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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S380ZR | 86.5785 | ![]() | 5464 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S380 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S380ZRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2000伏 | 1.2V@380A | 10μA@1600V | -60℃~180℃ | 380A | - | ||||||||
![]() | MBRT60030L | - | ![]() | 5731 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 300A | 580毫伏@300安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRT40020RL | - | ![]() | 8227 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 200A | 580毫伏@200安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 穆尔夫10060R | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | 1(无限制) | 穆尔夫10060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 50A | 1.7V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBR300100CT | 94.5030 | ![]() | 1755 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR300100 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR300100CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 150A | 840毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔7010 | 17.5905 | ![]() | 4310 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔7010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | ||||||||
KBU8A | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | 标准 | 科布 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | 1V@8A | 50V时为10μA | 8A | 单相 | 50V | |||||||||||||
![]() | KBP208G | 0.2280 | ![]() | 3867 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBP | KBP208 | 标准 | 钾BP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBP208GGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@2A | 50V时为10μA | 2A | 单相 | 800V | |||||||||
![]() | KBU10005 | 0.8205 | ![]() | 5287 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | 标准 | 科布 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBU10005GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05V@10A | 50V时为10μA | 10A | 单相 | 50V | ||||||||||
![]() | FR30M05 | 10.3155 | ![]() | 3813 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30M05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1V@30A | 500纳秒 | 800V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | ||||||||
![]() | KBPC2510W | 2.2995 | ![]() | 6108 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-W | KBPC2510 | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 10μA@1000V | 25A | 单相 | 1kV | ||||||||||
![]() | 1N3294A | 33.5805 | ![]() | 6744 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3294 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3294AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.5V@100A | 13毫安@800伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | ||||||||
![]() | FR6AR05 | 8.5020 | ![]() | 9169 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6AR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||
![]() | FST8340M | - | ![]() | 6819 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | 下载 | 1(无限制) | FST8340MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 80A(直流) | 650毫伏@80安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | MBRT60020RL | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 300A | 580毫伏@300安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 穆尔夫30040R | - | ![]() | 6740 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 150A | 1.3V@150A | 110纳秒 | 400V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | MBR400200CT | 98.8155 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR400200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 200A | 920毫伏@200安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRT40035L | - | ![]() | 1911年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 200A | 600毫伏@200安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MSRTA40080A | 60.2552 | ![]() | 5207 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA40080 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 800V | 400A(直流) | 1.2V@400A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBR80100 | 21.1680 | ![]() | 9276 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR80100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 840毫伏@80安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | |||||||||
![]() | GKR130/14 | 35.4765 | ![]() | 6687 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | GKR130 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@60A | 22毫安@1400伏 | -40℃~180℃ | 165A | - | |||||||||
![]() | S16G | 4.5900 | ![]() | 1490 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S16GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@16A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 16A | - | |||||||||
![]() | GBJ25K | 0.9795 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J25 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ25K | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@12.5A | 800V时为10μA | 25A | 单相 | 800V | ||||||||||
![]() | MBR200150CT | 90.1380 | ![]() | 1041 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR200150 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 100A | 880 毫伏 @ 100 安 | 3毫安@150伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | DB155G | 0.2325 | ![]() | 6311 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB155 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB155GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 5μA@600V | 1.5A | 单相 | 600伏 | |||||||||
![]() | MBRT20040 | 102.9600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1018 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | 穆尔20010CT | 101.6625 | ![]() | 4937 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯20010 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1000 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | 1N4590R | 35.5695 | ![]() | 9089 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4590R | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4590RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.5V@150A | 9毫安@400伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | ||||||||
![]() | 穆尔塔60040R | 188.1435 | ![]() | 1280 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔60040 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔60040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 300A | 1.5V@300A | 220纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | GD2X50MPS12N | 46.3900 | ![]() | 135 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X50MPS12N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 76A(直流) | 1.8V@50A | 0纳秒 | 15μA@1200V | -55℃~175℃ |
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