SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBRT60080 GeneSiC Semiconductor MBRT60080 140.2020
RFQ
 ECAD 6254 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214 1.6300
RFQ
 ECAD 3013 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 DO-214AA，SMB GB01SLT06 SIC （碳化硅） do-214aa 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 2 V @ 1 A 0 ns 10 µA @ 6.5 V -55°C 〜175°C 1a 76pf @ 1V，1MHz
S70J GeneSiC Semiconductor S70J 9.8985
RFQ
 ECAD 9984 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70JGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
MSRT10060D GeneSiC Semiconductor MSRT10060D 87.1935
RFQ
 ECAD 1794年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT10060D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 600 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
S85Y GeneSiC Semiconductor S85Y 12.2460
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S85ygn Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
MBR40035CTL GeneSiC Semiconductor MBR40035CTL -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBRT40030RL GeneSiC Semiconductor MBRT40030RL -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRH240100 GeneSiC Semiconductor MBRH240100 76.4925
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 MV @ 240 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C 240a -
1N4596R GeneSiC Semiconductor 1N4596R 35.8125
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N4596R 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N4596RGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.5 V @ 150 A 3.5 ma @ 1400 V -60°C 〜200°C 150a -
MBRH20080 GeneSiC Semiconductor MBRH20080 70.0545
RFQ
 ECAD 9447 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20080GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MBRH20020RL GeneSiC Semiconductor MBRH20020RL -
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基，反极性 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 580 mv @ 200 ma 3 ma @ 20 V 200a -
1N2129A GeneSiC Semiconductor 1N2129A 8.9025
RFQ
 ECAD 9548 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2129 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N2129AGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
S320QR GeneSiC Semiconductor S320QR 62.2080
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S320 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S320QRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
1N2137A GeneSiC Semiconductor 1N2137A 8.9025
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2137 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N2137AGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 500 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
SD41 GeneSiC Semiconductor SD41 13.4625
RFQ
 ECAD 4113 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SD41GS Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 680 mv @ 30 a 1.5 ma @ 35 V -55°C〜150°C 30a -
GBPC1504T GeneSiC Semiconductor GBPC1504T 2.4180
RFQ
 ECAD 9648 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC1504 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
FR16KR05 GeneSiC Semiconductor FR16KR05 8.5020
RFQ
 ECAD 2467 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16KR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor MBR12035CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR12035CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 120A（DC） 650 MV @ 120 A 3 ma @ 20 V
FR30K05 GeneSiC Semiconductor FR30K05 10.3155
RFQ
 ECAD 5312 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30K05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
FST10040 GeneSiC Semiconductor FST10040 65.6445
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 100a 650 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR6A05 GeneSiC Semiconductor FR6A05 8.1330
RFQ
 ECAD 8895 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6A05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
MBRH12080 GeneSiC Semiconductor MBRH12080 60.0375
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12080GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
S150K GeneSiC Semiconductor S150K 35.5695
RFQ
 ECAD 5944 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 S150 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S150KGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
MUR40020CTR GeneSiC Semiconductor MUR40020CTR 132.0780
RFQ
 ECAD 9873 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR40020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GBJ10K GeneSiC Semiconductor GBJ10K 0.7470
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ10 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ10K Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 A 10 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
GBJ10D GeneSiC Semiconductor GBJ10D 0.7470
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ10 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ10D Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 A 10 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
GBJ20J GeneSiC Semiconductor GBJ20J 0.9120
RFQ
 ECAD 9925 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ20 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ20J Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 10 A 5 µA @ 600 V 20 a 单相 600 v
GBJ20M GeneSiC Semiconductor gbj20m 0.9120
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ20 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ20M Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V 20 a 单相 1 kV
GBJ10B GeneSiC Semiconductor GBJ10B 0.7470
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ10 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ10B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 A 10 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
GBJ15G GeneSiC Semiconductor GBJ15G 0.7875
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ15 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ15G Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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