SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MUR2X060A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A02 47.1200
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X060 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1309 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 200 v 60a 1 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
MBR2X100A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A180 55.4800
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1303 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 180 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 180 V -40°C〜150°C
S70MR GeneSiC Semiconductor S70MR 9.8985
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70m 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70MRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
MBR2X080A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A150 48.6255
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 150 v 80a 880 mv @ 80 a 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
MBRH12040R GeneSiC Semiconductor MBRH12040R 65.2300
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67半粉 MBRH12040 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1067 Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 700 MV @ 120 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C 120a -
MBRF12020R GeneSiC Semiconductor MBRF12020R -
RFQ
 ECAD 6666 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 60a 700 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor MBR12060CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12060 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1083 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 120A（DC） 750 mv @ 60 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247 5.3730
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GC2X5 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1324 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 27A（DC） 1.8 V @ 5 A 0 ns 4 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBRF20045 GeneSiC Semiconductor MBRF20045 -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR2X120A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A080 51.8535
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X120 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 80 V 120a 840 mv @ 120 A 1 mA @ 80 V -40°C〜150°C
MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300160AD 159.9078
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA300 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 300A 1.2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRH15040RL GeneSiC Semiconductor MBRH15040RL -
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基，反极性 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 600 MV @ 150 A 5 ma @ 40 V 150a -
MBRH240200 GeneSiC Semiconductor MBRH240200 76.4925
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 240 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C 240a -
GKN130/18 GeneSiC Semiconductor GKN130/18 35.5490
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKN130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1800 V -55°C〜150°C 165a -
1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-257-3 1N8032 SIC （碳化硅） TO-257 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.3 V @ 2.5 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C〜250°C 2.5a 274pf @ 1V，1MHz
MUR40060CTR GeneSiC Semiconductor MUR40060CTR 132.0780
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR40060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 200a 1.3 V @ 125 A 180 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N5830 GeneSiC Semiconductor 1N5830 14.0145
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N5830 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5830GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 25 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor MSRTA500100A 101.4000
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500100 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1000 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT40040L GeneSiC Semiconductor MBRT40040L -
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 40 V -55°C〜150°C
GKN130/08 GeneSiC Semiconductor GKN130/08 35.0777
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKN130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 800 V -40°C〜180°C 165a -
S85QR GeneSiC Semiconductor S85QR 11.8980
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S85Q 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1096 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
S300J GeneSiC Semiconductor S300J 63.8625
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S300 标准 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S300JGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 100 V -60°C 〜200°C 300A -
MBRF50045 GeneSiC Semiconductor MBRF50045 -
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MURF40020R GeneSiC Semiconductor Murf40020r -
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 200a 1 V @ 200 A 150 ns 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MBR30040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTRL -
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 150a 600 MV @ 150 A 3 ma @ 40 V -55°C〜150°C
MBRTA50035 GeneSiC Semiconductor MBRTA50035 -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 250a 700 MV @ 250 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16JR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 200a（DC） 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
GKR130/14 GeneSiC Semiconductor GKR130/14 35.4765
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1400 V -40°C〜180°C 165a -
GBPC50005T GeneSiC Semiconductor GBPC50005T 4.0155
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC50005 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a 单相 50 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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