SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
GBJ25G GeneSiC Semiconductor GBJ25G 0.9795
RFQ
ECAD 6281 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ25 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ25G Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
GBJ6G GeneSiC Semiconductor GBJ6G 0.6645
RFQ
ECAD 5991 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ6 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ6G Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 400 V 6 a 单相 400 v
GBJ15K GeneSiC Semiconductor GBJ15K 0.7875
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ15 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ15K Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 A 10 µA @ 800 V 15 a 单相 800 v
MSRT150140D GeneSiC Semiconductor MSRT150140D 98.8155
RFQ
ECAD 9637 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT150140D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1400 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 1400 V -55°C〜150°C
GBJ30J GeneSiC Semiconductor GBJ30J 1.1205
RFQ
ECAD 4294 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ30 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ30J Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 A 5 µA @ 600 V 30 a 单相 600 v
M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor M3P100A-80 -
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 5-SMD模块 标准 5-SMD - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 100 A 10 ma @ 800 V 100 a 三期 800 v
GBJ20D GeneSiC Semiconductor GBJ20D 0.9120
RFQ
ECAD 6810 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ20 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ20D Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 200 V 20 a 单相 200 v
KBU8K GeneSiC Semiconductor kbu8k 0.7425
RFQ
ECAD 6174 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu KBU8 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) kbu8kgn Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 A 10 µA @ 800 V 8 a 单相 800 v
SD51 GeneSiC Semiconductor SD51 19.1580
RFQ
ECAD 2759 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 SD51 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) SD51GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 660 mv @ 60 a 5 ma @ 45 V -65°C〜150°C 60a -
KBPC5001T GeneSiC Semiconductor KBPC5001T 2.5875
RFQ
ECAD 4734 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC5001 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
GBPC5004W GeneSiC Semiconductor GBPC5004W 4.0155
RFQ
ECAD 6179 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC5004 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 400 V 50 a 单相 400 v
GBPC35005W GeneSiC Semiconductor GBPC35005W 2.8650
RFQ
ECAD 3381 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC35005 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) GBPC35005WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 25 a 单相 50 V
KBPM302G GeneSiC Semiconductor kbpm302g -
RFQ
ECAD 2888 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 标准 kbpm 下载 (1 (无限) 到达不受影响 kbpm302ggn Ear99 8541.10.0080 900 1.1 V @ 3 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 200 v
KBP208G GeneSiC Semiconductor KBP208G 0.2280
RFQ
ECAD 3867 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP KBP208 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBP208GGS Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V 2 a 单相 800 v
KBP206G GeneSiC Semiconductor KBP206G 0.2280
RFQ
ECAD 5933 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP KBP206 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBP206GGS Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 600 V 2 a 单相 600 v
GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H 46.0800
RFQ
ECAD 2267 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GD60 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD60MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1700 v 1.8 V @ 60 A 40 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 122a 4577pf @ 1V,1MHz
GBPC25005W GeneSiC Semiconductor GBPC25005W 2.5335
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC25005 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) GBPC25005WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 25 a 单相 50 V
GBPC25010T GeneSiC Semiconductor GBPC25010T 2.5305
RFQ
ECAD 6504 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC25010 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 1 kV
GBJ6D GeneSiC Semiconductor GBJ6D 0.6645
RFQ
ECAD 1569年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ6 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ6D Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 200 V 6 a 单相 200 v
KBPC5006T GeneSiC Semiconductor KBPC5006T 2.5875
RFQ
ECAD 7801 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC5006 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
M3P75A-60 GeneSiC Semiconductor M3P75A-60 -
RFQ
ECAD 6517 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 - 底盘安装 5-SMD模块 标准 5-SMD - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 10 µA @ 600 V 75 a 三期 600 v
MBR500150CT GeneSiC Semiconductor MBR500150CT -
RFQ
ECAD 8447 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 250a 880 mv @ 250 A 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
GBPC1508T GeneSiC Semiconductor GBPC1508T 2.4180
RFQ
ECAD 8094 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC1508 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 800 V 15 a 单相 800 v
S150JR GeneSiC Semiconductor S150JR 35.5695
RFQ
ECAD 1323 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 S150 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S150JRGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
FR20G02 GeneSiC Semiconductor FR20G02 9.0510
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR20G02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
KBP204 GeneSiC Semiconductor KBP204 0.3750
RFQ
ECAD 8785 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBP204GN Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V 2 a 单相 400 v
KBPC3502T GeneSiC Semiconductor KBPC3502T 2.4720
RFQ
ECAD 9006 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC3502 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 200 V 35 a 单相 200 v
KBU6D GeneSiC Semiconductor kbu6d 1.7600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu KBU6 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA @ 200 V 6 a 单相 200 v
KBPC50005T GeneSiC Semiconductor KBPC50005T 2.5875
RFQ
ECAD 9886 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC50005 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a 单相 50 V
GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J -
RFQ
ECAD 1326 0.00000000 基因半导体 - 管子 积极的 GD05MPS - 1242-GD05MPS17J Ear99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库