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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X100A10 48.6255
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X100 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 1000 v 100a 2.35 V @ 100 A 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
MBRF20080R GeneSiC Semiconductor MBRF20080R -
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 100a 840 mv @ 100 a 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
MURT20040R GeneSiC Semiconductor murt20040r 104.4930
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt20040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt20040RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 100a 1.35 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GBPC5001W GeneSiC Semiconductor GBPC5001W 4.0155
RFQ
 ECAD 7784 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC5001 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
MBR400100CT GeneSiC Semiconductor MBR400100CT 102.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400100 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1022 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT40040RL GeneSiC Semiconductor MBRT40040RL -
RFQ
 ECAD 1556年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 40 V -55°C〜150°C
FR70G05 GeneSiC Semiconductor FR70G05 17.5905
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70G05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
1N3765R GeneSiC Semiconductor 1N3765R 6.2320
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3765R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3765RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 700 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
GBL08 GeneSiC Semiconductor GBL08 0.4230
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl 标准 GBL - Rohs符合条件 （1 （无限） GBL08GN Ear99 8541.10.0080 500 1 V @ 2 A 10 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N 40.4900
RFQ
 ECAD 585 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GD2X SIC （碳化硅） SOT-227 下载 （1 （无限） 1242-GD2X60MPS06N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 650 v 70A（DC） 1.8 V @ 60 A 0 ns 10 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
S25JR GeneSiC Semiconductor S25JR 5.2485
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25J 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25JRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
FST6320M GeneSiC Semiconductor FST6320M -
RFQ
 ECAD 1756年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 30a 700 mv @ 30 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S400YR GeneSiC Semiconductor S400yr 92.3505
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S400 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s400yrgn Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.2 V @ 400 A 10 µA @ 50 V -60°C 〜200°C 400a -
MBR400200CT GeneSiC Semiconductor MBR400200CT 98.8155
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 200a 920 MV @ 200 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
1N1200A GeneSiC Semiconductor 1N1200A 6.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1200 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1065 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBR7560R GeneSiC Semiconductor MBR7560R 21.9195
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR7560 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR7560RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 750 MV @ 75 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C 75a -
MURTA50040R GeneSiC Semiconductor Murta50040r 174.1546
RFQ
 ECAD 8889 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta50040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta50040RGN Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 250a 1.5 V @ 250 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GKR13012 GeneSiC Semiconductor GKR13012 37.6023
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 165a -
MBR60035CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60035CTRL -
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 300A 600 MV @ 300 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBRF50040 GeneSiC Semiconductor MBRF50040 -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
150K100A GeneSiC Semiconductor 150K100A 35.5695
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 150K100 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 150K100AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.33 V @ 150 A 24 mA @ 1000 V -40°C 200°C 150a -
GBPC5008W GeneSiC Semiconductor GBPC5008W 4.0155
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC5008 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 800 V 50 a 单相 800 v
MBRTA50030R GeneSiC Semiconductor MBRTA50030R -
RFQ
 ECAD 3671 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
GBPC1510W GeneSiC Semiconductor GBPC1510W 2.4180
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC1510 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC1510WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
GBPC1504W GeneSiC Semiconductor GBPC1504W 2.4180
RFQ
 ECAD 1714年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC1504 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC1504WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10005ctgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
KBP204G GeneSiC Semiconductor KBP204G 0.2280
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBP KBP204 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBP204GGS Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 400 V 2 a 单相 400 v
MBRH240200R GeneSiC Semiconductor MBRH240200R 76.4925
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH240200 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 240 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C 240a -
S150QR GeneSiC Semiconductor S150QR 35.5695
RFQ
 ECAD 1469 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 S150 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
MBR30030CTR GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 6989 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30030CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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