电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRF40080 | - | ![]() | 1423 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 200A | 840 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | GC20MPS12-220 | - | ![]() | 4057 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | GC20MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1336 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@20A | 0纳秒 | 18μA@1200V | -55℃~175℃ | 94A | 1298pF @ 1V、1MHz | ||||||
S16J | 4.5900 | ![]() | 9779 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@16A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 16A | - | |||||||||||
![]() | FST16020L | - | ![]() | 3601 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 80A | 600毫伏@80安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MSRTA20060D | 142.3575 | ![]() | 3617 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA200 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA20060D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 600伏 | 200A | 1.1V@200A | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRH30040RL | - | ![]() | 2343 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 600 毫伏 @ 300 安 | 5毫安@40伏 | -55℃~150℃ | 300A | - | |||||||||||
![]() | GBJ10D | 0.7470 | ![]() | 6881 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J10 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ10D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@5A | 10μA@200V | 10A | 单相 | 200V | ||||||||||
![]() | MBR12035 点击率 | 73.9100 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR12035 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBR3530R | 15.1785 | ![]() | 9348 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | MBR3530 | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR3530RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 680 毫伏 @ 35 安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 35A | - | ||||||||
![]() | S70M | 9.8985 | ![]() | 7685 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S70MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@70A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 70A | - | |||||||||
![]() | GC2X50MPS06-227 | 54.0960 | ![]() | 5230 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GC2X50 | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1348 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 650伏 | 104A(直流) | 1.8V@50A | 0纳秒 | 650V时为10μA | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | MSRT15060A | 38.5632 | ![]() | 5888 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 150A | 1.2V@150A | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | 穆尔夫40005R | - | ![]() | 6192 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 50V | 200A | 1V@200A | 150纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | KBU8G | 1.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | KBU8 | 标准 | 科布 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1V@8A | 400V时为10μA | 8A | 单相 | 400伏 | ||||||||||
![]() | FST7330M | - | ![]() | 9132 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 35A | 700 毫伏 @ 35 安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MUR2X100A12 | 48.6255 | ![]() | 1042 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X100 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2 独立 | 1200伏 | 100A | 2.35V@100A | 1200V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||||||
![]() | DB157G | 0.2325 | ![]() | 6626 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB157 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB157GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 1000V时为5μA | 1.5A | 单相 | 1kV | |||||||||
![]() | 1N1183A | 6.3770 | ![]() | 9911 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1183 | 标准 | DO-203AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1183AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@40A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 40A | - | ||||||||
![]() | FR16G05 | 8.1330 | ![]() | 2276 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16G05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1.1V@16A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||
![]() | MBRH15035L | - | ![]() | 2604 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 600毫伏@150安 | 3毫安@35伏 | 150A | - | ||||||||||||
![]() | FR12GR02 | 9.2235 | ![]() | 3268 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR12GR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 800毫伏@12安 | 200纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | GBJ20M | 0.9120 | ![]() | 8711 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J20 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ20M | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1V@10A | 1000V时为5μA | 20A | 单相 | 1kV | ||||||||||
![]() | 国标J10B | 0.7470 | ![]() | 8324 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J10 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ10B | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@5A | 10μA@100V | 10A | 单相 | 100V | ||||||||||
![]() | GBJ15D | 0.7875 | ![]() | 5196 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | GBJ15 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ15D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@7.5A | 10μA@200V | 15A | 单相 | 200V | ||||||||||
![]() | GBJ35M | 1.6410 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | GBJ35 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ35M | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1V@17.5A | 10μA@1000V | 35A | 单相 | 1kV | ||||||||||
![]() | GBJ25D | 0.9795 | ![]() | 4783 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J25 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ25D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@12.5A | 10μA@200V | 25A | 单相 | 200V | ||||||||||
![]() | MBRT20080R | 98.8155 | ![]() | 9198 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT20080 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT20080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 100A | 880 毫伏 @ 100 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | FR85B02 | 23.1210 | ![]() | 9625 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR85B02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.4V@85A | 200纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | ||||||||
![]() | 穆尔2505 | 10.1910 | ![]() | 4018 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔2505GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@25A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 25A | - | ||||||||
![]() | S25D | 5.2485 | ![]() | 8305 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25DGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - |
日平均询价量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库