死亡(2089)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr、F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）
1N3297A	33.8130	询价	7080	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AA、DO-8、螺柱	1N3297	标准	DO-205AA (DO-8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N3297AGN	EAR99	8541.10.0080	10	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		1400伏		1.5V@100A		7毫安@1400伏	-40℃～200℃	100A	-
MBR30080CTR	94.5030	询价	7792	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR30080	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR30080CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	80V	150A	840毫伏@150安		8毫安@20伏	-55℃～150℃
穆尔塔600120	207.4171	询价	4406	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	24	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对共轴线	1200伏	300A	2.6V@300A		1200V时为25μA	-55℃～150℃
GBPC15010T	1.8979	询价	8514	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	质检终端	4方，GBPC-T	GBPC15010	标准	GBPC-T	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	200					1.1V@7.5A		1000V时为5μA		15A		单相	1kV
GB25MPS17-247	-	询价	第1657章	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	过时的		通孔	TO-247-2	GB25MPS17	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-1344	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		1700伏		1.8V@25A	0纳秒	1700V时为10μA	-55℃～175℃	52A	2350pF @ 1V、1MHz
GB05SLT12-252	-	询价	9808	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	GB05SLT12	SiC（碳化硅）肖特基	TO-252	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	2,500人	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.8V@2A	0纳秒	1200V时为50μA	-55℃～175℃	5A	260pF@1V、1MHz
S85QR	11.8980	询价	4824	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	S85Q	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1096	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		1200伏		1.1V@85A		10μA@100V	-65℃～180℃	85A	-
GD05MPS17H	5.6100	询价	2	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	的积极		通孔	TO-247-2	GD05MPS	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-GD05MPS17H	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		1700伏		1.8V@5A	0纳秒	1700V时为20μA	-55℃～175℃	15A	361pF@1V、1MHz
FR6M05	5.0745	询价	8511	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR6M05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		1000伏		1.4V@6A	500纳秒	50V时为25μA	-65℃～150℃	6A	-
KBPC3510T	2.4750	询价	6256	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	质检终端	4方，KBPC-T	KBPC3510	标准	KBPC-T	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50					1.1V@17.5A		1000V时为5μA		35A		单相	1kV
KBPC5001T	2.5875	询价	4734	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	质检终端	4方，KBPC-T	KBPC5001	标准	KBPC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50					1.1V@25A		100V时为5μA		50A		单相	100V
1N6096	14.0145	询价	4464	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	1N6096	肖特基	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N6096GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		580毫伏@25安		2毫安@20伏	-55℃～150℃	25A	-
MBRF60035R	-	询价	1144	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	35V	300A（直流）	650毫伏@300安		10毫安@20伏	-40℃～175℃
MSRTA500100A	101.4000	询价	6615	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRTA500100	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对共轴线	1000伏	500A（直流）	1.2V@500A		600V时为25μA	-55℃～150℃
MBR60035CT	129.3585	询价	4784	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR60035	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR60035CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	35V	300A	750毫伏@300安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
穆尔特10005	-	询价	8545	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MURT10005GN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	50V	50A	1.3V@50A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
MSRT200160AD	80.4872	询价	2549	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRT200	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对中央	1600伏	200A	1.1V@200A		10μA@1600V	-55℃～150℃
穆尔夫30010R	-	询价	3095	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对共阳极	100V	150A	1V@150A		100V时为25μA	-55℃～150℃
MBRT30060R	107.3070	询价	第1357章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT30060	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRT30060RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	60V	150A	800毫伏@150安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
S320JR	62.2080	询价	6119	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AB、DO-9、螺柱	S320	标准，反脊柱	DO-205AB (DO-9)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S320JRGN	EAR99	8541.10.0080	8	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		600伏		1.2V@300A		600V时为10μA	-60℃～180℃	320A	-
KBU8D	0.7425	询价	6103	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP、KBU	KBU8	标准	科布	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		KBU8DGN	EAR99	8541.10.0080	400					1V@8A		10μA@200V		8A		单相	200V
MBRT50045R	-	询价	8302	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRT50045RGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	45V	250A	750毫伏@250安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MSRT10080AD	54.0272	询价	4048	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	微软RT100	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对中央	800V	100A	1.1V@100A		800V时为10μA	-55℃～150℃
FST10020	65.6445	询价	9552	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	TO-249AB		肖特基	TO-249AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FST10020GN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	20V	100A	650毫伏@100安		2毫安@20伏
MBRTA800100	-	询价	9826	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100V	400A	840 毫伏 @ 400 安		1毫安@100伏	-55℃～150℃
MUR2X100A10	48.6255	询价	5406	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	穆尔2X100	标准	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	52	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	2 独立	1000伏	100A	2.35V@100A		1000V时为25μA	-55℃～175℃
1N8035-GA	-	询价	8792	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的		表面贴装	TO-276AA	1N8035	SiC（碳化硅）肖特基	TO-276	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	10	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.5V@15A	0纳秒	5μA@650V	-55℃～250℃	14.6A	1107pF @ 1V、1MHz
MBRF600150	-	询价	5956	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	150伏	300A	880毫伏@300安		1毫安@150伏	-55℃～150℃
MBR20030CT	90.1380	询价	2000年	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR20030	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1008	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	30V	200A（直流）	650毫伏@100安		5毫安@20伏	-55℃～150℃
1N3289A	33.5805	询价	1299	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AA、DO-8、螺柱	1N3289	标准	DO-205AA (DO-8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N3289AGN	EAR99	8541.10.0080	10	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		200V		1.5V@100A		24毫安@200伏	-40℃～200℃	100A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

死亡(2089)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²