 8 a | 单相 | 600 v | ||||||||||
![]() | M3P100A-1220 | - | ![]() | 2052 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.15 V @ 100 A | 10 ma @ 1200 V | 100 a | 三期 | 1.2 kV | |||||||||||
KBPC15005T | 2.1795 | ![]() | 4373 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC15005 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 50 V | 15 a | 单相 | 50 V | |||||||||||
![]() | GBJ10G | 0.7470 | ![]() | 3356 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ10 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-GBJ10G | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 5 A | 5 µA @ 400 V | 10 a | 单相 | 400 v | ||||||||||
![]() | W08M | - | ![]() | 2194 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,妇女 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | (1 (无限) | W08MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | 1.5 a | 单相 | 800 v | |||||||||||
![]() | KBJ410G | 0.5160 | ![]() | 3704 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | KBJ410 | 标准 | KBJ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBJ410GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 1000 V | 4 a | 单相 | 1 kV | |||||||||
![]() | GBJ20B | 0.9120 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ20 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-GBJ20B | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 10 A | 5 µA @ 100 V | 20 a | 单相 | 100 v | ||||||||||
![]() | MBRT12020R | 75.1110 | ![]() | 9313 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT12020 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT12020RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 60a | 750 mv @ 60 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
W02M | - | ![]() | 7609 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,妇女 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 1.5 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | GD2X20MPS12D | 15.2500 | ![]() | 576 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | GD2X | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 1242-GD2X20MPS12D | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 39A(DC) | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 10 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||
![]() | kbu6g | 0.7035 | ![]() | 3168 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU6 | 标准 | KBU | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | kbu6ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 6 A | 10 µA @ 50 V | 6 a | 单相 | 400 v |
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