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参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
S6G GeneSiC Semiconductor S6G 3.8625
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 ECAD 8196 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S6GGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 400伏 1.1V@6A 10μA@100V -65℃～175℃ 6A -
1N3891 GeneSiC Semiconductor 1N3891 9.3000
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 ECAD 196 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3891 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
MBRH24035 GeneSiC Semiconductor MBRH24035 76.4925
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 ECAD 第1573章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 35V 720毫伏@240安 1毫安@35伏 -55℃～150℃ 240A -
GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H 244.8500
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 ECAD 275 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2 - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-GC50MPS33H EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 3300伏 0纳秒 175℃ 50A -
MBRT20020R GeneSiC Semiconductor MBRT20020R 98.8155
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 ECAD 1324 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT20020 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT20020RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 20V 100A 750毫伏@100安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
1N3882 GeneSiC Semiconductor 1N3882 4.9020
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 ECAD 9735 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3882 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3882GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 300伏 1.4V@6A 200纳秒 50V时为15μA -65℃～150℃ 6A -
MURF40005 GeneSiC Semiconductor 穆尔夫40005 -
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 ECAD 6908 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 50V 200A 1V@200A 150纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBR60040CTR GeneSiC Semiconductor MBR60040CTR 132.0100
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 ECAD 12 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR60040 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1076 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 40V 300A 750毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBR7535 GeneSiC Semiconductor MBR7535 20.8845
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 ECAD 5565 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR7535 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR7535GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 35V 750毫伏@75安 1毫安@35伏 -55℃～150℃ 75A -
GBJ10K GeneSiC Semiconductor GBJ10K 0.7470
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 ECAD 2810 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP，GBJ 国标J10 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ10K EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@5A 800V时为10μA 10A 单相 800V
FR85BR02 GeneSiC Semiconductor FR85BR02 24.1260
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 ECAD 6816 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR85BR02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100V 1.4V@85A 200纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 85A -
MURT40010 GeneSiC Semiconductor MURT40010 132.0780
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 ECAD 5908 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MURT40010GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100V 200A 1.3V@200A 125纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
GKR26/14 GeneSiC Semiconductor GKR26/14 -
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 ECAD 7752 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 5 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1400伏 1.55V@60A 4毫安@1400伏 -40℃～180℃ 25A -
MURTA50020 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔50020 174.1546
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 ECAD 7173 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔塔50020GN EAR99 8541.10.0080 24 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 200V 250A 1.3V@250A 150纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBRTA80080R GeneSiC Semiconductor MBRTA80080R -
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 ECAD 5438 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 80V 400A 840 毫伏 @ 400 安 1毫安@80伏 -55℃～150℃
1N3881R GeneSiC Semiconductor 1N3881R 7.3900
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 ECAD 第592章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3881R 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1086 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 1.4V@6A 200纳秒 50V时为15μA -65℃～150℃ 6A -
MBRH200100R GeneSiC Semiconductor MBRH200100R 70.0545
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 ECAD 2702 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH200100 肖特基，反 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRH200100RGN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100V 840 毫伏 @ 200 安 5毫安@20伏 200A -
1N5826R GeneSiC Semiconductor 1N5826R 13.3005
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 ECAD 3538 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N5826R 肖特基，反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N5826RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 20V 440 毫伏 @ 15 安 10毫安@20伏 -65℃～150℃ 15A -
S85B GeneSiC Semiconductor S85B 11.8980
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 ECAD 2578 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S85BGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 100V 1.1V@85A 10μA@100V -65℃～180℃ 85A -
MBRT40030RL GeneSiC Semiconductor MBRT40030RL -
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 ECAD 5183 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 30V 200A 580毫伏@200安 3毫安@30伏 -55℃～150℃
FR20GR02 GeneSiC Semiconductor FR20GR02 12.2100
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 ECAD 78 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1V@20A 200纳秒 50V时为25μA -40℃～125℃ 20A -
1N4596 GeneSiC Semiconductor 1N4596 35.8125
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 ECAD 8658 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4596 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N4596GN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1400伏 1.5V@150A 3.5毫安@1400伏 -60℃～200℃ 150A -
MUR40040CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔40040CTR 132.0780
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 ECAD 第1374章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯40040 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR40040CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 400伏 200A 1.3V@125A 150纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
FR70MR05 GeneSiC Semiconductor FR70MR05 17.7855
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 ECAD 4079 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70MR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1000伏 1.4V@70A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H 18.0100
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 ECAD 5751 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-GD25MPS17H EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1700伏 1.8V@25A 0纳秒 1700V时为20μA -55℃～175℃ 56A 1083pF @ 1V、1MHz
MBRT50045 GeneSiC Semiconductor MBRT50045 -
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 ECAD 4725 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT50045GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 45V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
S40YR GeneSiC Semiconductor S40YR 8.4675
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 ECAD 5847 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 S40Y 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S40YRGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1600伏 1.1V@40A 10μA@100V -65℃～160℃ 40A -
FR85J02 GeneSiC Semiconductor FR85J02 23.1210
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 ECAD 5965 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR85J02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.4V@85A 250纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 85A -
MBRF12060 GeneSiC Semiconductor MBRF12060 -
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 ECAD 7220 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 60V 60A 750毫伏@60安 1毫安@60伏 -55℃～150℃
S16D GeneSiC Semiconductor S16D 4.5900
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 ECAD 1695 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S16DGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 200V 1.1V@16A 50V时为10μA -65℃～175℃ 16A -
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