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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR40040CTR | 102.9600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR40040 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1104 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 200a | 650 MV @ 100 A | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
GKR26/14 | - | ![]() | 7752 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.55 V @ 60 A | 4 mA @ 1400 V | -40°C〜180°C | 25a | - | ||||||||||||
![]() | MBRF12020 | - | ![]() | 2769 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 60a | 700 mv @ 60 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MUR2X100A06 | 46.9860 | ![]() | 6253 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X100 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 600 v | 100a | 1.5 V @ 100 A | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||
![]() | 1N2129AR | 8.9025 | ![]() | 8969 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N2129AR | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N2129ARGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 60 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 60a | - | ||||||||
![]() | Murf40040r | - | ![]() | 6158 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 200a | 1.3 V @ 200 A | 180 ns | 25 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MSRT150100D | 98.8155 | ![]() | 4880 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT150 | 标准 | 三个塔 | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRT150100D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 150a | 1.1 V @ 150 A | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBRTA40035RL | - | ![]() | 8896 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 200a | 600 mV @ 200 A | 3 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBR40045CTL | - | ![]() | 4605 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 200a | 600 mV @ 200 A | 5 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | S40yr | 8.4675 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S40Y | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | s40yrgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜160°C | 40a | - | ||||||||
![]() | MUR7010R | 17.7855 | ![]() | 9514 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MUR7010 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7010RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||||||
![]() | MBR600100CTR | 129.3585 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR600100 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR600100CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MUR2520 | 10.1910 | ![]() | 6528 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR2520GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 25 A | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 25a | - | ||||||||
![]() | GC20MPS12-220 | - | ![]() | 4057 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | GC20MPS12 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1336 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 18 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 94a | 1298pf @ 1V,1MHz | ||||||
![]() | GD2X75MPS17N | 111.7100 | ![]() | 199 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GD2X | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GD2X75MPS17N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 1700 v | 115a(DC) | -55°C 〜175°C | |||||||||
![]() | Murf20020 | - | ![]() | 6197 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | Murf20020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||
KBPC15010T | 1.7953 | ![]() | 3694 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC15010 | 标准 | KBPC-T | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||
MBR3540 | 14.3280 | ![]() | 4148 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 肖特基 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 680 mv @ 35 A | 1.5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 35a | - | |||||||||||
![]() | S400QR | 88.0320 | ![]() | 7676 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S400 | 标准,反极性 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S400QRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.2 V @ 400 A | 10 µA @ 50 V | -60°C 〜200°C | 400a | - | ||||||||
![]() | S150J | 35.5695 | ![]() | 4293 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | S150 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S150JGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 150 A | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | ||||||||
![]() | Murh10020 | 49.5120 | ![]() | 5888 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MURH10020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | 100a | - | |||||||||
![]() | MSRT150100AD | 51.0360 | ![]() | 3366 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT150 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 150a | 1.1 V @ 150 A | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | Murta50060 | 174.1546 | ![]() | 5201 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murta50060gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 250a | 1.7 V @ 250 A | 250 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | GKN240/04 | 59.0066 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | GKN240 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.4 V @ 60 A | 60 ma @ 400 V | -40°C〜180°C | 320a | - | |||||||||
![]() | DB157G | 0.2325 | ![]() | 6626 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB157 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB157GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | |||||||||
![]() | FST16080 | 75.1110 | ![]() | 4115 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FST16080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 160a(DC) | 880 mv @ 160 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | FR85DR05 | 24.1260 | ![]() | 5877 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR85DR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 85 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 85a | - | ||||||||
![]() | MBRT20030 | 98.8155 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT20030GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 100a | 750 mv @ 100 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | FR16B02 | 8.1330 | ![]() | 1391 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR16B02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 900 mv @ 16 A | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||||||
![]() | MBRT30020RL | - | ![]() | 8582 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 150a | 580 mv @ 150 A | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C |
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