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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1000 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MURH7040 GeneSiC Semiconductor Murh7040 49.5120
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.3 V @ 70 A 90 ns 25 µA @ 400 V -55°C 〜155°C 70a -
GKR240/16 GeneSiC Semiconductor GKR240/16 73.5088
RFQ
 ECAD 1788年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 320a -
MBRF20040 GeneSiC Semiconductor MBRF20040 -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
FR12J05 GeneSiC Semiconductor FR12J05 6.7605
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12J05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
FR70D05 GeneSiC Semiconductor FR70D05 17.5905
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70D05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
GBJ35J GeneSiC Semiconductor GBJ35J 1.5132
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ35 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ35J Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
MBR40035CT GeneSiC Semiconductor MBR40035CT 98.8155
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1058 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
S320JR GeneSiC Semiconductor S320JR 62.2080
RFQ
 ECAD 6119 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S320 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S320JRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MURTA600120 GeneSiC Semiconductor Murta600120 207.4171
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 300A 2.6 V @ 300 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MBRTA80020RL GeneSiC Semiconductor mbrta80020rl -
RFQ
 ECAD 5746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 400a 580 mv @ 400 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURF10060R GeneSiC Semiconductor murf10060r -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） murf10060rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA400120 GeneSiC Semiconductor Murta400120 174.1546
RFQ
 ECAD 4800 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 200a 2.6 V @ 200 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MBRTA60035L GeneSiC Semiconductor MBRTA60035L -
RFQ
 ECAD 3977 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 300A 600 MV @ 300 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBR2X050A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A120 43.6545
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 120 v 50a 880 mv @ 50 A 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
1N1183 GeneSiC Semiconductor 1N1183 7.4730
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1183 标准 do-203ab 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N1183GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 50 V 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MBR35100R GeneSiC Semiconductor MBR35100R 15.1785
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MBR35100 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR35100RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MURH7005 GeneSiC Semiconductor Murh7005 -
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
1N3211R GeneSiC Semiconductor 1N3211R 7.0650
RFQ
 ECAD 3529 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3211R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3211RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 300 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBRT50035 GeneSiC Semiconductor MBRT50035 -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50035GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR300100CT GeneSiC Semiconductor MBR300100CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1755年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR300100 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR300100CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 150a 840 mv @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR2X080A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A045 53.8500
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1301 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 45 v 80a 700 mv @ 80 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
MBR20030CT GeneSiC Semiconductor MBR20030CT 90.1380
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1008 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR2X060A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A045 52.2000
RFQ
 ECAD 1523年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1300 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 45 v 120a 700 mv @ 60 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
MBRF12080R GeneSiC Semiconductor MBRF12080R -
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
MBRTA60020L GeneSiC Semiconductor MBRTA60020L -
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURT30010R GeneSiC Semiconductor murt30010r 118.4160
RFQ
 ECAD 4161 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt30010 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt30010RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N3212 GeneSiC Semiconductor 1N3212 7.0650
RFQ
 ECAD 5672 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3212 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3212GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
GBJ15K GeneSiC Semiconductor GBJ15K 0.7875
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ15 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ15K Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 A 10 µA @ 800 V 15 a 单相 800 v
MBR20045CTR GeneSiC Semiconductor MBR20045CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20045CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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