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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
S320KR GeneSiC Semiconductor S320kr 62.2080
RFQ
 ECAD 4488 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S320 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S320krgn Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MBR7535 GeneSiC Semiconductor MBR7535 20.8845
RFQ
 ECAD 5565 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR7535 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR7535GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 750 MV @ 75 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C 75a -
MSRT200160D GeneSiC Semiconductor MSRT200160D 110.1030
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT200160D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1600 V -55°C〜150°C
BR34 GeneSiC Semiconductor BR34 0.5700
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-3 标准 BR-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR34GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 400 V 3 a 单相 400 v
BR108 GeneSiC Semiconductor BR108 2.1100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR108GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
MBRH120100R GeneSiC Semiconductor MBRH120100R 60.0375
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH120100 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH120100RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 mv @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
S16KR GeneSiC Semiconductor S16kr 4.5900
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S16K 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S16krgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
GKR71/04 GeneSiC Semiconductor GKR71/04 12.4659
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 GKR71 标准 do-5 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 400 V -40°C〜180°C 95a -
FR70M05 GeneSiC Semiconductor FR70M05 17.5905
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70M05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
1N5826R GeneSiC Semiconductor 1N5826R 13.3005
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N5826R 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5826RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 440 mv @ 15 A 10 ma @ 20 V -65°C〜150°C 15a -
MSRT15060D GeneSiC Semiconductor MSRT15060D 98.8155
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT15060D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 600 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MURTA50040 GeneSiC Semiconductor Murta50040 174.1546
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta50040gn Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 250a 1.5 V @ 250 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT30020L GeneSiC Semiconductor MBRT30020L -
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA800200R GeneSiC Semiconductor MBRTA800200R -
RFQ
 ECAD 7402 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 400a 920 MV @ 400 A 5 ma @ 200 V -55°C〜150°C
MSRT200140A GeneSiC Semiconductor MSRT200140A 48.2040
RFQ
 ECAD 7416 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1400 v 200a（DC） 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MBR30030CTL GeneSiC Semiconductor MBR30030CTL -
RFQ
 ECAD 3031 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MUR30020CTR GeneSiC Semiconductor MUR30020CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRH24080R GeneSiC Semiconductor MBRH24080R 76.4925
RFQ
 ECAD 7139 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH24080 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 MV @ 240 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C 240a -
MBRH12030 GeneSiC Semiconductor MBRH12030 60.0375
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12030GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 650 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
GKR240/08 GeneSiC Semiconductor GKR240/08 59.1425
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 800 V -40°C〜180°C 320a -
1N2137AR GeneSiC Semiconductor 1N2137AR 8.9025
RFQ
 ECAD 1642 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2137AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N2137ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 500 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
KBPC1502W GeneSiC Semiconductor KBPC1502W 2.1795
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC1502 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
MBRTA60040R GeneSiC Semiconductor MBRTA60040R -
RFQ
 ECAD 1837年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 300A 700 MV @ 300 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
MUR2540R GeneSiC Semiconductor MUR2540R 10.1910
RFQ
 ECAD 3464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MUR2540 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR2540RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.3 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
MSRT15080D GeneSiC Semiconductor MSRT15080D 98.8155
RFQ
 ECAD 2121 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT15080D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
MBRTA800100R GeneSiC Semiconductor MBRTA800100R -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 400a 840 mv @ 400 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR8035 GeneSiC Semiconductor MBR8035 21.1680
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8035GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 750 MV @ 80 A 1 mA @ 35 V -65°C〜150°C 80a -
GBL10 GeneSiC Semiconductor GBL10 0.4230
RFQ
 ECAD 8390 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl 标准 GBL - Rohs符合条件 （1 （无限） GBL10GN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 1000 V 4 a 单相 1 kV
MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor MBR12040CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 2600 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1009 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 120A（DC） 650 MV @ 120 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR12DR05 GeneSiC Semiconductor FR12DR05 6.8085
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12DR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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