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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
MBR30040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTRL -
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ECAD 1110 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 150A 600毫伏@150安 3毫安@40伏 -55℃~150℃
S16G GeneSiC Semiconductor S16G 4.5900
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ECAD 1490 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S16GGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.1V@16A 50V时为10μA -65℃~175℃ 16A -
MURTA60040R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔60040R 188.1435
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ECAD 1280 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔60040 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔塔60040RGN EAR99 8541.10.0080 24 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400V 300A 1.5V@300A 220纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBR80100 GeneSiC Semiconductor MBR80100 21.1680
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ECAD 9276 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR80100GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 840毫伏@80安 1毫安@100伏 -55℃~150℃ 80A -
FR20AR02 GeneSiC Semiconductor FR20AR02 9.3555
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ECAD 8191 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR20AR02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1V@20A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 20A -
MBR30080CT GeneSiC Semiconductor MBR30080CT 94.5030
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ECAD 4027 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30080 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR30080CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 150A 840毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃~150℃
DB152G GeneSiC Semiconductor DB152G 0.2325
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ECAD 4573 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-EDIP (0.321", 8.15mm) DB152 标准 数据库 下载 符合RoHS标准 1(无限制) DB152GGN EAR99 8541.10.0080 2,500人 1.1V@1.5A 100V时为5μA 1.5A 单相 100V
GKR130/14 GeneSiC Semiconductor GKR130/14 35.4765
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ECAD 6687 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 GKR130 标准 DO-205AA (DO-8) - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1400伏 1.5V@60A 22毫安@1400伏 -40℃~180℃ 165A -
MBRF12080R GeneSiC Semiconductor MBRF12080R -
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ECAD 3275 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 60A 840 毫伏 @ 60 安 1毫安@80伏 -55℃~150℃
MURH7010 GeneSiC Semiconductor 默尔H7010 49.5120
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ECAD 2594 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 标准 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 1V@70A 75纳秒 100V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔300120 159.9075
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ECAD 2294 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 600伏 150A 2.6V@150A 600V时为25μA -55℃~150℃
S85GR GeneSiC Semiconductor S85GR 11.8980
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ECAD 7575 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 S85G 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S85GRGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.1V@85A 10μA@100V -65℃~180℃ 85A -
S25K GeneSiC Semiconductor S25K 5.2485
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ECAD 4962 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S25KGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.1V@25A 50V时为10μA -65℃~175℃ 25A -
MBRTA800150 GeneSiC Semiconductor MBRTA800150 -
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ECAD 3664 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 400A 880毫伏@400安 5毫安@150伏 -55℃~150℃
DB155G GeneSiC Semiconductor DB155G 0.2325
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ECAD 6311 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-EDIP (0.321", 8.15mm) DB155 标准 数据库 下载 符合RoHS标准 1(无限制) DB155GGN EAR99 8541.10.0080 2,500人 1.1V@1.5A 5μA@600V 1.5A 单相 600伏
MUR20010CT GeneSiC Semiconductor 穆尔20010CT 101.6625
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ECAD 4937 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯20010 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1000 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
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ECAD 1041 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR200150 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 100A 880 毫伏 @ 100 安 3毫安@150伏 -55℃~150℃
MBRT20040 GeneSiC Semiconductor MBRT20040 102.9600
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ECAD 12 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1018 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 100A 750毫伏@100安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MSRT150120D GeneSiC Semiconductor MSRT150120D 98.8155
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ECAD 5031 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRT150120D EAR99 8541.10.0080 40 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 1200伏 150A 1.1V@150A 10μA@1200V -55℃~150℃
GBJ25K GeneSiC Semiconductor GBJ25K 0.9795
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ECAD 5563 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBJ 国标J25 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ25K EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@12.5A 800V时为10μA 25A 单相 800V
MBR30030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30030CTRL -
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ECAD 5353 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 30V 150A 580毫伏@150安 3毫安@30伏 -55℃~150℃
1N4590R GeneSiC Semiconductor 1N4590R 35.5695
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ECAD 9089 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4590R 标准,反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N4590RGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.5V@150A 9毫安@400伏 -60℃~200℃ 150A -
MURT40040R GeneSiC Semiconductor 穆尔特40040R 134.5800
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ECAD 10 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MURT40040 标准,反脊柱 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1098 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400V 200A 1.35V@200A 180纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBR300150CTR GeneSiC Semiconductor MBR300150CTR 94.5030
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ECAD 第1189章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR300150 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 150伏 150A 880毫伏@150安 3毫安@150伏 -40℃~150℃
MURF10005R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫10005R -
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ECAD 9420 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) 穆尔夫10005RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 50V 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
1N3291A GeneSiC Semiconductor 1N3291A 33.5805
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ECAD 8851 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3291 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3291AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.5V@100A 24毫安@400伏 -40℃~200℃ 100A -
MBRF600100 GeneSiC Semiconductor MBRF600100 -
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ECAD 2584 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 250A 840毫伏@250安 1毫安@100伏 -55℃~150℃
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
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ECAD 64 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR30J02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1V@30A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 30A -
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor MBRT60030R 140.2020
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ECAD 7277 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT60030 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT60030RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 30V 300A 750毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRT600150 GeneSiC Semiconductor MBRT600150 140.2020
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ECAD 7951 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 300A 880毫伏@300安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
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    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库