SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
MBR6045R GeneSiC Semiconductor MBR6045R 21.3105
RFQ
ECAD 2688 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MBR6045 肖特基,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR6045RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D 9.7900
RFQ
ECAD 695 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GD2X SIC (碳化硅) TO-247-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD2X30MPS06D Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 600 v 30A(DC) 0 ns 175°C
GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS12N 82.9100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 基因半导体 MSP 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GD2X SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD2X100MPS12N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 1200 v 136a(DC) 1.8 V @ 100 A 0 ns 25 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
RFQ
ECAD 64 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR30J02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
MBRF600200 GeneSiC Semiconductor MBRF600200 -
RFQ
ECAD 6418 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
GKN26/12 GeneSiC Semiconductor GKN26/12 -
RFQ
ECAD 9746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.55 V @ 60 A 4 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 25a -
MBR2X060A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A200 46.9860
RFQ
ECAD 5106 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 60a 920 mv @ 60 a 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
MBRTA60030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60030RL -
RFQ
ECAD 3356 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBR2X160A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A150 59.6700
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 150 v 160a 880 mv @ 160 A 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
FR20A02 GeneSiC Semiconductor FR20A02 9.0510
RFQ
ECAD 8652 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR20A02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR16J02 GeneSiC Semiconductor FR16J02 8.1330
RFQ
ECAD 3747 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR16J02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 900 mv @ 16 A 250 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBR2X160A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A080 59.6700
RFQ
ECAD 1486年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 80 V 160a 840 mv @ 160 A 1 mA @ 80 V -40°C〜150°C
MBR2X120A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A100 51.8535
RFQ
ECAD 3033 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X120 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 100 v 120a 840 mv @ 120 A 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
1N2130A GeneSiC Semiconductor 1N2130A 8.9025
RFQ
ECAD 2480 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N2130 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1093 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 150 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
ECAD 9641 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT50040RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GKR71/16 GeneSiC Semiconductor GKR71/16 12.8167
RFQ
ECAD 6710 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 GKR71 标准 do-5 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 95a -
FR16B05 GeneSiC Semiconductor FR16B05 8.1330
RFQ
ECAD 5774 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR16B05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.4 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
RFQ
ECAD 8451 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60045 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT60045RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 45 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
RFQ
ECAD 2155 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1000 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MURH7040 GeneSiC Semiconductor Murh7040 49.5120
RFQ
ECAD 9358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 70 A 90 ns 25 µA @ 400 V -55°C 〜155°C 70a -
GKR240/16 GeneSiC Semiconductor GKR240/16 73.5088
RFQ
ECAD 1788年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 GKR240 标准 DO-205AB(DO-9) - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 320a -
MBRF20040 GeneSiC Semiconductor MBRF20040 -
RFQ
ECAD 9946 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
FR12J05 GeneSiC Semiconductor FR12J05 6.7605
RFQ
ECAD 1174 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR12J05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
FR70D05 GeneSiC Semiconductor FR70D05 17.5905
RFQ
ECAD 9746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR70D05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
GBJ35J GeneSiC Semiconductor GBJ35J 1.5132
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ35 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ35J Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
MBR40035CT GeneSiC Semiconductor MBR40035CT 98.8155
RFQ
ECAD 9670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1058 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
S320JR GeneSiC Semiconductor S320JR 62.2080
RFQ
ECAD 6119 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 S320 标准,反极性 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S320JRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MURTA600120 GeneSiC Semiconductor Murta600120 207.4171
RFQ
ECAD 4406 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1200 v 300A 2.6 V @ 300 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MBRTA80020RL GeneSiC Semiconductor mbrta80020rl -
RFQ
ECAD 5746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 20 v 400a 580 mv @ 400 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURF10060R GeneSiC Semiconductor murf10060r -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - (1 (无限) murf10060rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库