SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
MBR40040CTR GeneSiC Semiconductor MBR40040CTR 102.9600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1104 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 40 V 200a 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GKR26/14 GeneSiC Semiconductor GKR26/14 -
RFQ
ECAD 7752 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.55 V @ 60 A 4 mA @ 1400 V -40°C〜180°C 25a -
MBRF12020 GeneSiC Semiconductor MBRF12020 -
RFQ
ECAD 2769 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 60a 700 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR2X100A06 GeneSiC Semiconductor MUR2X100A06 46.9860
RFQ
ECAD 6253 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MUR2X100 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2独立 600 v 100a 1.5 V @ 100 A 25 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
1N2129AR GeneSiC Semiconductor 1N2129AR 8.9025
RFQ
ECAD 8969 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N2129AR 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N2129ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
MURF40040R GeneSiC Semiconductor Murf40040r -
RFQ
ECAD 6158 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 400 v 200a 1.3 V @ 200 A 180 ns 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
MSRT150100D GeneSiC Semiconductor MSRT150100D 98.8155
RFQ
ECAD 4880 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT150100D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1000 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MBRTA40035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40035RL -
RFQ
ECAD 8896 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 35 v 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBR40045CTL GeneSiC Semiconductor MBR40045CTL -
RFQ
ECAD 4605 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 200a 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
S40YR GeneSiC Semiconductor S40yr 8.4675
RFQ
ECAD 5847 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 S40Y 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) s40yrgn Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C〜160°C 40a -
MUR7010R GeneSiC Semiconductor MUR7010R 17.7855
RFQ
ECAD 9514 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MUR7010 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7010RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MBR600100CTR GeneSiC Semiconductor MBR600100CTR 129.3585
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR600100 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR600100CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 100 v 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR2520 GeneSiC Semiconductor MUR2520 10.1910
RFQ
ECAD 6528 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR2520GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220 -
RFQ
ECAD 4057 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GC20MPS12 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-1336 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 20 A 0 ns 18 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 94a 1298pf @ 1V,1MHz
GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N 111.7100
RFQ
ECAD 199 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GD2X SIC (碳化硅) SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD2X75MPS17N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 1700 v 115a(DC) -55°C 〜175°C
MURF20020 GeneSiC Semiconductor Murf20020 -
RFQ
ECAD 6197 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) Murf20020GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
KBPC15010T GeneSiC Semiconductor KBPC15010T 1.7953
RFQ
ECAD 3694 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC15010 标准 KBPC-T 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
MBR3540 GeneSiC Semiconductor MBR3540 14.3280
RFQ
ECAD 4148 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
S400QR GeneSiC Semiconductor S400QR 88.0320
RFQ
ECAD 7676 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 S400 标准,反极性 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S400QRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.2 V @ 400 A 10 µA @ 50 V -60°C 〜200°C 400a -
S150J GeneSiC Semiconductor S150J 35.5695
RFQ
ECAD 4293 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 S150 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S150JGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
MURH10020 GeneSiC Semiconductor Murh10020 49.5120
RFQ
ECAD 5888 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MURH10020GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MSRT150100AD GeneSiC Semiconductor MSRT150100AD 51.0360
RFQ
ECAD 3366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1000 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MURTA50060 GeneSiC Semiconductor Murta50060 174.1546
RFQ
ECAD 5201 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Murta50060gn Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 250a 1.7 V @ 250 A 250 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GKN240/04 GeneSiC Semiconductor GKN240/04 59.0066
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 GKN240 标准 DO-205AB(DO-9) - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 400 V -40°C〜180°C 320a -
DB157G GeneSiC Semiconductor DB157G 0.2325
RFQ
ECAD 6626 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB157 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) DB157GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 1 kV
FST16080 GeneSiC Semiconductor FST16080 75.1110
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FST16080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 160a(DC) 880 mv @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR85DR05 GeneSiC Semiconductor FR85DR05 24.1260
RFQ
ECAD 5877 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR85DR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MBRT20030 GeneSiC Semiconductor MBRT20030 98.8155
RFQ
ECAD 4408 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT20030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR16B02 GeneSiC Semiconductor FR16B02 8.1330
RFQ
ECAD 1391 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR16B02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 900 mv @ 16 A 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBRT30020RL GeneSiC Semiconductor MBRT30020RL -
RFQ
ECAD 8582 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 20 v 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库