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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR30040CTRL | - | ![]() | 1110 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 150A | 600毫伏@150安 | 3毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | S16G | 4.5900 | ![]() | 1490 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S16GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@16A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 16A | - | ||||||||
![]() | 穆尔塔60040R | 188.1435 | ![]() | 1280 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔60040 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔60040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 300A | 1.5V@300A | 220纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | MBR80100 | 21.1680 | ![]() | 9276 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR80100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 840毫伏@80安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | ||||||||
![]() | FR20AR02 | 9.3555 | ![]() | 8191 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20AR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@20A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | |||||||
![]() | MBR30080CT | 94.5030 | ![]() | 4027 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR30080 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR30080CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 150A | 840毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | DB152G | 0.2325 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB152 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB152GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 100V时为5μA | 1.5A | 单相 | 100V | ||||||||
![]() | GKR130/14 | 35.4765 | ![]() | 6687 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | GKR130 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@60A | 22毫安@1400伏 | -40℃~180℃ | 165A | - | ||||||||
![]() | MBRF12080R | - | ![]() | 3275 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 默尔H7010 | 49.5120 | ![]() | 2594 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@70A | 75纳秒 | 100V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | ||||||||
![]() | 穆尔塔300120 | 159.9075 | ![]() | 2294 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 150A | 2.6V@150A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | S85GR | 11.8980 | ![]() | 7575 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S85G | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S85GRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 85A | - | |||||||
![]() | S25K | 5.2485 | ![]() | 4962 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | ||||||||
![]() | MBRTA800150 | - | ![]() | 3664 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 400A | 880毫伏@400安 | 5毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | DB155G | 0.2325 | ![]() | 6311 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB155 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB155GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 5μA@600V | 1.5A | 单相 | 600伏 | ||||||||
![]() | 穆尔20010CT | 101.6625 | ![]() | 4937 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯20010 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1000 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | MBR200150CT | 90.1380 | ![]() | 1041 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR200150 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 100A | 880 毫伏 @ 100 安 | 3毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBRT20040 | 102.9600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1018 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MSRT150120D | 98.8155 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRT150120D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1200伏 | 150A | 1.1V@150A | 10μA@1200V | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | GBJ25K | 0.9795 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J25 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ25K | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@12.5A | 800V时为10μA | 25A | 单相 | 800V | |||||||||
![]() | MBR30030CTRL | - | ![]() | 5353 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 1N4590R | 35.5695 | ![]() | 9089 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4590R | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4590RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.5V@150A | 9毫安@400伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | |||||||
![]() | 穆尔特40040R | 134.5800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MURT40040 | 标准,反脊柱 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1098 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 200A | 1.35V@200A | 180纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | MBR300150CTR | 94.5030 | ![]() | 第1189章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR300150 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 150伏 | 150A | 880毫伏@150安 | 3毫安@150伏 | -40℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔夫10005R | - | ![]() | 9420 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫10005RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 50V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 1N3291A | 33.5805 | ![]() | 8851 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3291 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3291AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.5V@100A | 24毫安@400伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | |||||||
![]() | MBRF600100 | - | ![]() | 2584 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 250A | 840毫伏@250安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | FR30J02 | 13.4000 | ![]() | 64 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30J02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@30A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | |||||||
![]() | MBRT60030R | 140.2020 | ![]() | 7277 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT60030 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT60030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 300A | 750毫伏@300安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBRT600150 | 140.2020 | ![]() | 7951 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 300A | 880毫伏@300安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ |
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