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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBU10B | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU10 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU10BGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@10A | 5μA@50V | 10A | 单相 | 100V | |||||||||
![]() | GBU4M | 0.4725 | ![]() | 6996 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU4 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU4MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 1000V时为5μA | 4A | 单相 | 1kV | |||||||||
![]() | GBU8A | 0.5685 | ![]() | 4167 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU8 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU8AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@8A | 5μA@50V | 8A | 单相 | 50V | |||||||||
![]() | GB10SLT12-252 | - | ![]() | 5900 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | GB10SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 2V@10A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 10A | 520pF@1V、1MHz | ||||||||
![]() | KBPM3005G | - | ![]() | 1007 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM3005GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1V@3A | 5μA@50V | 3A | 单相 | 50V | ||||||||||
![]() | GBU8D | 1.5700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU8 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@8A | 5μA@200V | 8A | 单相 | 200V | ||||||||||
![]() | 1N3212R | 7.0650 | ![]() | 8817 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3212R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3212RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.5V@15A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 15A | - | ||||||||
![]() | W10M | - | ![]() | 8950 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-循环,口碑 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | 1(无限制) | W10MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1V@1A | 10μA@1000V | 1.5A | 单相 | 1kV | |||||||||||
![]() | KBJ401G | 0.5160 | ![]() | 8832 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBJ | KBJ401 | 标准 | KBJ | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBJ401GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1V@4A | 100V时为5μA | 4A | 单相 | 100V | |||||||||
![]() | KBL403G | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 1(无限制) | KBL403GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 5μA@200V | 4A | 单相 | 200V | |||||||||||
![]() | KBPC5002W | 2.5875 | ![]() | 5465 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-W | KBPC5002 | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@25A | 5μA@200V | 50A | 单相 | 200V | ||||||||||
![]() | GBPC35005T | 2.8650 | ![]() | 8664 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC35005 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@17.5A | 5μA@50V | 35A | 单相 | 50V | ||||||||||
![]() | FR40G05 | 12.8985 | ![]() | 5561 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40G05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1V@40A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | ||||||||
![]() | M3P100A-140 | - | ![]() | 2821 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 安装结构 | 模块 | 标准 | 模块 | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.15V@100A | 10毫安@1400伏 | 100A | 土耳其 | 1.4kV | |||||||||||
![]() | KBU1006 | 0.8205 | ![]() | 3191 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | 标准 | 科布 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBU1006GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05V@10A | 600V时为10μA | 10A | 单相 | 600伏 | ||||||||||
![]() | KBJ2508G | 0.8955 | ![]() | 7457 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBJ | KBJ2508 | 标准 | KBJ | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBJ2508GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05V@12.5A | 800V时为10μA | 25A | 单相 | 800V | |||||||||
![]() | GBU8J | 1.5700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU8 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@8A | 5μA@600V | 8A | 单相 | 600伏 | ||||||||||
![]() | DB151G | 0.2325 | ![]() | 第1447章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB151 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB151GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 5μA@50V | 1.5A | 单相 | 50V | |||||||||
![]() | MBR20030CTR | 90.1380 | ![]() | 2533 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20030 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1023 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔塔500120 | 174.1546 | ![]() | 第1351章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 250A | 2.6V@250A | 1200V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | GBU6B | 1.5300 | ![]() | 第382章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU6 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 100V时为5μA | 6A | 单相 | 100V | ||||||||||
![]() | KBP203 | 0.3750 | ![]() | 3839 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBP | 标准 | 钾BP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBP203GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1V@2A | 10μA@200V | 2A | 单相 | 200V | ||||||||||
![]() | MBR2X060A080 | 46.9860 | ![]() | 4237 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 80V | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@80伏 | -40℃~150℃ | |||||||||
![]() | S12GR | 4.2345 | ![]() | 5890 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S12G | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S12GRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | MBRH20020R | 70.0545 | ![]() | 4250 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH20020 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH20020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | 200A | - | |||||||||
![]() | MBRT400150R | 118.4160 | ![]() | 5949 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT400150 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 150伏 | 200A | 880毫伏@200安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | 1N5827R | 13.3005 | ![]() | 3746 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N5827R | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5827RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 470 毫伏 @ 15 安 | 10毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 15A | - | ||||||||
![]() | MBRF12020 | - | ![]() | 2769 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | KBJ2502G | 0.8955 | ![]() | 5493 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBJ | KBJ2502 | 标准 | KBJ | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBJ2502GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05V@12.5A | 10μA@200V | 25A | 单相 | 200V | |||||||||
![]() | S400QR | 88.0320 | ![]() | 7676 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S400 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S400QRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.2V@400A | 50V时为10μA | -60℃~200℃ | 400A | - |
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