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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GE2X10MPS06D | - | ![]() | 8002 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-3 | GE2X10 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GE2X10MPS06D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 23A(直流) | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | 1N5826 | 12.4155 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N5826 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5826GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 440 毫伏 @ 15 安 | 10毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 15A | - | |||||
![]() | 默尔7060R | 49.5120 | ![]() | 第1183章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 默尔H7060 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@70A | 110纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | |||||
![]() | GD2X100MPS06N | 47.9100 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X100MPS06N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 650伏 | 108A(直流) | 1.8V@100A | 0纳秒 | 5μA@650V | -55℃~175℃ | |||
![]() | MBRH20040R | 70.0545 | ![]() | 第1575章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH20040 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH20040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | 200A | - | ||||||
![]() | MBR600200CT | 129.3585 | ![]() | 4575 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR600200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 300A | 920毫伏@300安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | 穆尔夫10020 | - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫10020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | 穆尔5060R | 17.9850 | ![]() | 6582 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 毛里求斯5060 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔5060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@50A | 90纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 50A | - | ||||
![]() | MBR40045CTRL | - | ![]() | 9905 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 200A | 600毫伏@200安 | 5毫安@45伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBR2X100A200 | 50.2485 | ![]() | 8518 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 200V | 100A | 920毫伏@100安 | 3毫安@200伏 | -40℃~150℃ | ||||||
![]() | 1N1186 | 6.2320 | ![]() | 7278 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1186 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1186GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||
S40BR | 7.6470 | ![]() | 3587 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S40B | 标准,反脊柱 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S40BRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~190℃ | 40A | - | ||||||
![]() | MBR40030CTR | 98.8155 | ![]() | 2747 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR40030 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR40030CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 200A | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||
![]() | MBRH12040 | 60.0375 | ![]() | 6397 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | D-67 | 肖特基 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1046 | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 650毫伏@120安 | 4毫安@20伏 | 120A | - | |||||||||
![]() | MBRF12040R | - | ![]() | 4493 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MSRT250160A | 54.2296 | ![]() | 5113 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT250160 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1600伏 | 250A(直流) | 1.2V@250A | 600V时为15μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | FR6JR05 | 5.1225 | ![]() | 4435 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6JR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 6A | - | |||||
![]() | 穆尔40020CTR | 132.0780 | ![]() | 9873 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯40020 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR40020CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 200A | 1.3V@125A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
![]() | MBRT120200R | 75.1110 | ![]() | 1846年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT120200 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | 穆尔7040 | 17.5905 | ![]() | 6716 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔7040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1.3V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | |||||
![]() | MBR50045CTR | - | ![]() | 3546 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基,反 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR50045CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | MUR40040CT | 132.0780 | ![]() | 7020 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯40040 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR40040CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400伏 | 200A | 1.3V@125A | 150纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
![]() | 1N1184R | 6.2320 | ![]() | 6662 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1184R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1095 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||
1N1186R | 7.4730 | ![]() | 8738 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1186R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||||
![]() | 1N5833 | 18.7230 | ![]() | 1738 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N5833 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5833GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 550毫伏@40安 | 20毫安@10伏 | -65℃~150℃ | 40A | - | |||||
![]() | FR30G02 | 13.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1034 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1V@30A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | |||||
![]() | 穆尔夫40060R | - | ![]() | 3976 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 200A | 1.7V@200A | 240纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBRTA80035L | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 400A | 600 毫伏 @ 400 安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔特10040R | 93.0525 | ![]() | 8422 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔特10040 | 标准,反脊柱 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT10040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400伏 | 50A | 1.35V@50A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
![]() | 1N3883R | 7.3900 | ![]() | 178 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3883R | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1020 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为15μA | -65℃~150℃ | 6A | - |
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