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| 参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUR20040CT | 101.6625 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR20040 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR20040CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 100a | 1.3 V @ 50 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||
| 1N3673AR | 6.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3673AR | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1055 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 12a | - | |||||||||
![]() | GD2X30MPS06N | 24.2385 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GD2X | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GD2X30MPS06N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 650 v | 42A(DC) | -55°C 〜175°C | |||||||||
![]() | DB104G | 0.1980 | ![]() | 2293 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB104 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB104GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1 a | 单相 | 400 v | |||||||||
| MBR8045 | 24.8600 | ![]() | 3214 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 650 mv @ 80 A | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | 80a | - | |||||||||||
![]() | MBRT300200 | 107.3070 | ![]() | 7152 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 150a | 920 MV @ 150 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | DB152G | 0.2325 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB152 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB152GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | 1.5 a | 单相 | 100 v | |||||||||
![]() | S25kr | 5.2485 | ![]() | 5105 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | S25K | 标准,反极性 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S25krgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 25a | - | ||||||||
![]() | MSRT15080AD | 71.6012 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT150 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 150a | 1.1 V @ 150 A | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MUR2X060A06 | 47.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1311 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 60a | 1.5 V @ 60 A | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||
![]() | MBRT40030 | 118.4160 | ![]() | 9037 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT40030GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 200a | 750 MV @ 200 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | GKR26/16 | - | ![]() | 9036 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.55 V @ 60 A | 4 ma @ 1600 V | -40°C〜180°C | 25a | - | |||||||||||
![]() | mur10005ctr | - | ![]() | 3413 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | mur10005ctrgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | S400kr | 88.0320 | ![]() | 8470 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S400 | 标准,反极性 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S400KRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 400 A | 10 µA @ 50 V | -60°C 〜200°C | 400a | - | ||||||||
![]() | MBRF60045 | - | ![]() | 5131 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 300A(DC) | 650 MV @ 300 A | 10 ma @ 20 V | -40°C〜175°C | |||||||||||
![]() | MUR10010CT | 75.1110 | ![]() | 8480 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | Mur10010 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | mur10010ctgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | S25K | 5.2485 | ![]() | 4962 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S25KGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 25a | - | |||||||||
![]() | 1N3289A | 33.5805 | ![]() | 1299 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3289 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N3289AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.5 V @ 100 A | 24 mA @ 200 V | -40°C 200°C | 100a | - | ||||||||
![]() | MBR2X050A100 | 43.6545 | ![]() | 2660 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 100 v | 50a | 840 mv @ 50 A | 1 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||
![]() | 1N4593R | 35.5695 | ![]() | 2449 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N4593R | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N4593RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.5 V @ 150 A | 5.5 ma @ 800 V | -60°C 〜200°C | 150a | - | ||||||||
![]() | MBRH20045R | 75.0900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | MBRH20045 | 肖特基,反极性 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1061 | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 700 mv @ 200 a | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | 200a | - | ||||||||
![]() | MUR40005CTR | - | ![]() | 3094 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR40005CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 200a | 1.3 V @ 125 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBR6035 | 20.2695 | ![]() | 7206 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR6035GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 650 mv @ 60 a | 5 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 60a | - | |||||||||
![]() | MSRTA20080D | 142.3575 | ![]() | 2531 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | MSRTA200 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRTA20080D | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 200a | 1.1 V @ 200 A | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBRH24030 | 76.4925 | ![]() | 9685 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 720 MV @ 240 A | 1 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | 240a | - | ||||||||||
![]() | S12M | 4.2345 | ![]() | 1831年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S12MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 12a | - | |||||||||
![]() | MBR40020CTRL | - | ![]() | 7809 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 200a | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MSRT100120D | 87.1935 | ![]() | 5976 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT100 | 标准 | 三个塔 | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRT100120D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 100a | 1.1 V @ 100 A | 10 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | Murta20040 | 145.3229 | ![]() | 3322 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 25 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | 1N3211 | 7.0650 | ![]() | 1199 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3211 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N3211GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.5 V @ 15 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - |

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