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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
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![]() | MBR8080R | 1985年22月 | ![]() | 7315 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR8080 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR8080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 80V | 840毫伏@80安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | ||||||||
![]() | GBPC35005W | 2.8650 | ![]() | 3381 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC35005 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBPC35005WGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@17.5A | 5μA@50V | 25A | 单相 | 50V | |||||||||
![]() | S40J | 6.3770 | ![]() | 5569 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S40JGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~190℃ | 40A | - | |||||||||
![]() | 毛里求斯2510 | 10.1910 | ![]() | 2130 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1099 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@25A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 25A | - | ||||||||
![]() | 穆尔夫10005R | - | ![]() | 9420 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫10005RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 50V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBR30030CT | 94.5030 | ![]() | 3603 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR30030 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR30030CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 150A | 650毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBRTA800200 | - | ![]() | 7193 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 400A | 920 毫伏 @ 400 安 | 5毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRT40030R | 118.4160 | ![]() | 3425 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT40030 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT40030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 200A | 750 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | UFT10010 | - | ![]() | 3578 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-249AB | 标准 | TO-249AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 50A | 1V@50A | 60纳秒 | 100V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 1N5828R | 13.3005 | ![]() | 9803 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N5828R | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5828RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@15安 | 10毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 15A | - | ||||||||
![]() | GKN240/08 | 59.0066 | ![]() | 第1445章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | GKN240 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.4V@60A | 60毫安@800伏 | -40℃~180℃ | 320A | - | |||||||||
![]() | GD05MPS17J | - | ![]() | 1326 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 的积极 | GD05MPS | - | 1242-GD05MPS17J | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRTA60020L | - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 300A | 580毫伏@300安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRT40045L | - | ![]() | 6197 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 200A | 600毫伏@200安 | 5毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FST10035 | 65.6445 | ![]() | 9828 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST10035GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 100A | 650毫伏@100安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRH30035L | - | ![]() | 7289 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 600 毫伏 @ 300 安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | 300A | - | |||||||||||
![]() | MBRF600200 | - | ![]() | 6418 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 300A | 920毫伏@300安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MURT20040 | 104.4930 | ![]() | 3859 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT20040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400V | 100A | 1.35V@100A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||
1N1188 | 6.2320 | ![]() | 3913 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1188 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1045 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||||||
GBU4A | 1.4500 | ![]() | 第348章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU4 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 5μA@50V | 4A | 单相 | 50V | |||||||||||
![]() | MBR6020R | 21.3105 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR6020 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR6020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 650 毫伏 @ 60 安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | ||||||||
![]() | 1N2133AR | 8.9025 | ![]() | 9934 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N2133AR | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N2133ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 300伏 | 1.1V@60A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 60A | - | ||||||||
![]() | GC2X5MPS12-247 | 5.3730 | ![]() | 8661 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | GC2X5 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1324 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 27A(直流) | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1200V时为4μA | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | GBPC1508T | 2.4180 | ![]() | 8094 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC1508 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 800V时为5μA | 15A | 单相 | 800V | ||||||||||
![]() | GD2X30MPS06N | 24.2385 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X30MPS06N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 650伏 | 42A(直流) | -55℃~175℃ | |||||||||
![]() | MBR200200CTR | 90.1380 | ![]() | 5931 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR200200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 100A | 920毫伏@100安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | FR6D05 | 8.1330 | ![]() | 7538 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6D05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||
![]() | MBRF120100R | - | ![]() | 3387 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100V | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBR20040CTR | 90.1380 | ![]() | 1535 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20040 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | |||||||||
![]() | 默尔H7005 | - | ![]() | 3695 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - |
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