电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRTA40020L | - | ![]() | 8335 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 200A | 580毫伏@200安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 1N1206AR | 4.2345 | ![]() | 6866 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1206AR | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1012 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | MBRF200200R | - | ![]() | 2843 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 100A | 920毫伏@100安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FR70JR05 | 17.7855 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR70JR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@70A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||||||||
![]() | MUR2X030A12 | - | ![]() | 5884 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1308 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 30A | 2.35V@30A | 85纳秒 | 1200V时为25μA | -65℃~175℃ | ||||||||
![]() | GD05MPS17H | 5.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | GD05MPS | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD05MPS17H | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1700V时为20μA | -55℃~175℃ | 15A | 361pF@1V、1MHz | ||||||
1N3673A | 4.2345 | ![]() | 9171 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3673 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1109 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | |||||||||
![]() | MBR50045CT | - | ![]() | 5053 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | MBRT40030R | 118.4160 | ![]() | 3425 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT40030 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT40030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 200A | 750 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | FR70K05 | 17.5905 | ![]() | 2246 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR70K05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.4V@70A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||||||||
![]() | GKR240/04 | 59.1425 | ![]() | 8443 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | GKR240 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.4V@60A | 60毫安@400伏 | -40℃~180℃ | 320A | - | |||||||||
![]() | 1N5832R | 19.7895 | ![]() | 9223 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N5832R | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5832RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 520 毫伏 @ 40 安 | 20毫安@10伏 | -65℃~150℃ | 40A | - | ||||||||
![]() | GBPC1506T | 2.4180 | ![]() | 5727 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC1506 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 5μA@600V | 15A | 单相 | 600伏 | ||||||||||
![]() | MBRTA80060R | - | ![]() | 3855 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 400A | 780 毫伏 @ 400 安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | GBPC15005W | 2.4180 | ![]() | 5222 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC15005 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBPC15005WGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 5μA@50V | 15A | 单相 | 50V | |||||||||
![]() | GBPC3510W | 4.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC3510 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1296 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@17.5A | 1000V时为5μA | 35A | 单相 | 1kV | |||||||||
![]() | 2W06M | - | ![]() | 第1481章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-循环,口碑 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | 1(无限制) | 2W06MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1V@2A | 600V时为10μA | 2A | 单相 | 600伏 | |||||||||||
![]() | 1N3671A | 4.2345 | ![]() | 7778 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3671 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3671AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | GBL10 | 0.4230 | ![]() | 8390 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBL | 标准 | GBL | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBL10GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 1000V时为5μA | 4A | 单相 | 1kV | ||||||||||
![]() | KBU6K | 0.7035 | ![]() | 9832 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | KBU6 | 标准 | 科布 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBU6KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1V@6A | 800V时为10μA | 6A | 单相 | 800V | |||||||||
![]() | BR104 | 0.9555 | ![]() | 5843 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,BR-10 | 标准 | BR-10 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | BR104GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1V@5A | 400V时为10μA | 10A | 单相 | 400伏 | ||||||||||
![]() | BR106 | 0.9555 | ![]() | 2611 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,BR-10 | 标准 | BR-10 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | BR106GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1V@5A | 600V时为10μA | 10A | 单相 | 600伏 | ||||||||||
![]() | DB151G | 0.2325 | ![]() | 第1447章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB151 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB151GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 5μA@50V | 1.5A | 单相 | 50V | |||||||||
![]() | MBR20030CTR | 90.1380 | ![]() | 2533 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20030 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1023 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔塔500120 | 174.1546 | ![]() | 第1351章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 250A | 2.6V@250A | 1200V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | GBU6B | 1.5300 | ![]() | 第382章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU6 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 100V时为5μA | 6A | 单相 | 100V | ||||||||||
![]() | GB10SLT12-252 | - | ![]() | 5900 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | GB10SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 2V@10A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 10A | 520pF@1V、1MHz | ||||||||
![]() | GBU8A | 0.5685 | ![]() | 4167 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU8 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU8AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@8A | 5μA@50V | 8A | 单相 | 50V | |||||||||
![]() | MBRH12035R | 60.0375 | ![]() | 2167 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH12035 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH12035RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 650毫伏@120安 | 4毫安@20伏 | 120A | - | |||||||||
![]() | MBRT12020R | 75.1110 | ![]() | 9313 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT12020 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT12020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 60A | 750毫伏@60安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ |
日平均询价量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库