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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
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![]() | 穆尔10040CTR | 75.1110 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯10040 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR10040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 50A | 1.3V@50A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | MBRF20040 | - | ![]() | 9946 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 100A | 700毫伏@100安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 2W02M | - | ![]() | 4033 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-循环,口碑 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | 1(无限制) | 2W02MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1V@2A | 10μA@200V | 2A | 单相 | 200V | |||||||||||
![]() | GBU4D | 0.4725 | ![]() | 9290 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU4 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU4DGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 5μA@200V | 4A | 单相 | 200V | |||||||||
![]() | KBL404G | 0.5385 | ![]() | 1146 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | KBL404 | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBL404GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 5μA@400V | 4A | 单相 | 400V | |||||||||
![]() | GBU15B | 0.6120 | ![]() | 4357 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU15 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU15BGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@15A | 100V时为5μA | 15A | 单相 | 100伏 | |||||||||
![]() | KBPM304G | - | ![]() | 8131 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM304GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1V@3A | 5μA@50V | 3A | 单相 | 400V | ||||||||||
![]() | GBU15M | 0.6120 | ![]() | 3489 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU15 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU15MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@15A | 1000V时为5μA | 15A | 单相 | 1kV | |||||||||
![]() | KBPM208G | - | ![]() | 8538 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM208GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1V@2A | 5μA@50V | 2A | 单相 | 800V | ||||||||||
![]() | GBU4J | 0.4725 | ![]() | 4987 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU4 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU4JGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 5μA@600V | 4A | 单相 | 600伏 | |||||||||
![]() | KBPM306G | - | ![]() | 1588 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM306GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1V@3A | 5μA@50V | 3A | 单相 | 600伏 | ||||||||||
![]() | GBPC25005W | 2.5335 | ![]() | 5871 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC25005 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBPC25005WGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 5μA@50V | 25A | 单相 | 50V | |||||||||
![]() | 国标J20D | 0.9120 | ![]() | 6810 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J20 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ20D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@10A | 5μA@200V | 20A | 单相 | 200V | ||||||||||
![]() | GBPC1510T | 2.4180 | ![]() | 2180 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC | GBPC1510 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 1000V时为5μA | 15A | 单相 | 1kV | ||||||||||
KBPC5010T | 4.2700 | ![]() | 第331章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC5010 | 标准 | KBPC-T | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@25A | 1000V时为5μA | 50A | 单相 | 1kV | |||||||||||
![]() | 穆尔塔20040 | 145.3229 | ![]() | 3322 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 400V | 100A | 1.3V@100A | 400V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | MBR2X050A180 | 43.6545 | ![]() | 6918 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 180伏 | 50A | 920 毫伏 @ 50 安 | 3毫安@180伏 | -40℃~150℃ | |||||||||
![]() | GBU6K | 0.4488 | ![]() | 5969 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU6 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU6KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 800V时为5μA | 6A | 单相 | 800V | |||||||||
![]() | MSRTA20080AD | 85.9072 | ![]() | 6580 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA200 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 200A | 1.1V@200A | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | GBJ30G | 1.1205 | ![]() | 5909 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J30 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ30G | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@15A | 5μA@400V | 30A | 单相 | 400V | ||||||||||
![]() | MBRF200200 | - | ![]() | 2768 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 100A | 920毫伏@100安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRF50080R | - | ![]() | 5612 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 250A | 840毫伏@250安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
1N8030-GA | - | ![]() | 5782 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-257-3 | 1N8030 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-257 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.39V@750mA | 0纳秒 | 5μA@650V | -55℃~250℃ | 750毫安 | 76pF@1V、1MHz | |||||||||
![]() | MBRTA50045 | - | ![]() | 3338 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 250A | 700毫伏@250安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | S300DR | 63.8625 | ![]() | 7570 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S300 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S300DRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.2V@300A | 10μA@100V | -60℃~200℃ | 300A | - | ||||||||
![]() | GBJ30D | 1.1205 | ![]() | 7632 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J30 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ30D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@15A | 5μA@200V | 30A | 单相 | 200V | ||||||||||
1N1204AR | 4.2345 | ![]() | 8105 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1204AR | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1064 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | |||||||||
![]() | GD2X100MPS12N | 82.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | MSP | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X100MPS12N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 136A(直流) | 1.8V@100A | 0纳秒 | 1200V时为25μA | -55℃~175℃ | ||||||
KBPC50005T | 2.5875 | ![]() | 9886 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC50005 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@25A | 5μA@50V | 50A | 单相 | 50V | |||||||||||
![]() | 穆尔2560R | 10.1910 | ![]() | 2236 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 毛里求斯2560 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔2560RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@25A | 90纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 25A | - |
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