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（2089）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
KBPC5004T	2.5875	RFQ	1269	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC5004	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 25 A		5 µA @ 400 V		50 a		单相	400 v
kbpm3005g	-	RFQ	1007	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbpm3005ggn	Ear99	8541.10.0080	900					1.1 V @ 3 A		5 µA @ 50 V		3 a		单相	50 V
KBU1001	0.8205	RFQ	8284	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		kbu1001gn	Ear99	8541.10.0080	400					1.05 V @ 10 A		10 µA @ 100 V		10 a		单相	100 v
KBU1006	0.8205	RFQ	3191	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBU1006GN	Ear99	8541.10.0080	400					1.05 V @ 10 A		10 µA @ 600 V		10 a		单相	600 v
KBU1010	0.8205	RFQ	3018	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBU1010GN	Ear99	8541.10.0080	400					1.05 V @ 10 A		10 µA @ 1000 V		10 a		单相	1 kV
kbu6a	0.7035	RFQ	4982	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU6	标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		kbu6agn	Ear99	8541.10.0080	400					1 V @ 6 A		10 µA @ 50 V		6 a		单相	50 V
kbu8g	1.8200	RFQ	1	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU8	标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	400					1 V @ 8 A		10 µA @ 400 V		8 a		单相	400 v
M3P100A-140	-	RFQ	2821	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25					1.15 V @ 100 A		10 ma @ 1400 V		100 a		三期	1.4 kV
MBRH200100	70.0545	RFQ	7235	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	D-67		肖特基	D-67	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBRH200100GN	Ear99	8541.10.0080	36	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		840 mv @ 200 a		5 ma @ 20 V		200a	-
FR6A02	7.1300	RFQ	37	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR6A02GN	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.4 V @ 6 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	6a	-
GBL005	4.7100	RFQ	178	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，gbl		标准	GBL	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	500					1.1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a		单相	50 V
MSRTA400140A	60.2552	RFQ	9038	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRTA400140	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	1400 v	400A（DC）	1.2 V @ 400 A		25 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
GBJ10K	0.7470	RFQ	2810	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ10K	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 5 A		10 µA @ 800 V		10 a		单相	800 v
GBJ10D	0.7470	RFQ	6881	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ10D	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 5 A		10 µA @ 200 V		10 a		单相	200 v
GBJ20J	0.9120	RFQ	9925	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ20	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ20J	Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 10 A		5 µA @ 600 V		20 a		单相	600 v
gbj20m	0.9120	RFQ	8711	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ20	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ20M	Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 10 A		5 µA @ 1000 V		20 a		单相	1 kV
GBJ10B	0.7470	RFQ	8324	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ10B	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 5 A		10 µA @ 100 V		10 a		单相	100 v
GBJ15G	0.7875	RFQ	3854	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ15	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ15G	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 7.5 A		5 µA @ 400 V		15 a		单相	400 v
GBJ15D	0.7875	RFQ	5196	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ15	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ15D	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 7.5 A		10 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
MSRTA300100D	159.9075	RFQ	6624	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	模块	MSRTA300	标准	-	下载	rohs3符合条件			1242-MSRTA300100D	Ear99	8541.10.0080	24	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1000 v	300A	1.1 V @ 300 A		20 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C
GBJ35M	1.6410	RFQ	5582	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ35	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ35M	Ear99	8541.10.0080	200					1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
GBJ25D	0.9795	RFQ	4783	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ25	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ25D	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 200 V		25 a		单相	200 v
GBPC15005W	2.4180	RFQ	5222	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC15005	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBPC15005WGS	Ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		15 a		单相	50 V
GBPC1502W	2.4180	RFQ	9386	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1502	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBPC1502WGS	Ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
GBPC1508W	2.4180	RFQ	5626	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1508	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBPC1508WGS	Ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 800 V		15 a		单相	800 v
GBPC2501W	2.5335	RFQ	3752	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2501	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBPC2501WGS	Ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 100 V		25 a		单相	50 V
GBPC3510T	2.8695	RFQ	9425	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC	GBPC3510	标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
KBPC1506W	2.1795	RFQ	6538	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC1506	标准	KBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 600 V		15 a		单相	600 v
KBPC2508W	2.2995	RFQ	9991	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC2508	标准	KBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
KBPC2510T	2.2995	RFQ	3881	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC2510	标准	KBPC-T	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 1000 V		25 a		单相	1 kV

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2089）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²