SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A180 46.9860
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 180 v 60a 920 mv @ 60 a 3 ma @ 180 V -40°C〜150°C
S380YR GeneSiC Semiconductor S380yr 67.0005
RFQ
 ECAD 6288 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S380 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S380元 Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.2 V @ 380 A 10 µA @ 1600 V -60°C〜180°C 380a -
S16BR GeneSiC Semiconductor s16br 4.5900
RFQ
 ECAD 6701 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S16B 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S16brgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBRF200100R GeneSiC Semiconductor MBRF200100R -
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MURF20020R GeneSiC Semiconductor Murf20020r -
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Murf20020RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT40020RL GeneSiC Semiconductor MBRT40020RL -
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR2X100A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A150 50.2485
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
GB20SLT12-247D GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247D -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247 - （1 （无限） 1242-1316 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 1200 v 25a 1.8 V @ 10 A 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBR20030CT GeneSiC Semiconductor MBR20030CT 90.1380
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1008 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FST10030 GeneSiC Semiconductor FST10030 65.6445
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 100a 650 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V
MBR8060 GeneSiC Semiconductor MBR8060 21.1680
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 750 MV @ 80 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 80a -
FR6AR02 GeneSiC Semiconductor FR6AR02 5.1225
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6AR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBRTA800150 GeneSiC Semiconductor MBRTA800150 -
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 400a 880 mv @ 400 A 5 ma @ 150 V -55°C〜150°C
FST10060 GeneSiC Semiconductor FST10060 65.6445
RFQ
 ECAD 4181 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 100a 750 mv @ 100 a 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1N6098R 21.5010
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N6098R 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N6098RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 700 MV @ 50 A 5 ma @ 30 V -65°C〜150°C 50a -
FR40G02 GeneSiC Semiconductor FR40G02 16.1200
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1063 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MURH10010 GeneSiC Semiconductor Murh10010 49.5120
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murh10010gn Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MSRTA600140A GeneSiC Semiconductor MSRTA600140A 109.2000
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA600140 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1400 v 600A（DC） 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT600150 GeneSiC Semiconductor MBRT600150 140.2020
RFQ
 ECAD 7951 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
FR20AR02 GeneSiC Semiconductor FR20AR02 9.3555
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR20AR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
1N3210 GeneSiC Semiconductor 1N3210 9.6500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3210 标准 DO-203AB（DO-5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBR12040CT GeneSiC Semiconductor MBR12040CT 68.8455
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1024 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 120A（DC） 650 MV @ 120 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR40B02 GeneSiC Semiconductor FR40B02 12.8985
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40B02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MBRF300150 GeneSiC Semiconductor MBRF300150 -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3001 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 150a 880 mv @ 150 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBRTA60030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60030RL -
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBR40045CT GeneSiC Semiconductor MBR40045CT 98.8155
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40045CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FST16040 GeneSiC Semiconductor FST16040 75.1110
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST16040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 160a（DC） 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
RFQ
 ECAD 652 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3892 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1035 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
FR85D02 GeneSiC Semiconductor FR85D02 23.1210
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 85 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FR12D05 GeneSiC Semiconductor FR12D05 6.7605
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12D05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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