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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 当前 - 最大 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电阻@If,F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S320JR | 62.2080 | ![]() | 6119 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S320 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S320JRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@300A | 600V时为10μA | -60℃~180℃ | 320A | - | ||||||||||
![]() | KBU8D | 0.7425 | ![]() | 6103 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | KBU8 | 标准 | 科布 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBU8DGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1V@8A | 10μA@200V | 8A | 单相 | 200V | |||||||||||
![]() | MBRT50045R | - | ![]() | 8302 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50045RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MSRT10080AD | 54.0272 | ![]() | 4048 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 微软RT100 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 100A | 1.1V@100A | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FST10020 | 65.6445 | ![]() | 9552 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST10020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 100A | 650毫伏@100安 | 2毫安@20伏 | ||||||||||||
![]() | MBRTA800100 | - | ![]() | 9826 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 400A | 840 毫伏 @ 400 安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | MUR2X100A10 | 48.6255 | ![]() | 5406 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X100 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2 独立 | 1000伏 | 100A | 2.35V@100A | 1000V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||||||||
1N8035-GA | - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-276AA | 1N8035 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-276 | - | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@15A | 0纳秒 | 5μA@650V | -55℃~250℃ | 14.6A | 1107pF @ 1V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBRF600150 | - | ![]() | 5956 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 300A | 880毫伏@300安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | MBR20030CT | 90.1380 | ![]() | 2000年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20030 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1008 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 1N3289A | 33.5805 | ![]() | 1299 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3289 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3289AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.5V@100A | 24毫安@200伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | ||||||||||
![]() | MBRT30040R | 111.0800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT30040 | 肖特基,反 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1074 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 150A | 750毫伏@150安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | MBRTA50030R | - | ![]() | 3671 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 250A | 700毫伏@250安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | MBR40035CT | 98.8155 | ![]() | 9670 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR40035 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1058 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 200A | 700毫伏@200安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | MUR2X100A04 | 52.2000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X100 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1313 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 400V | 100A | 1.3V@100A | 90纳秒 | 400V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||||||
![]() | MBR2X050A100 | 43.6545 | ![]() | 2660 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 100V | 50A | 840 毫伏 @ 50 安 | 1毫安@100伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||
![]() | S85K | 11.8980 | ![]() | 9079 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S85KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 85A | - | |||||||||||
![]() | MUR10005CT | - | ![]() | 5416 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR10005CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 50V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 1N1202AR | 4.3635 | ![]() | 1430 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1202AR | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1202ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | ||||||||||
![]() | FST6320M | - | ![]() | 1756 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 30A | 700 毫伏 @ 30 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | MBR12040CT | 68.8455 | ![]() | 6776 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR12040 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1024 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | FST16060 | 75.1110 | ![]() | 7797 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST16060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 160A(直流) | 800毫伏@160安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 穆尔夫40020R | - | ![]() | 3160 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 200A | 1V@200A | 150纳秒 | 25μA@200V | -55℃~150℃ | ||||||||||||
![]() | MBRT40040RL | - | ![]() | 第1556章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 200A | 600毫伏@200安 | 3毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | GC08MPS12-252 | 3.1200 | ![]() | 6092 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | GC08MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 1200V时为7μA | -55℃~175℃ | 40A | 545pF@1V、1MHz | |||||||||
![]() | FST16035L | - | ![]() | 7782 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 80A | 600毫伏@80安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | MBRT50030 | - | ![]() | 4648 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBR6035 | 20.2695 | ![]() | 7206 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR6035GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 650 毫伏 @ 60 安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | |||||||||||
![]() | FR70JR02 | 17.7855 | ![]() | 6539 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR70JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@70A | 250纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||||||||||
![]() | GA01PNS80-220 | 349.8000 | ![]() | 6920 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 结合 | GA01PNS80 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1259 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 2A | 4pF@1000V,1MHz | PIN-单个 | 8000V | - |
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