死亡(2089)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）
1N2128AR	8.9025	询价	第1559章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N2128AR	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N2128ARGN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		50V		1.1V@60A		50V时为10μA	-65℃～200℃	60A	-
MBRT20030R	98.8155	询价	7651	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT20030	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRT20030RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	30V	100A	750毫伏@100安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
穆尔2510R	10.1910	询价	5180	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	毛里求斯2510	标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1016	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		100V		1V@25A	75纳秒	50V时为10μA	-55℃～150℃	25A	-
FR12G05	6.7605	询价	4903	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		400V		800毫伏@12安	500纳秒	100V时为25μA	-65℃～150℃	12A	-
MSRT250140A	54.2296	询价	9385	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRT250140	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对共轴线	1400伏	250A（直流）	1.2V@250A		600V时为15μA	-55℃～150℃
穆尔赫10060	49.5120	询价	7589	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67		标准	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		穆尔赫10060GN	EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.7V@100A	110纳秒	600V时为25μA	-55℃～150℃	100A	-
MBRH15045RL	-	询价	8770	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D-67		肖特基，反	D-67	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		45V		600毫伏@150安		5毫安@45伏		150A	-
MBR60045CT	129.3585	询价	9131	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR60045	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR60045CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	45V	300A	750毫伏@300安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
GB20SLT12-247D	-	询价	5669	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的		通孔	TO-247-3		SiC（碳化硅）肖特基	TO-247	-		1（无限制）		1242-1316	EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	1200伏	25A	1.8V@10A		1200V时为50μA	-55℃～175℃
MBR50045CT	-	询价	5053	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	45V	250A	750毫伏@250安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR50030CTR	-	询价	2432	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR50030CTRGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	30V	250A	750毫伏@250安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR500150CT	-	询价	8447	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	150伏	250A	880毫伏@250安		3毫安@150伏	-55℃～150℃
穆尔夫10005	-	询价	2925	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）		穆尔夫10005GN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	50V	50A	1.3V@50A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
穆尔10060CT	-	询价	9422	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		标准	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MUR10060CTGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	600伏	50A	1.7V@50A	110纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
MBR2X100A100	50.2485	询价	5931	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	MBR2X100	肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	52	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	100V	100A	840 毫伏 @ 100 安		1毫安@100伏	-40℃～150℃
MBRT30045R	107.3070	询价	5209	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT30045	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1073	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	45V	150A	750毫伏@150安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBRTA800100	-	询价	9826	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100V	400A	840 毫伏 @ 400 安		1毫安@100伏	-55℃～150℃
S300E	63.8625	询价	8223	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AB、DO-9、螺柱	S300	标准	DO-205AB (DO-9)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S300EGN	EAR99	8541.10.0080	8	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		300伏		1.2V@300A		10μA@100V	-60℃～200℃	300A	-
GD60MPS17H	46.0800	询价	2267	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	的积极		通孔	TO-247-2	GD60	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-GD60MPS17H	EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		1700伏		1.8V@60A		1700V时为40μA	-55℃～175℃	122A	4577pF @ 1V、1MHz
1N1188R	10.1200	询价	74	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N1188R	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1094	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		400V		1.2V@35A		50V时为10μA	-65℃～190℃	35A	-
S320JR	62.2080	询价	6119	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AB、DO-9、螺柱	S320	标准，反脊柱	DO-205AB (DO-9)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S320JRGN	EAR99	8541.10.0080	8	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		600伏		1.2V@300A		600V时为10μA	-60℃～180℃	320A	-
MBRTA40020RL	-	询价	9430	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	20V	200A	580毫伏@200安		3毫安@30伏	-55℃～150℃
MSRTA30080A	56.2380	询价	1863年	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRTA300	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1对中央	800V	300A（直流）	1.2V@300A		25μA@200V	-55℃～150℃
MBR400200CTR	98.8155	询价	6652	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR400200	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	200V	200A	920毫伏@200安		3毫安@200伏	-55℃～150℃
MBR60030CTL	-	询价	3097	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	30V	300A	580毫伏@300安		3毫安@30伏	-55℃～150℃
毛里求斯7060	17.5905	询价	5311	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		穆尔7060GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.7V@70A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃	70A	-
默尔H7020	49.5120	询价	5054	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67		标准	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		200V		1V@70A	75纳秒	25μA@200V	-55℃～150℃	70A	-
MUR30005CTR	-	询价	3402	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		标准	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MUR30005CTRGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	50V	150A	1.3V@100A	90纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
MBRF20080R	-	询价	8971	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共阳极	80V	100A	840 毫伏 @ 100 安		1毫安@80伏	-55℃～150℃
KBP204	0.3750	询价	8785	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP、KBP		标准	钾BP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		KBP204GN	EAR99	8541.10.0080	2,000					1.1V@2A		50V时为10μA		2A		单相	400V

|<
<
13
14
15
16
17号
18
19
20
21
>
>|

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

死亡(2089)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²