SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
MBRF20035R GeneSiC Semiconductor MBRF20035R -
RFQ
ECAD 1595年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 35 v 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MUR5040 GeneSiC Semiconductor MUR5040 17.4870
RFQ
ECAD 9660 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR5040GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1 V @ 50 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
UFT10010 GeneSiC Semiconductor UFT10010 -
RFQ
ECAD 3578 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 标准 TO-249AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 50a 1 V @ 50 A 60 ns 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C
MSRTA30060D GeneSiC Semiconductor MSRTA30060D 159.9075
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA300 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA30060D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 600 v 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRF200150 GeneSiC Semiconductor MBRF200150 -
RFQ
ECAD 8690 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
S380ZR GeneSiC Semiconductor S380ZR 86.5785
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 S380 标准,反极性 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S380ZRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2000 v 1.2 V @ 380 A 10 µA @ 1600 V -60°C〜180°C 380a -
MSRTA20080AD GeneSiC Semiconductor MSRTA20080AD 85.9072
RFQ
ECAD 6580 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 800 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
FR20JR02 GeneSiC Semiconductor FR20JR02 9.3555
RFQ
ECAD 9256 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR20JR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1 V @ 20 A 250 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
M3P75A-80 GeneSiC Semiconductor M3P75A-80 -
RFQ
ECAD 1180 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 5-SMD模块 标准 5-SMD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 10 µA @ 800 V 75 a 三期 800 v
FR30M05 GeneSiC Semiconductor FR30M05 10.3155
RFQ
ECAD 3813 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR30M05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
FST12045 GeneSiC Semiconductor FST12045 70.4280
RFQ
ECAD 7630 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FST12045GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 120A(DC) 650 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR50045CT GeneSiC Semiconductor MBR50045CT -
RFQ
ECAD 5053 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N 46.3900
RFQ
ECAD 135 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GD2X SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD2X50MPS12N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 1200 v 76A(DC) 1.8 V @ 50 A 0 ns 15 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
FST8380M GeneSiC Semiconductor FST8380M -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 (1 (无限) FST8380MGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 80A(DC) 840 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
UFT7360M GeneSiC Semiconductor UFT7360M -
RFQ
ECAD 3893 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 标准 D61-3M - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 70a 1.7 V @ 35 A 90 ns 20 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MURT10040 GeneSiC Semiconductor Murt10040 93.0525
RFQ
ECAD 3771 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murt10040gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 50a 1.35 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor MUR20005CTR -
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR20005CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT120100 GeneSiC Semiconductor MBRT120100 75.1110
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT120100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S40B GeneSiC Semiconductor S40B 10.3200
RFQ
ECAD 88 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
MBRT40060 GeneSiC Semiconductor MBRT40060 118.4160
RFQ
ECAD 3228 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT40060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 200a 800 mv @ 200 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GKN26/14 GeneSiC Semiconductor GKN26/14 -
RFQ
ECAD 2241 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.55 V @ 60 A 4 mA @ 1400 V -40°C〜180°C 25a -
S6MR GeneSiC Semiconductor S6MR 3.8625
RFQ
ECAD 4228 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 S6M 标准,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S6MRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
MURH7010 GeneSiC Semiconductor Murh7010 49.5120
RFQ
ECAD 2594 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C 70a -
MBRF20030 GeneSiC Semiconductor MBRF20030 -
RFQ
ECAD 3637 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 100a 700 mv @ 100 a 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
S85BR GeneSiC Semiconductor S85BR 15.0400
RFQ
ECAD 198 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 S85B 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S85BRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247 -
RFQ
ECAD 6000 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 GB05MPS17 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-1342 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1700 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 6 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 25a 334pf @ 1V,1MHz
S300DR GeneSiC Semiconductor S300DR 63.8625
RFQ
ECAD 7570 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 S300 标准,反极性 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S300DRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 100 V -60°C 〜200°C 300A -
1N2133AR GeneSiC Semiconductor 1N2133AR 8.9025
RFQ
ECAD 9934 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N2133AR 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N2133ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
1N3293AR GeneSiC Semiconductor 1N3293AR 33.5805
RFQ
ECAD 5372 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3293AR 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3293ARGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.5 V @ 100 A 17 ma @ 600 V -40°C 200°C 100a -
MBRTA80020R GeneSiC Semiconductor MBRTA80020R -
RFQ
ECAD 1303 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 20 v 400a 720 MV @ 400 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库