死亡(2089)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）
MBRF40080	-	询价	1423	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	80V	200A	840 毫伏 @ 200 安		1毫安@80伏	-55℃～150℃
GC20MPS12-220	-	询价	4057	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	过时的		通孔	TO-220-2	GC20MPS12	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-1336	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.8V@20A	0纳秒	18μA@1200V	-55℃～175℃	94A	1298pF @ 1V、1MHz
S16J	4.5900	询价	9779	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	-	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	250	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		600伏		1.1V@16A		50V时为10μA	-65℃～175℃	16A	-
FST16020L	-	询价	3601	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-249AB		肖特基	TO-249AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	20V	80A	600毫伏@80安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MSRTA20060D	142.3575	询价	3617	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	模块	MSRTA200	标准	-	下载	符合ROHS3标准			1242-MSRTA20060D	EAR99	8541.10.0080	24	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对中央	600伏	200A	1.1V@200A		600V时为10μA	-55℃～150℃
MBRH30040RL	-	询价	2343	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D-67		肖特基	D-67	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		600 毫伏 @ 300 安		5毫安@40伏	-55℃～150℃	300A	-
GBJ10D	0.7470	询价	6881	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP，GBJ	国标J10	标准	GBJ	下载	符合ROHS3标准			1242-GBJ10D	EAR99	8541.10.0080	200					1.05V@5A		10μA@200V		10A		单相	200V
MBR12035 点击率	73.9100	询价	36	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR12035	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	5	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	35V	120A（直流）	650毫伏@120安		3毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR3530R	15.1785	询价	9348	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	MBR3530	肖特基，反	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR3530RGN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		680 毫伏 @ 35 安		1.5毫安@20伏	-55℃～150℃	35A	-
S70M	9.8985	询价	7685	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S70MGN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		1000伏		1.1V@70A		10μA@100V	-65℃～180℃	70A	-
GC2X50MPS06-227	54.0960	询价	5230	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GC2X50	SiC（碳化硅）肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-1348	EAR99	8541.10.0080	10	无恢复T>500mA(Io)	2 独立	650伏	104A（直流）	1.8V@50A	0纳秒	650V时为10μA	-55℃～175℃
MSRT15060A	38.5632	询价	5888	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRT150	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对共轴线	600伏	150A	1.2V@150A		600V时为10μA	-55℃～150℃
穆尔夫40005R	-	询价	6192	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	50V	200A	1V@200A	150纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
KBU8G	1.8200	询价	1	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP、KBU	KBU8	标准	科布	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	400					1V@8A		400V时为10μA		8A		单相	400伏
FST7330M	-	询价	9132	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D61-3M		肖特基	D61-3M	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	30V	35A	700 毫伏 @ 35 安		1毫安@30伏	-55℃～150℃
MUR2X100A12	48.6255	询价	1042	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	穆尔2X100	标准	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	52	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	2 独立	1200伏	100A	2.35V@100A		1200V时为25μA	-55℃～175℃
DB157G	0.2325	询价	6626	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-EDIP (0.321", 8.15mm)	DB157	标准	数据库	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		DB157GGN	EAR99	8541.10.0080	2,500人					1.1V@1.5A		1000V时为5μA		1.5A		单相	1kV
1N1183A	6.3770	询价	9911	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N1183	标准	DO-203AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N1183AGN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		50V		1.1V@40A		50V时为10μA	-65℃～200℃	40A	-
FR16G05	8.1330	询价	2276	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR16G05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		400伏		1.1V@16A	500纳秒	100V时为25μA	-65℃～150℃	16A	-
MBRH15035L	-	询价	2604	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D-67		肖特基	D-67	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		35V		600毫伏@150安		3毫安@35伏		150A	-
FR12GR02	9.2235	询价	3268	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR12GR02GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		400伏		800毫伏@12安	200纳秒	100V时为25μA	-65℃～150℃	12A	-
GBJ20M	0.9120	询价	8711	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP，GBJ	国标J20	标准	GBJ	下载	符合ROHS3标准			1242-GBJ20M	EAR99	8541.10.0080	200					1V@10A		1000V时为5μA		20A		单相	1kV
国标J10B	0.7470	询价	8324	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP，GBJ	国标J10	标准	GBJ	下载	符合ROHS3标准			1242-GBJ10B	EAR99	8541.10.0080	200					1.05V@5A		10μA@100V		10A		单相	100V
GBJ15D	0.7875	询价	5196	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP，GBJ	GBJ15	标准	GBJ	下载	符合ROHS3标准			1242-GBJ15D	EAR99	8541.10.0080	200					1.05V@7.5A		10μA@200V		15A		单相	200V
GBJ35M	1.6410	询价	5582	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP，GBJ	GBJ35	标准	GBJ	下载	符合ROHS3标准			1242-GBJ35M	EAR99	8541.10.0080	200					1.1V@17.5A		10μA@1000V		35A		单相	1kV
GBJ25D	0.9795	询价	4783	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP，GBJ	国标J25	标准	GBJ	下载	符合ROHS3标准			1242-GBJ25D	EAR99	8541.10.0080	200					1.05V@12.5A		10μA@200V		25A		单相	200V
MBRT20080R	98.8155	询价	9198	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT20080	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRT20080RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	80V	100A	880 毫伏 @ 100 安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
FR85B02	23.1210	询价	9625	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR85B02GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		100V		1.4V@85A	200纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	85A	-
穆尔2505	10.1910	询价	4018	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		穆尔2505GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		50V		1V@25A	75纳秒	50V时为10μA	-55℃～150℃	25A	-
S25D	5.2485	询价	8305	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	-	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S25DGN	EAR99	8541.10.0080	250	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		200V		1.1V@25A		50V时为10μA	-65℃～175℃	25A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

死亡(2089)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²