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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
S6K GeneSiC Semiconductor S6K 3.8625
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s6kgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
1N3289A GeneSiC Semiconductor 1N3289A 33.5805
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3289 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3289AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.5 V @ 100 A 24 mA @ 200 V -40°C 200°C 100a -
MBRH20045R GeneSiC Semiconductor MBRH20045R 75.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20045 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1061 Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 700 mv @ 200 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 200a -
MBRT20045 GeneSiC Semiconductor MBRT20045 98.8155
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20045GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA600150 GeneSiC Semiconductor MBRTA600150 -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 4 mA @ 150 V -55°C〜150°C
MBR2X050A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A100 43.6545
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 100 v 50a 840 mv @ 50 A 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
1N4593R GeneSiC Semiconductor 1N4593R 35.5695
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N4593R 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N4593RGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 150 A 5.5 ma @ 800 V -60°C 〜200°C 150a -
MUR40005CTR GeneSiC Semiconductor MUR40005CTR -
RFQ
 ECAD 3094 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40005CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR400150CTR GeneSiC Semiconductor MBR400150CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 5686 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 200a 880 mv @ 200 a 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBR6035 GeneSiC Semiconductor MBR6035 20.2695
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR6035GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor MSRTA20080D 142.3575
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA200 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA20080D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
MBRH24030 GeneSiC Semiconductor MBRH24030 76.4925
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C 240a -
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
RFQ
 ECAD 652 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3892 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1035 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
MBRT300200R GeneSiC Semiconductor MBRT300200R 107.3070
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT300200 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 150a 920 MV @ 150 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
S70JR GeneSiC Semiconductor S70JR 9.8985
RFQ
 ECAD 6030 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70J 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70JRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
S6QR GeneSiC Semiconductor S6QR 3.8625
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S6Q 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
1N1188 GeneSiC Semiconductor 1N1188 6.2320
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1188 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1045 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
KBU1004 GeneSiC Semiconductor KBU1004 0.8205
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBU1004GN Ear99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 400 V 10 a 单相 400 v
MBRT12035R GeneSiC Semiconductor MBRT12035R 75.1110
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT12035 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12035RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S12M GeneSiC Semiconductor S12M 4.2345
RFQ
 ECAD 1831年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S12MGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
MBRF20080R GeneSiC Semiconductor MBRF20080R -
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 100a 840 mv @ 100 a 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
1N3211 GeneSiC Semiconductor 1N3211 7.0650
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3211 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3211GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 300 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MURTA50020R GeneSiC Semiconductor Murta50020r 174.1546
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta50020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MURTA50020RGN Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 250a 1.3 V @ 250 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR40020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40020CTRL -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S12JR GeneSiC Semiconductor S12JR 4.2345
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S12J 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S12JRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S380ZR GeneSiC Semiconductor S380ZR 86.5785
RFQ
 ECAD 5464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S380 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S380ZRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2000 v 1.2 V @ 380 A 10 µA @ 1600 V -60°C〜180°C 380a -
MSRTA30060D GeneSiC Semiconductor MSRTA30060D 159.9075
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA300 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA30060D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 600 v 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRH240200R GeneSiC Semiconductor MBRH240200R 76.4925
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH240200 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 240 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C 240a -
FR30M05 GeneSiC Semiconductor FR30M05 10.3155
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30M05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
FR20JR02 GeneSiC Semiconductor FR20JR02 9.3555
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR20JR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 20 A 250 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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